公开(公告)号：WO2005034220A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：PCT/JP2004/014201

申请日：2004-09-29

Applicant: シャープ株式会社 ,  二川 正康 ,  柿本 典子

Inventor： 二川 正康 ,  柿本 典子

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45589 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165

Abstract: 　成長条件が異なっても、均一性の高いエピタキシャル層を形成することができる気相成長方法を提供する。反応室（２）内で原料ガス（１５）により基板（７）上に薄膜を形成する気相成長方法であって、反応室（２）と、基板（７）上に原料ガス（１５）を供給し、排出する流路（５）と、基板（７）を保持する基板保持部と、基板保持部と流路（５）とを相対的に移動させる移動手段（１２）と、移動手段（１２）を制御する制御手段（１３）と、基板（７）を加熱する加熱手段（１０）を備える装置を用い、制御手段（１３）は、結晶成長前に予め、成長条件毎の、流路（５）と基板保持部の相対的な位置を計測し、計測した位置データを保存しており、設定される成長条件と保存している位置データに基づき、流路（５）と基板（７）との相対的な位置の変化が小さくなるように、基板保持部もしくは流路（５）の位置を制御することを特徴とする。

Abstract translation: 即使生长条件变化，也可以形成高度均匀的外延层的气相生长方法。 提供了一种用于从反应室（2）中的基板（7）上的源气体（15）形成薄膜的气相生长方法，其特征在于，使用包括反应室（2），流动通道（5） 用于将源气体（15）供给到基板（7）上并将其排出，用于保持基板（7）的基板保持部分，用于使基板保持部分和流动通道（5）相对移动的移动装置（12） 控制装置（13），用于控制移动装置（12）和用于加热基板（7）的加热装置（10），控制装置（13）存储通过测量基板保持部分和流体的相对位置获得的位置数据 通道（5）相对于晶体生长前的每个生长条件，并且基于设定的生长条件和存储的位置数据，控制衬底保持部分或流动通道（5）的位置，以便最小化相对的 基板（7）的位置和 流通道（5）。