고강도 강판 및 이의 제조방법
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    发明申请

    公开(公告)号:WO2021020787A1

    公开(公告)日:2021-02-04

    申请号:PCT/KR2020/009548

    申请日:2020-07-20

    摘要: 본 발명은 C, Si, Mn, Cr, Al, Nb, Ti, B, P, S, N, 잔부 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 성분계로 이루어지고, 상기 C, Si 및 Al의 함량은 하기 수학식 (1) 을 만족하고, 미세조직이 면적분율로, 템퍼드 마르텐사이트를 50% 초과 70% 이하로 포함하고, 나머지 잔류 오스테나이트, 프레시 마르텐사이트, 페라이트 및 베이나이트를 포함하며, 상기 베이나이트 래스(lath) 사이, 또는 상기 템퍼드 마르텐사이트 상의 래스 혹은 결정립 경계에 제2 상으로서 세멘타이트 상이, 면적분율로 1% 이상 3% 이하로 석출하여 분포하는 고강도 강판 및 그 제조방법을 제공한다. [수학식 (1)] [C] + ([Si]+[Al])/5 ≤ 0.35wt.% (여기서 [C], [Si], [Al] 는 각각 C, Si, Al 의 중량%를 의미한다.)

    基板処理方法および基板処理装置

    公开(公告)号:WO2020255772A1

    公开(公告)日:2020-12-24

    申请号:PCT/JP2020/022492

    申请日:2020-06-08

    发明人: 白石 雅敏

    摘要: 本開示による基板処理方法は、準備工程と、阻害膜形成工程と、めっき工程とを含む。準備工程は、表面に凹部が形成され、且つ、表面および凹部(101)の内面にシード層(102)が形成された基板(W)を準備する。阻害膜形成工程は、凹部の上部にめっき阻害膜(103C)を形成する。めっき工程は、阻害膜形成工程後、基板にめっき液を接触させることにより、凹部にめっき膜を形成して凹部をめっき膜(104)で埋める。