公开(公告)号：US6013557A

公开(公告)日：2000-01-11

申请号：US136240

申请日：1998-08-19

申请人： Zhiqiang Jeff Wu ,  Li Li

发明人： Zhiqiang Jeff Wu ,  Li Li

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/76213 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/966

摘要： A method for forming field isolation regions in multilayer semiconductor devices comprises the steps of masking active regions of the substrate, forming porous silicon in the exposed field isolation regions, removing the mask and oxidizing the substrate. A light ion impurity implant is used to create pores in the substrate. Substrate oxidation proceeds by rapid thermal annealing because the increased surface area of the pores and the high reactivity of unsaturated bonds on these surfaces provides for enhanced oxidation.

摘要翻译： 在多层半导体器件中形成场隔离区域的方法包括以下步骤：掩盖衬底的活性区域，在暴露的场隔离区域中形成多孔硅，去除掩模并氧化衬底。 使用轻质离子杂质植入物在衬底中产生孔。 通过快速热退火进行基板氧化，因为孔的增加的表面积和这些表面上的不饱和键的高反应性提供了增强的氧化。

公开(公告)号：US5863826A

公开(公告)日：1999-01-26

申请号：US691571

申请日：1996-08-02

申请人： Zhiqiang Jeff Wu ,  Li Li

发明人： Zhiqiang Jeff Wu ,  Li Li

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/76213 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/966

摘要： A method for forming field isolation regions in multilayer semiconductor devices comprises the steps of masking active regions of the substrate, forming porous silicon in the exposed field isolation regions, removing the mask and oxidizing the substrate. A light ion impurity implant is used to create pores in the substrate. Substrate oxidation proceeds by rapid thermal annealing because the increased surface area of the pores and the high reactivity of unsaturated bonds on these surfaces provides for enhanced oxidation.

摘要翻译： 在多层半导体器件中形成场隔离区域的方法包括以下步骤：掩盖衬底的活性区域，在暴露的场隔离区域中形成多孔硅，去除掩模并氧化衬底。 使用轻质离子杂质植入物在衬底中产生孔。 通过快速热退火进行基板氧化，因为孔的增加的表面积和这些表面上的不饱和键的高反应性提供了增强的氧化。

公开(公告)号：US06635584B2

公开(公告)日：2003-10-21

申请号：US10229480

申请日：2002-08-28

申请人： Zhiqiang Jeff Wu ,  Mark S. Rodder ,  Manoj Mehrotra

发明人： Zhiqiang Jeff Wu ,  Mark S. Rodder ,  Manoj Mehrotra

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/28123

摘要： A system for fabricating an integrated circuit is disclosed that includes providing a semiconductor substrate (10), and forming a gate oxide layer (12) on an active area on the substrate. A polysilicon gate (14) is formed, on top of the gate oxide, by etching. Etch damage (16) on the substrate surface is repaired by anneal in an inert gas environment—e.g., He, Ne, N2, Ar gas, or combinations thereof.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成电路的系统，其包括提供半导体衬底（10），以及在衬底上的有源区上形成栅极氧化物层（12）。 通过蚀刻在栅极氧化物的顶部上形成多晶硅栅极（14）。 在惰性气体环境（例如He，Ne，N 2，Ar气体或其组合）中通过退火来修复基底表面上的蚀刻损伤（16）。