公开(公告)号：WO2012093757A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：PCT/KR2011/004062

申请日：2011-06-03

Applicant: (주)세미머티리얼즈 ,  오충석 ,  장성환 ,  정호일 ,  박치권 ,  박건

Inventor： 오충석 ,  장성환 ,  정호일 ,  박치권 ,  박건

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  Y10T117/10

Abstract: 본 발명은 템플레이트를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 기판 상에 3족 물질을 포함하는 제1 질화물층을 성장시키는 단계, 상기 제1 질화물층의 상측에, 상기 제1 질화물층과 식각 특성이 상이한 다수개의 식각 배리어를 형성하는 단계, 클로라이드 계열의 가스로 상기 제1 질화물층을 상기 식각 배리어의 패턴에 따라 식각하여 기둥 형상의 나노 구조물을 형성하는 단계 및 상기 나노 구조물 상측으로 제2 질화물층을 성장시켜, 내부에 다수개의 공극을 구비하는 질화물 완충층을 형성하는 단계를 포함하는 템플레이트 제조 방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及使用模板制造氮化物半导体发光器件的方法。 制造模板的方法包括：在衬底上生长含有III族材料的第一氮化物层的步骤; 形成多个势垒的步骤，每个栅极具有与第一氮化物层上的第一氮化物层的蚀刻特性不同的蚀刻特性; 沿着蚀刻阻挡层的图案使用氯化物基气体蚀刻第一氮化物层以形成具有柱状的纳米结构的步骤; 以及在纳米结构上生长第二氮化物层以形成其中具有多个孔的氮化物缓冲层的步骤。

公开(公告)号：WO2012093758A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：PCT/KR2011/004063

申请日：2011-06-03

Applicant: (주)세미머티리얼즈 ,  오충석 ,  장성환 ,  정호일 ,  박치권 ,  박건

Inventor： 오충석 ,  장성환 ,  정호일 ,  박치권 ,  박건

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02656 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  Y10T117/10

Abstract: 본 발명은 템플레이트를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 기판상에 제1 질화물층을 성장시키는 단계, 클로라이드 계열의 식각 가스를 공급하여 상기 제1 질화물층의 상면을 식각하는 단계, 상기 제1 질화물층의 상면으로 제2 질화물층을 성장시켜 다수개의 제1 공극을 형성하는 단계, 상기 식각 가스를 공급하여 상기 제2 질화물층의 상면을 식각하는 단계 그리고, 상기 제2 질화물층의 상면으로 제3 질화물층을 성장시켜 다수개의 제2 공극을 형성하는 단계를 포함하는 템플레이트 제조 방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及使用模板制造氮化物半导体发光器件的方法。 制造模板的方法包括：在衬底上生长第一氮化物层的步骤; 提供基于氯化物的蚀刻气体以蚀刻第一氮化物层的顶表面的步骤; 在第一氮化物层的顶表面上生长第二氮化物层以形成多个第一孔的步骤，提供蚀刻气体以蚀刻第二氮化物层的顶表面的步骤，以及生长第三氮化物层的步骤 氮化物层在第二氮化物层的顶表面上形成多个第二孔。

公开(公告)号：WO2011122721A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/KR2010/002022

申请日：2010-04-01

Applicant: 주식회사 엠소닉 ,  전영준 ,  정호일

Inventor： 전영준 ,  정호일

IPC: H04R9/02

CPC classification number: H04R9/025 ,  H04R9/06 ,  H04R9/063 ,  H04R2499/11 ,  H04R2499/15

Abstract: 본 발명은 스피커 장치에 관한 것으로, 프레임과, 상기 프레임의 내부에 배치되는 영구자석과, 상기 영구자석과 일정 갭을 두고 배치되어 영구자석과 상호 작용하여 상하 이동되는 보이스 코일과, 상기 보이스 코일을 탄성 지지하는 댐퍼와, 상기 보이스 코일과 연결되는 진동판을 포함하고, 상기 영구자석은 상기 보이스 코일의 내측에 배치되는 제1영구자석과, 상기 보이스 코일의 외측에 배치되고 상기 제1영구자석과 반대 극성을 갖는 제2영구자석으로 구성되고, 상기 제1영구자석과 제2영구자석의 하면에 요크가 설치되고, 제1영구자석 및 제2영구자석의 상면에 제1플레이트 및 제2플레이트가 각각 설치되어 복수의 자기회로를 형성하여, 두께를 최소화하면서 고출력을 구현할 수 있다.

Abstract translation: 扬声器装置技术领域本发明涉及一种扬声器装置，包括：框架; 设置在所述框架中的永磁体; 音圈与永磁体隔开一定间隙，以与永磁体相互作用并垂直移动; 弹性地支撑音圈的阻尼器; 以及连接到音圈的隔膜。 永久磁铁被构造成使得第一永磁体设置在音圈的内侧，并且第二永久磁铁的极性与第一永久磁铁的极性相反，设置在声音的外侧 线圈。 轭体安装在第一永磁体和第二永久磁铁的底部，第一板和第二板分别安装在第一永磁体和第二永磁体的顶部上，以形成 多个磁路，使厚度最小化，实现高输出。