公开(公告)号：WO2012107998A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/JP2011/052635

申请日：2011-02-08

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  寺田 隆司

Inventor： 寺田　隆司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/4238

Abstract: 　半導体基板（ＳＵＢ）の主表面において、ｎ + ソース領域（ＮＳＲ）の周囲をｎ + ドレイン領域（ＮＤＲ）が取り囲んでいる。ｎ型ドリフト領域（ＤＲＩ）の内周側端縁（ＤＲＩＩ）および素子分離構造（ＩＳ１）の内周側端縁（ＩＳ１Ｉ）の各々は、平面視にて互いに直交する長軸方向と短軸方向とにおいて短軸方向よりも長軸方向に長く延びる平面形状を有している。平面視においてｎ型ドリフト領域（ＤＲＩ）の内周側端縁（ＤＲＩＩ）は、長軸方向の両端部の少なくとも一部で素子分離構造（ＩＳ１）の内周側端縁（ＩＳ１Ｉ）よりも外周側に位置し、かつ両端部に挟まれる長軸方向の中央部で素子分離構造（ＩＳ１）の内周側端縁（ＩＳ１Ｉ）よりも内周側に位置している。これにより、オン抵抗を低減しつつ、オフ耐圧を向上させることができる。

Abstract translation: 在半导体衬底（SUB）的主表面上，n +漏极区域（NDR）围绕n +源极区域（NSR）。 n型漂移区域（DRI）的内周侧端缘（DRII）和元件隔离结构（IS1）的内周侧端缘（IS1I）各自具有沿长轴方向延伸的平面形状 与短轴方向相比，长轴方向和短轴方向在平面图中彼此垂直。 在俯视图中，n型漂移区域（DRI）的内周侧端缘（DRII）配置在从元件隔离结构体（IS1）的内周侧端缘（IS1I）的外周侧 沿长轴方向的两端部的至少一部分配置在长轴方向的中心部的从元件隔离结构体（IS1）的内周侧端缘（IS1I）的内周侧， 夹在两端部之间。 利用这种结构，可以在降低导通电阻的同时提高截止击穿电压。