公开(公告)号：WO2006030595A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：PCT/JP2005/014878

申请日：2005-08-09

Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  馬渕 勝美 ,  赤星 晴夫 ,  上方 康雄 ,  羽廣 昌信 ,  小野 裕

Inventor： 馬渕 勝美 ,  赤星 晴夫 ,  上方 康雄 ,  羽廣 昌信 ,  小野 裕

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 　非荷重下における研磨速度と過重下における研磨速度の差を大きくするために溶解促進作用を付与する無機塩、保護膜形成剤、界面活性剤等を添加した組成から構成されるＣＭＰ用研磨液により、ＣＭＰにおける生産性向上のための高速化、及び、配線の微細化および多層化のための配線の平坦化を両立させる。

Abstract translation: 一种用于CMP的抛光液，其由负载有例如表面活性剂，保护膜形成剂和能够赋予溶解促进活性的无机盐的组合物组成，以增加非负载下的抛光速度和负载下的研磨速度之间的差异 。 通过这种CMP用抛光液，可以同时实现提高CMP生产率的速度提高和层次乘法的布线小型化/布线平坦化。

公开(公告)号：WO2007077886A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/JP2006/326106

申请日：2006-12-27

Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  野村 豊 ,  中川 宏 ,  安西 創 ,  飛田 文子 ,  桜田 剛史 ,  馬渕 勝美

Inventor： 野村 豊 ,  中川 宏 ,  安西 創 ,  飛田 文子 ,  桜田 剛史 ,  馬渕 勝美

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 　（ａ）固体粒子に由来する研磨傷の発生、（ｂ）ディッシング、エロージョン等の平坦性悪化の発生、（ｃ）研磨後の基板表面に残留する研磨粒子を除去するための洗浄工程の複雑性、（ｄ）固体砥粒そのものの原価や廃液処理に起因するコストアップ等の問題を解決し、かつ高いＣｕ研磨速度でＣＭＰ可能な金属用研磨液及びこれを用いた被研磨膜の研磨方法を提供する。金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び重量平均分子量が８０００以上のアニオン性官能基を有する水溶性ポリマを含有し、ｐＨが１以上３以下である金属用研磨液並びに研磨定盤の研磨布上に前記の金属用研磨液を供給しながら、被研磨金属膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かして研磨することを特徴とする被研磨膜の研磨方法。

Abstract translation: 公开了一种金属抛光液，其能够实现高Cu抛光速率的CMP，同时解决诸如（a）抛光由固体颗粒引起的划痕的问题，（b）平坦度如凹陷和侵蚀的劣化，（c​​）并发症 用于去除抛光后残留在基板表面上的抛光颗粒的清洁步骤，以及（d）由于固体磨料本身的初始成本和废水处理的成本而导致的成本增加。 还公开了使用这种金属研磨液来研磨待研磨的膜的方法。 具体公开了含有金属氧化剂，金属氧化物溶解剂，金属防腐剂，重均分子量为8000以上且含有阴离子官能团的水溶性聚合物的金属研磨液。 金属抛光液的pH值不小于1但不大于3.还公开了一种用于抛光待抛光的膜的方法，其中具有待抛光的金属膜和抛光板的基板相对于每一个移动 另一个用于抛光，同时将基板压在抛光板的抛光布上，并将金属抛光液供给到抛光布上。

公开(公告)号：WO2007074734A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：PCT/JP2006/325625

申请日：2006-12-22

Applicant: 日立化成工業株式会社 ,  馬渕 勝美 ,  赤星 晴夫 ,  羽廣 昌信 ,  桜田 剛史 ,  野村 豊

Inventor： 馬渕 勝美 ,  赤星 晴夫 ,  羽廣 昌信 ,  桜田 剛史 ,  野村 豊

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/04

Abstract: 　研磨に際して酸化剤と混合して用いられるＣＭＰ研磨液であって、銅防錆剤、水溶性高分子、ｐＨ調整剤及び水を含み、砥粒を実質的に含まないＣＭＰ研磨液によれば、銅の化学研磨におけるディッシングが効果的に抑制され、信頼性の高い配線が形成される。前記防錆剤、水溶性高分子及び酸化剤の含有量が、前記ＣＭＰ研磨液１リットル当り、０．１～５重量％、０．０５～５重量％及び０．０１～５Ｍであり、前記ｐＨ調整剤の量は、前記ＣＭＰ研磨液のｐＨを１．５～２．５に調整するために必要な量である組成が好ましい。

Abstract translation: 公开了当用于抛光时与氧化剂混合的CMP抛光液。 该CMP抛光液含有铜防锈剂，水溶性聚合物，pH调节剂和水，并且基本上不含有磨粒。 通过使用这样的CMP研磨液，能够有效地抑制铜的化学抛光，从而形成具有高可靠性的布线。 防锈剂，水溶性聚合物和氧化剂的含量优选分别为每1升CMP抛光液的0.1-5重量％，0.05-5重量％和0.01-5M， 调节剂的含量为将CMP液体的pH调节至1.5〜2.5所需的量。