公开(公告)号：WO0219418A3

公开(公告)日：2003-05-08

申请号：PCT/US0126597

申请日：2001-08-27

Applicant: APPLIED MATERIALS INC

Inventor： CARL DANIEL A ,  CHIN BARRY ,  CHEN LIANG ,  CHEUNG ROBIN ,  DING PEIJUN ,  DORDI YEZDI N ,  HASHIM IMRAN ,  HEY PETER W ,  SINHA ASHOK K

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: One aspect of the invention provides a consistent metal electroplating technique to form void-less metal interconnects in sub-micron high aspect ratio features on semiconductor substrates. One embodiment of the invention provides a method for filling sub-micron features (214) on a substrate, comprising reactive precleaning the substrate, depositing a barrier layer (218) on the substrate using high density plasma physical vapor deposition; depositing a seed layer (220) over the barrier layer using high density plasma physical vapor deposition; and electro-chemically depositing a metal (222) using a highly resistive electrolyte and applying a first current density during a first deposition period followed by a second current density during a second period.

Abstract translation: 本发明的一个方面提供一致的金属电镀技术，以在半导体衬底上形成亚微米高纵横比特征的无空隙金属互连。 本发明的一个实施例提供了一种用于在基底上填充亚微米特征（214）的方法，其包括反应性预清洗所述基底，使用高密度等离子体物理气相沉积在所述基底上沉积阻挡层（218） 使用高密度等离子体物理气相沉积在阻挡层上沉积种子层（220）; 以及使用高电阻电解质电化学沉积金属（222），并且在第一周期期间在第一沉积周期期间施加第一电流密度，然后施加第二电流密度。