公开(公告)号：WO2023026812A1

公开(公告)日：2023-03-02

申请号：PCT/JP2022/029901

申请日：2022-08-04

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 津田　基嗣 ,  相川　清志 ,  山田　隆司 ,  松井　利樹

IPC: H01L23/12 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04

Abstract: 小型化を図りつつ信号損失を低減する。高周波モジュール（１）は、実装基板（２）と、第１電子部品（３Ａ）と、第２電子部品（３Ｂ）及び第１接続端子（７１）と、第２接続端子（７２）と、第１樹脂層と、第２樹脂層と、を備える。第２電子部品（３Ｂ）及び第１接続端子（７１）は、実装基板（２）の第２主面（２２）に配置されている。第２接続端子（７２）は、第１接続端子（７１）に接続されており、第１接続端子（７１）に対して実装基板（２）側とは反対側に配置されている。第１樹脂層は、第２電子部品（３Ｂ）の少なくとも一部を覆い、かつ第１接続端子（７１）の少なくとも一部を覆っている。第２樹脂層は、第１樹脂層上に配置されており、第２接続端子（７２）の少なくとも一部を覆っている。実装基板（２）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第２接続端子（７２）は第１接続端子（７１）の内側に位置している。

公开(公告)号：WO2023022179A1

公开(公告)日：2023-02-23

申请号：PCT/JP2022/031116

申请日：2022-08-17

Applicant: アオイ電子株式会社

Inventor： 栗田　洋一郎

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04

Abstract: 半導体モジュールの製造方法は、第１ダイ電極を有する第１のダイと、第２ダイ電極を有する第２のダイと、第１ダイ電極に接続された第１接続部と、第２ダイ電極に接続された第２接続部と、を封止体により封止した後、第１ブリッジ電極および第２ブリッジ電極を有するブリッジを、封止体で封止された構造体に搭載する。第１のダイおよび第２のダイ４２は、ブリッジを介して電気的に接続される。

公开(公告)号：WO2022255082A1

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：PCT/JP2022/020463

申请日：2022-05-17

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 田部井　俊樹 ,  安田　潤平

IPC: H03H9/25 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18

Abstract: 減衰特性の改善と、封止樹脂の樹脂充填性の改善を図ることができる、弾性波装置を提供する。　基板２上に第１の弾性波素子チップ１１と第２の弾性波素子チップ１２とが搭載されており、第１の弾性波素子チップ１１と基板２とを接合している複数の第１のバンプが、グラウンド電位に接続される複数の第１のＧＮＤバンプ１３ａ，１３ｂを有し、第２の弾性波素子チップ１２を基板２に接合している複数の第２のバンプが、グラウンド電位に接続される複数の第２のＧＮＤバンプ１４ａ～１４ｄを有し、第１のＧＮＤバンプ１３ａ，１３ｂの数をｎ１、第２のＧＮＤバンプ１４ａ～１４ｄの数をｎ２、第１のＧＮＤバンプ１３ａ，１３ｂの高さをｈ１、第２のＧＮＤバンプ１４ａ～１４ｄの高さをｈ２としたときに、ｎ１＜ｎ２かつｈ１＜ｈ２である、弾性波装置１。

公开(公告)号：WO2022249921A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：PCT/JP2022/020399

申请日：2022-05-16

Applicant: 株式会社オートネットワーク技術研究所 ,  住友電装株式会社 ,  住友電気工業株式会社

Inventor： 内田　幸貴

IPC: G01R15/20 ,  G01R19/165 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H05K1/02

Abstract: 損失及び発熱を抑制しつつ電流検知部が回路構成体に組み込まれることができる技術を提供することを目的とする。回路構成体は、導電部と、前記導電部に実装されて、前記導電部の通電のオンオフを切り替える半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子を制御する制御部と、前記制御部が実装された基板とを含む制御基板と、前記導電部の電流によって生じる磁気に基づいて前記導電部の電流値を検知する少なくとも１つの磁気センサと、を備える。前記磁気センサは、前記基板における前記導電部と対向するように配置された部分に実装されている。

公开(公告)号：WO2022234025A2

公开(公告)日：2022-11-10

申请号：PCT/EP2022/062172

申请日：2022-05-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/13 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04 ,  H01L27/15 ,  H01L25/105 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0508 ,  H01L33/486 ,  H02S40/30 ,  H02S40/38

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Mikrosystem umfassend eine Vielzahl von funktionellen Zellen (1, 1a, 1b, 1c, 1d), die zumindest teilweise elektrisch miteinander gekoppelt sind, wobei jede funktionelle Zelle durch einen der folgenden Zelltypen gebildet ist: elektrische Energie erzeugende Zelle (1a); elektrische Energie speichernde Zelle (1d); elektrische Energie leitende Zelle (1b); und elektrische Energie verbrauchende Zelle (1c). Jede funktionelle Zelle umfasst: ein Gehäuse (2) aus einem elektrisch isolierenden Material, wobei die Gehäuse (2) von je zwei funktionellen Zelle die gleichen Abmessungen aufweisen; zumindest einen ersten elektrischen Anschlussbereich (3a) und zumindest einen zweiten elektrischen Anschlussbereich (3b); und ein funktionelles Element (14), welches im Inneren des Gehäuses (2) unter elektrischer Verbindung des zumindest einen ersten elektrischen Anschlussbereichs (3a) und des zumindest einen zweiten elektrischen Anschlussbereichs (3b) angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2022230683A1

