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    蛍光ナノダイヤモンドの製造方法
    23.
    发明申请
    蛍光ナノダイヤモンドの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022208841A1

    公开(公告)日：2022-10-06

    申请号：PCT/JP2021/014154

    申请日：2021-04-01

    申请人： 株式会社ダイセル

    发明人： 劉　明 ,  西川　正浩 ,  稻本　佳寛 ,  岸本　真紀

    IPC分类号： C01B32/26 ,  B01J3/08 ,  C09K11/65

    摘要： 本発明は、以下の工程１～４を含み、その蛍光発光波長スペクトルがＮＶ０及び／又はＮＶ－のゼロフォノン線（ＺＰＬ）を示す蛍光ナノダイヤモンドの製造方法： 工程１：少なくとも１種の爆薬を密閉容器内で爆発させてナノダイヤモンド原料を得る爆轟工程、 工程２：前記ナノダイヤモンド原料或いは前記ナノダイヤモンド原料について強酸処理、オゾン処理又は気相酸化によりsp2炭素を除去して得られたナノダイヤモンドを1000℃～1600℃の温度でアニーリングする第１アニーリング工程、 工程３：第１アニーリング工程の後に、ナノダイヤモンドにイオンビーム又は電子ビームを照射する空孔形成工程、 工程４：空孔を形成したナノダイヤモンドを600℃～900℃の温度でアニーリングしてＮＶ(Nitrogen-Vacancy)センターを形成する第２アニーリング工程、 を提供するものである。

    СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХТВЁРДЫХ МАТЕРИАЛОВ
    25.
    发明申请
    СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХТВЁРДЫХ МАТЕРИАЛОВ 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022124947A1

    公开(公告)日：2022-06-16

    申请号：PCT/RU2021/050428

    申请日：2021-12-10

    申请人： ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ «НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ КОМПЛЕКС «АЛМАЗ» (ООО «НПК «АЛМАЗ») «NPK «ALMAZ» [RU]/[RU]

    发明人： КОЛЯДИН, Александр Владимирович KOLIADIN, Aleksandr Vladimirovich ,  ХИХИНАШВИЛИ, Теймураз Юрьевич KHIKHINASHVILI, Teimuraz Yuryevich

    IPC分类号： C30B1/12 ,  B01J3/06 ,  C01B32/26 ,  G05D23/19

    摘要： Изобретение может быть использовано при изготовлении монокристаллического и поликристаллического алмаза, алмазных порошков и кубического нитрида бора. Используют ячейку высокого давления (ЯВД), содержащую корпус, в котором размещен нагреватель цилиндрической формы, запертый сверху и снизу токоведущими шайбами, внутри которого расположена изолирующая втулка с изолирующими шайбами на торцах, а внутри втулки - источник углерода и металл-катализатор. ЯВД помещают в аппарат высокого давления, создают необходимое давление и нагревают. Во время нагрева осуществляют мониторинг температуры металла-катализатора путём постоянного определения электрического сопротивления нагревателя, установления факта и времени резкого повышения его электрического сопротивления, соответствующего плавлению металла-катализатора и фазовому переходу графита в алмаз. При достижении требуемой температуры перестают повышать мощность и выдерживают ЯВД в течение заданного времени. Затем останавливают подачу мощности на нагреватель, сбрасывают давление и извлекают ЯВД из аппарата. Обеспечивается воспроизводимость и надежный контроль в режиме реального времени.

    SYSTEMS AND METHODS FOR SYNTHESIZING A DIAMOND USING MACHINE LEARNING
    27.
    发明申请
    SYSTEMS AND METHODS FOR SYNTHESIZING A DIAMOND USING MACHINE LEARNING 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021237076A1

    公开(公告)日：2021-11-25

    申请号：PCT/US2021/033632

    申请日：2021-05-21

    申请人： FRAUNHOFER USA, INC. ,  PORTER, Adam

    发明人： MEKALA, Rohan Reddy ,  MUEHLE, Matthias ,  LINDVALL, Mikael ,  BECKER, Michael

    IPC分类号： C01B32/26 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04 ,  G05B23/02

    摘要： Disclosed herein are systems and methods for synthesizing a diamond using a diamond synthesis machine. A processor receives a plurality of images of a diamond during synthesis within a diamond synthesis machine, each of the plurality of images captured within a time period. The processor executes a diamond state prediction machine learning model using the plurality of images to obtain a predicted data object, the predicted data object indicating a predicted state of the diamond within the diamond synthesis machine at a time subsequent to the time period. The processor detects a predicted defect, a number of defects, defect types, and/or sub-features of such defects and/or other characteristics (e.g., a predicted shape, size, and/or other properties of predicted contours for the diamond and/or pocket holder) of the predicted state of the diamond. The processor adjusts operation of the diamond synthesis machine.

    ダイヤモンド被覆超硬合金切削工具
    29.
    发明申请
    ダイヤモンド被覆超硬合金切削工具 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018174139A1

    公开(公告)日：2018-09-27

    申请号：PCT/JP2018/011328

    申请日：2018-03-22

    申请人： 三菱マテリアル株式会社

    发明人： 鹿田　信一 ,  冨永　哲光 ,  高島　英彰

    IPC分类号： B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C01B32/26 ,  C23C16/27

    摘要： このダイヤモンド被覆超硬合金切削工具では、（１）ＷＣ粒子の平均粒径が０．５～０．９μｍであり、（２）基体の界面の凹凸の最大高低差（Ｒ ｚ ）が０．５～１．０μｍであり、凹凸間の最大距離（Δ）が０．５～１．５μｍであり、結合相が除去された領域のダイヤモンド皮膜の長さ（Ｙ ｅ ）が０．５～２．０μｍであり、（３）基体界面においてＬ １ が０．４～０．８μｍ、Ｌ ２ が０．２～０．４μｍ、（Ｌ １ ）/（Ｌ ２ ）が１．５～２．５であるＷＣ粒子が７０面積％以上であり、（４）基体界面から０．５～１．５μｍの領域におけるダイヤモンド結晶の平均粒径が０．１～０．３μｍであって、（５）厚さ方向に対する成長方向の角度のずれが１０度以内である割合が９０％以上または＜１１０＞配向率が３０～７０％の少なくとも一方である柱状晶を有する。