公开(公告)号：WO02019338A1

公开(公告)日：2002-03-07

申请号：PCT/EP2001/009901

申请日：2001-08-28

IPC: G11C11/02 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/02 ,  G11C11/15 ,  H01L27/222

Abstract: The invention relates to a memory cell arrangement with a memory cell field comprising at least one layer of magnetoresistive memory elements (11) which are connected to first contact lines (10). The first contact lines (10) lie within a first dielectric layer (6) and are connected to second contact lines (20; 29; 35). The second contact lines (20; 29; 35) lie within a second dielectric layer (17; 27; 32). A diffusion barrier layer (15; 22; 7; 31) is arranged between the first contact lines (10) and the second dielectric layer (17; 27; 32).

Abstract translation: 具有具有磁阻存储器组件（11），其分别连接到第一接触形成线（10），第一介电层（6）位于，以及内的第一接触形成线（10）中的至少一个层上的存储单元阵列（到第二接触形成线上的存储器单元阵列 35）连接，其中，所述第二接触形成线（20 ;; 20;第二介电层（17内35）; 29 29躺下32），其特征在于，扩散阻挡层（15;第一非接触之间31）; 27; 22; 7 （10）和第二电介质层（17; 32; 27）被提供。