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：PCT/JP2022/017828

申请日：2022-04-14

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 上嶋　孝紀 ,  北嶋　宏通 ,  中川　大

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H03H9/25

Abstract: 第１電子部品の放熱性を向上できる高周波モジュールを提供する。高周波モジュール（１）は、実装基板（３）と、第１電子部品（１７，１２Ａ）と、第１樹脂層（５１）と、第１グランド電極（６）とを備える。実装基板（３）は、互いに対向する第１主面（３１）及び第２主面（３２）を有する。第１電子部品（１７，１２Ａ）は、実装基板（３）の第１主面（３１）に配置されている。第１樹脂層（５１）は、実装基板（３）の第１主面（３１）に配置されており、第１電子部品（１７，１２Ａ）の外周面の少なくとも一部を覆う。第１グランド電極（６）は、第１樹脂層（５１）の少なくとも一部を覆う。第１電子部品（１７，１２Ａ）における実装基板（３）の側とは反対側の主面（１７１，１２１Ａ）は、第１グランド電極（６）と接続されている。実装基板（３）は、実装基板（３）の内部に第２グランド電極（３４）を有する。第１グランド電極（６）は、第２グランド電極（３４）と接続されている。

公开(公告)号：WO2022210616A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：PCT/JP2022/015218

申请日：2022-03-28

Applicant: 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

Inventor： ▲柳▼田　秀彰 ,  水本　尚吾

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04

Abstract: 多種類の半導体素子を高密度に実装することが可能な半導体装置の提供を目的とする。第１の基板を含む第１の配線部材および第２の基板を含む第２の配線部材の間に並設され、前記第１および前記第２の基板とそれぞれ電気的に接続する第１および第２の半導体素子を有する半導体装置において、前記第１の半導体素子と前記第１の配線部材とは、直接接続され、前記第２の半導体素子と前記第１の配線部材とは、導電性部材を介して接続されている。

公开(公告)号：WO2022209083A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：PCT/JP2021/048274

申请日：2021-12-24

Applicant: 日立Ａｓｔｅｍｏ株式会社

Inventor： 島津　ひろみ ,  金子　裕二朗 ,  高木　佑輔

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04

Abstract: パワー半導体装置の第１のパワー半導体素子と第２のパワー半導体素子とは、前記第１のパワー半導体素子の発熱量が前記第２のパワー半導体素子の発熱量よりも大きい場合、前記第１のパワー半導体素子の端部から前記導体板の端部までの距離である第１の距離は、前記第２のパワー半導体素子の端部から前記第２のパワー半導体素子と接続される第２の導体板の端部までの距離である第２の距離よりも大きい。

公开(公告)号：WO2022168803A1

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：PCT/JP2022/003672

申请日：2022-01-31

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 工藤　寛 ,  高野　貴正

IPC: H01L23/32 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

Abstract: 半導体パッケージは、第１面及び第２面を含む第１のインターポーザと、第３面及び第４面を含み、第１方向において前記第１のインターポーザに並ぶ第２のインターポーザと、第５面及び第６面を含み、第１方向において第１のインターポーザと第２のインターポーザの間に位置する第３のインターポーザと、平面視において第１面及び第５面に重なる第１の半導体素子と、平面視において第３面及び第５面に重なる第２の半導体素子と、を備える。第３のインターポーザは、第１の半導体素子と第２の半導体素子を電気的に接続する配線を含む。

公开(公告)号：WO2022102284A1

公开(公告)日：2022-05-19

申请号：PCT/JP2021/036701

申请日：2021-10-04

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 上嶋　孝紀 ,  北嶋　宏通

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/28 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04 ,  H04B1/00 ,  H04B1/38 ,  H05K9/00 ,  H03H9/70 ,  H03H9/72

Abstract: 高周波モジュール（１）は、モジュール基板（９１）と、モジュール基板（９１）の主面（９１ａ）に配置された第１部品と、第１部品の上面（６１ａ）に配置され、グランド電位に設定された金属シールド壁（８１）と、モジュール基板（９１）の主面（９１ａ）、第１部品の上面（６１ａ）及び側面、並びに、金属シールド壁（８１）の側面を覆う樹脂部材（９２）と、樹脂部材（９２）の上面（９２ａ）を覆う、グランド電位に設定された金属シールド層（９５）と、を備える。金属シールド壁（８１）の上端（８１ａ）は、金属シールド層（９５）に接触している。第１部品は、モジュール基板（９１）に接続された第１端子（６１ｃ）及び第２端子（６１ｄ）を含む。主面（９１ａ）の平面視において、金属シールド壁（８１）は、第１端子（６１ｃ）と第２端子（６１ｄ）との間に配置されている。