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1.发明申请公开(公告)号：US20130137251A1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：US13307847
申请日：2011-11-30
申请人： Yu-Ling Liou , Chih-Tang Peng , Pei-Ren Jeng , Hao-Ming Lien , Tze-Liang Lee
发明人： Yu-Ling Liou , Chih-Tang Peng , Pei-Ren Jeng , Hao-Ming Lien , Tze-Liang Lee
IPC分类号： H01L21/425
CPC分类号： H01L21/76237 , H01L21/02164 , H01L21/02304 , H01L21/02315 , H01L21/31155 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481
摘要： A method includes performing a plasma treatment on a first surface of a first material and a second surface of a second material simultaneously, wherein the first material is different from the second material. A third material is formed on treated first surface of the first material and on treated second surface of the second material. The first, the second, and the third materials may include a hard mask, a semiconductor material, and an oxide, respectively.
摘要翻译： 一种方法包括同时对第一材料的第一表面和第二材料的第二表面进行等离子体处理，其中第一材料与第二材料不同。 在第一材料的经处理的第一表面和第二材料的经处理的第二表面上形成第三材料。 第一，第二和第三材料可以分别包括硬掩模，半导体材料和氧化物。
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2.发明授权公开(公告)号：US09142402B2
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：US13307847
申请日：2011-11-30
申请人： Yu-Ling Liou , Chih-Tang Peng , Pei-Ren Jeng , Hao-Ming Lien , Tze-Liang Lee
发明人： Yu-Ling Liou , Chih-Tang Peng , Pei-Ren Jeng , Hao-Ming Lien , Tze-Liang Lee
IPC分类号： H01L21/425 , H01L21/02 , H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L21/3115
CPC分类号： H01L21/76237 , H01L21/02164 , H01L21/02304 , H01L21/02315 , H01L21/31155 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481
摘要： A method includes performing a plasma treatment on a first surface of a first material and a second surface of a second material simultaneously, wherein the first material is different from the second material. A third material is formed on treated first surface of the first material and on treated second surface of the second material. The first, the second, and the third materials may include a hard mask, a semiconductor material, and an oxide, respectively.
摘要翻译： 一种方法包括同时对第一材料的第一表面和第二材料的第二表面进行等离子体处理，其中第一材料与第二材料不同。 在第一材料的经处理的第一表面和第二材料的经处理的第二表面上形成第三材料。 第一，第二和第三材料可以分别包括硬掩模，半导体材料和氧化物。
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