公开(公告)号：WO2011049054A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：PCT/JP2010/068306

申请日：2010-10-19

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  斎藤 順 ,  濱田 公守 ,  荒川 隆史 ,  鈴木 幹昌

Inventor： 斎藤　順 ,  濱田　公守 ,  荒川　隆史 ,  鈴木　幹昌

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/263 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/32

Abstract: 　第１導電型の第１半導体層と、主面側の表層部に形成された第２導電型の第２半導体層と、第２半導体層の表層部に選択的に形成された第１導電型の第３半導体層と、裏面側の表層部に形成された第２導電型の第４半導体層と、第１半導体層と第４半導体層の間に形成された第１導電型で第１半導体層より不純物濃度が高い第５半導体層とを有している絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、一つの密度分布ピークを有する再結合中心格子欠陥は、ピーク位置がターンオフ終了時の非空乏化領域の幅より内側に位置するように、第１半導体層内に配置されている絶縁ゲートバイポーラトランジスタを提供する。

Abstract translation: 公开了一种绝缘栅双极晶体管，其具有第一导电类型的第一半导体层，形成在主表面侧的表面层上的第二导电类型的第二半导体层，第一导电类型的第三半导体层选择性地形成 在第二半导体层的表面层上，形成在下表面侧的表面层上的第二导电类型的第四半导体层，以及形成在第一和第四半导体层之间的第一导电类型的第五半导体层，并且具有 比第一半导体层具有更高的杂质浓度。 具有单个密度分布峰的复合中心晶格缺陷设置在第一半导体层中，使得峰值位置位于关断时间结束时的非耗尽区的宽度内。