公开(公告)号：US08431473B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US13177573

申请日：2011-07-07

申请人： Shu-Hui Hu ,  Shih-Feng Su ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Chien Liu ,  Po-Chun Chen ,  Ya-Jyuan Hung ,  Bin-Siang Tsai ,  Chin-Fu Lin

发明人： Shu-Hui Hu ,  Shih-Feng Su ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Chien Liu ,  Po-Chun Chen ,  Ya-Jyuan Hung ,  Bin-Siang Tsai ,  Chin-Fu Lin

IPC分类号： H00L21/28

CPC分类号： H01L21/76801

摘要： A method for fabricating a semiconductor device is disclosed. The method includes the steps of: providing a substrate; forming a dielectric layer on the substrate, wherein the dielectric layer comprises metal interconnects therein; forming a top metal layer on the dielectric layer; and forming a passivation layer on the top metal layer through high-density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) process.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：提供衬底; 在所述衬底上形成电介质层，其中所述电介质层包括金属互连; 在所述电介质层上形成顶部金属层; 并通过高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）工艺在顶层金属层上形成钝化层。