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公开(公告)号：WO2023041359A1
公开(公告)日：2023-03-23
申请号：PCT/EP2022/074567
申请日：2022-09-05
Applicant: SILTRONIC AG
Inventor： MÜLLER, Timo , BOY, Michael , GEHMLICH, Michael , KISSINGER, Gudrun , KOT, Dawid
IPC: C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, umfassend in dieser Reihenfolge das Züchten eines Einkristalls aus Silizium nach der CZ-Methode; das Abtrennen von mindestens einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium vom Einkristall; eine erste, zweite und dritte RTA-Behandlung der Halbleiterscheibe.
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公开(公告)号：WO2022233682A1
公开(公告)日：2022-11-10
申请号：PCT/EP2022/061258
申请日：2022-04-27
Applicant: GLOBALWAFERS CO., LTD.
Inventor： PORRINI, Maria , VALCOZZENA, Pietro
IPC: C30B15/20 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322
Abstract: Methods for preparing epitaxial wafers are disclosed. The methods may involve control of the (i) a growth velocity, v, and/or (ii) an axial temperature gradient, G, during the growth of an ingot segment such that v/G is less than a critical v/G. An epitaxial layer is deposited on a substrate sliced from the silicon ingot.
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3.发明申请
公开(公告)号：WO2022103626A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/US2021/057770
申请日：2021-11-02
Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： WU, Chen-Ying , HUANG, Yi-Chiau , YE, Zhiyuan , CHU, Schubert S. , SANCHEZ, Errol Antonio C. , BURROWS, Brian Hayes
Abstract: Aspects of the present disclosure relate to apparatus, systems, and methods of using atomic hydrogen radicals with epitaxial deposition. In one aspect, nodular defects (e.g., nodules) are removed from epitaxial layers of substrate. In one implementation, a method of processing substrates includes selectively growing an epitaxial layer on one or more crystalline surfaces of a substrate. The epitaxial layer includes silicon. The method also includes etching the substrate to remove a plurality of nodules from one or more non-crystalline surfaces of the substrate. The etching includes exposing the substrate to atomic hydrogen radicals. The method also includes thermally annealing the epitaxial layer to an anneal temperature that is 600 degrees Celsius or higher.
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公开(公告)号：WO2022032732A1
公开(公告)日：2022-02-17
申请号：PCT/CN2020/111644
申请日：2020-08-27
Applicant: 南京公诚节能新材料研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高ZnTe晶体掺杂元素均匀性的方法，包括如下步骤：采用Te熔剂-TGSM技术生长ZnTe电光晶体；将晶体在生长炉内低温区保温退火；将晶体锭条取出，进行定向切片，研磨和抛光，然后清洗干净并甩干备用；建立掺杂量与ZnTe晶体电阻率及载流子传输特性的定量关系，获得THz辐射的吸收和散射机理；将晶体切片架在石英支架上固定于石英安瓿内，将安瓿瓶进行内进行抽真空，然后对安瓿瓶的瓶口进行熔封，将安瓿瓶放入退火炉进行均匀性退火。通过建立掺杂量与ZnTe晶体电阻率及载流子传输特性的定量关系，获得THz辐射的吸收和散射机理，优化掺杂浓度及设计多阶段组合退火处理工艺，最终获得高均匀性光学品质的ZnTe晶体。
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公开(公告)号：WO2021259657A1
公开(公告)日：2021-12-30
申请号：PCT/EP2021/065639
申请日：2021-06-10
Applicant: SILTRONIC AG
Inventor： MÜLLER, Timo , GEHMLICH, Michael , KISSINGER, Gudrun , MANGELBERGER, Karl , SKROBANEK, Michael
