公开(公告)号：US08563345B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13419216

申请日：2012-03-13

申请人： Steven J. Adler ,  Peter Johnson ,  Gokhan Percin ,  Shahram Mostafazadeh

发明人： Steven J. Adler ,  Peter Johnson ,  Gokhan Percin ,  Shahram Mostafazadeh

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L27/1203 ,  B06B1/0292 ,  G01N29/2406 ,  H01L21/76898

摘要： A method for forming a capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) includes forming multiple CMUT elements in a first semiconductor-on-insulator (SOI) structure. Each CMUT element includes multiple CMUT cells. The first SOI structure includes a first handle wafer, a first buried layer, and a first active layer. The method also includes forming a membrane over the CMUT elements and forming electrical contacts through the first handle wafer and the first buried layer. The electrical contacts are in electrical connection with the CMUT elements. The membrane could be formed by bonding a second SOI structure to the first SOI structure, where the second SOI structure includes a second handle wafer, a second buried layer, and a second active layer. The second handle wafer and the second buried layer can be removed, and the membrane includes the second active layer.

摘要翻译： 一种用于形成电容微加工超声换能器（CMUT）的方法包括在第一绝缘体上绝缘体（SOI）结构中形成多个CMUT元件。 每个CMUT元素包括多个CMUT单元。 第一SOI结构包括第一处理晶片，第一掩埋层和第一有源层。 该方法还包括在CMUT元件上形成膜并通过第一处理晶片和第一掩埋层形成电触点。 电触点与CMUT元件电连接。 可以通过将第二SOI结构结合到第一SOI结构来形成膜，其中第二SOI结构包括第二处理晶片，第二掩埋层和第二有源层。 可以去除第二处理晶片和第二掩埋层，并且膜包括第二有源层。