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, umfassend das Bereitstellen einer Substratscheibe aus einkristallinem Silizium, die interstitiellen Sauerstoff mit einer Konzentration mehr als 5 x 1016 AT/cm³ (new ASTM) enthält; eine RTA-Behandlung der Substratscheibe enthaltend eine erste Wärmebehandlung der Substratscheibe bei einer ersten Temperatur in einem Temperaturbereich von nicht weniger als 1200 °C und nicht mehr als 1260 °C für einen Zeitraum von nicht weniger als 5 s und nicht mehr als 30 s, wobei eine Vorderseite der Substratscheibe einer Atmosphäre enthaltend Argon ausgesetzt wird, eine zweite Wärmebehandlung der Substratscheibe bei einer zweiten Temperatur in einem Temperaturbereich von nicht weniger als 1150 °C und nicht mehr als 1190 °C für einen Zeitraum von nicht weniger als 15 s und nicht mehr als 20 s, wobei eine Vorderseite der Substratscheibe einer Atmosphäre enthaltend Argon und Ammoniak ausgesetzt wird, und eine dritte Wärmebehandlung der Substratscheibe bei einer dritten Temperatur in einem Temperaturbereich von nicht weniger als 1160 °C und nicht mehr als 1190 °C für einen Zeitraum von nicht weniger als 20 s und nicht mehr als 30 s, wobei eine Vorderseite der Substratscheibe einer Atmosphäre enthaltend Argon ausgesetzt wird.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2021172531A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：PCT/JP2021/007422
申请日：2021-02-26
Applicant: 国立大学法人三重大学
Abstract: 窒化物半導体基板（１１、２１）は、基板（２）と、基板（２）の上方に設けられたＡｌＮ含有膜（１００、２００）と、を備え、ＡｌＮ含有膜（１００、２００）の膜厚は、１００００ｎｍ以下であり、ＡｌＮ含有膜（１００、２００）の貫通転位密度は、２×１０８ｃｍ－２以下である。
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公开(公告)号：WO2021060368A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/JP2020/036003
申请日：2020-09-24
Inventor： 金子 忠昭
IPC: C30B29/36 , C30B33/02 , H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本発明は、ＳｉＣ昇華を抑制しつつ内部応力が低減されたような新規なＳｉＣ単結晶体を提供することを解決すべき課題とする。 上記課題を解決するために、本発明は、ＳｉＣ単結晶体を、Ｓｉ元素及びＣ元素を含む雰囲気下で、１８００℃以上で加熱し前記ＳｉＣ単結晶体の内部応力を低減する応力低減工程を有するＳｉＣ単結晶の製造方法である。また、本発明は、ＳｉＣ材料で構成されＳｉＣ単結晶体を収容可能な本体容器と、前記本体容器を１８００℃以上で加熱可能な加熱炉と、を備えるＳｉＣ単結晶の製造装置である。
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公开(公告)号：WO2021060367A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/JP2020/036002
申请日：2020-09-24
Inventor： 金子 忠昭
IPC: C30B29/36 , B24B27/06 , B24B37/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/10 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本発明の解決しようとする課題は、歪層を除去する際の素材ロスを低減可能なＳｉＣ基板を製造するための新規の技術を提供することにある。 本発明は、ＳｉＣ基板体１０の歪層１２を表面側に移動させることで歪層１２を薄くする歪層薄化工程Ｓ１を含む、ＳｉＣ基板３０の製造方法である。このように、歪層１２を表面側に移動させる（集中させる）歪層薄化工程Ｓ１を含むことで、歪層１２を除去する際の素材ロスＬを低減することができる。
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公开(公告)号：WO2021051844A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/CN2020/091167
申请日：2020-05-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种具有p型纳米线区域和/或n型纳米线区域的铌酸锂及其制备方法，所述方法包括对多畴铌酸锂晶体热处理后冷却，使所述多畴铌酸锂晶体中的氢离子被固定在畴壁区域；将热处理后的多畴铌酸锂晶体进行极化，通过施加电压使所述多畴铌酸锂晶体的一个或多个畴的极化方向反转。所述铌酸锂包括铌酸锂晶体以及设置在所述铌酸锂晶体中且靠近所述铌酸锂晶体表面的p型纳米线区域和/或n型纳米线区域。一种铌酸锂纳米线区域载流子类型转换方法，将得到的铌酸锂再次进行极化，使所述纳米线区域的极化方向反转，从而改变所述纳米线区域的载流子类型。
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公开(公告)号：WO2021025085A1
公开(公告)日：2021-02-11
申请号：PCT/JP2020/030079
申请日：2020-08-05
Inventor： 金子 忠昭
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , C30B33/02 , H01L21/205
Abstract: 高品質なＳｉＣ基板、ＳｉＣエピタキシャル基板、ＳｉＣインゴットを実現可能な新規の技術を提供することを課題とする。 本発明は、ＳｉＣ原基板１０を熱処理する熱処理工程Ｓ１を有し、熱処理工程Ｓ１は、下記の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の工程のうち、２つ以上の工程を含む、ＳｉＣ基板１１の製造方法である。（ａ）ＳｉＣ原基板１０の歪層１０１を除去する歪層除去工程Ｓ１１。（ｂ）ＳｉＣ原基板１０上のマクロステップバンチングＭＳＢを除去するバンチング除去工程Ｓ１２。（ｃ）ＳｉＣ原基板１０上に基底面転位ＢＰＤを低減した成長層１０５を形成する基底面転位低減工程Ｓ１３。
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