VERFAHREN ZUR FEHLERBEHANDLUNG IN EINER UMRICHTERSCHALTUNG ZUR SCHALTUNG VON DREI SPANNUNGSNIVEAUS
    1.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR FEHLERBEHANDLUNG IN EINER UMRICHTERSCHALTUNG ZUR SCHALTUNG VON DREI SPANNUNGSNIVEAUS 审中-公开
    一种用于在变换器电路纠错三个电平开关电源

    公开(公告)号:WO2005124961A1

    公开(公告)日:2005-12-29

    申请号:PCT/CH2005/000203

    申请日:2005-04-11

    CPC classification number: H02H7/1225 H02M1/32 H02M7/487

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Fehlerbehandlung in einer Umrichterschaltung zur Schaltung von drei Spannungsniveaus angegeben, bei dem die Umrichterschaltung ein für jede Phase (R, S, T) vorgesehenes Teilumrichtersystem (1) aufweist, bei dem ein oberer Fehlerstrompfad (A) oder ein unterer Fehlerstrompfad (B) im Teilumrichtersystem (1) detektiert wird, wobei der obere Fehlerstrompfad (A) über den ersten, zweiten, dritten und sechsten Leistungshalbleiterschalter (S1, S2, S3, S6) des Teilumrichtersystems (1) oder über den ersten und fünften Leistungshalbleiterschalter (S1, S5) des Teilumrichtersystems (1) führt und der untere Fehlerstrompfad (B) über den zweiten, dritten, vierten und fünften Leistungshalbleiterschalter (S2, S3, S4, S5) des Teilumrichtersystems (1) oder über den vierten und sechsten Leistungshalbleiterschalter (S4, S6) des Teilumrichtersystems (1) führt und bei dem die Leistungshalbleiterschalter (S1, S2, S3, S4, S5, S6) nach einer Fehlerschaltsequenz geschaltet werden. Zur Vermeidung eines phasenseitigen Kurzschluss sämtlicher Phasen der Umrichterschaltung zur Erreichung eines sicheren Betriebszustandes der Umrichterschaltung im Fehlerfall wird nach der Fehlerschaltsequenz im Falle der Detektion des oberen oder des unteren Fehlerstrompfads (A, B) zunächst der bei der Detektion vorliegende Schaltstatus eines jeden Leistungshalbleiterschalters (S1, S2, S3, S4, S5, S6) festgehalten. Zudem wird im Falle der Detektion des oberen Fehlerstrompfads (A) der erste Leistungshalbleiterschalter (S1) und danach der dritte Leistungshalbleiter (S3) abgeschaltet und im Falle der Detektion des unteren Fehlerstrompfads (B) der vierte Leistungshalbleiterschalter (S4) und danach der zweite Leistungshalbleiter (S2) abgeschaltet.

    Abstract translation: 公开了一种用于故障在转换器电路处理用于切换三个电压电平,其中,所述转换器电路包括用于各相(R,S,T)提供的转换器子系统(1),其中,顶故障电流通路(A)或底故障电流路径的方法 (B)在所述转换器子系统(1),检测其中,经由所述第一,第二,第三和第六功率半导体变换器子系统的开关(S1,S2,S3,S6)的顶部故障电流通路(A)(1)或在第一和第五功率半导体开关( S1,S5)用于转换器子系统(1)引线,并经由所述第二,第三,第四和第五功率半导体开关(S2,S3,S4,S5)用于转换器子系统底部故障电流路径(B)(1)或(经由第四和第六功率半导体开关S4 中,转换器子系统的S6)(1)导致,并且其中所述功率半导体开关(S1,S2,S3,S4,S5,S6)被连接到一个故障切换序列 , 为了避免相位侧短路转换器电路的所有相位,以实现在错误的情况下的逆变器电路的安全运行状态中,首先,存在于每个功率半导体开关的检测开关状态(S1,故障检测的顶部或底部故障电流路径的情况下的切换序列(A,B), S2,S3,S4,S5,S6)记录下来。 此外,第一功率半导体开关(S1),然后将第三功率半导体(S3),在检测到所述顶部故障电流通路(A)的情况下被关断并且在检测到所述底部故障电流路径(B)的第四功率半导体开关(S4)的情况下,然后将第二功率半导体( S2)被关断。

    KURZSCHLUSSDETEKTION IN EINER UMRICHTERSCHALTUNG
    2.
    发明申请
    KURZSCHLUSSDETEKTION IN EINER UMRICHTERSCHALTUNG 审中-公开
    短路检测在转换器电路

    公开(公告)号:WO2004077076A1

    公开(公告)日:2004-09-10

    申请号:PCT/CH2004/000105

    申请日:2004-02-27

    Abstract: Es wird eine Umrichterschaltung mit einem für jede Phase (R, S, T) vorgesehenen und über eine Verschienung (1) parallel zu einem Gleichspannungskreis geschalteten Zweigpaar an­gegeben, wobei jedes Zweigpaar aus mindestens zwei in Serie geschalteten Leistungshalb­leiterschaltern gebildet ist. Zur Kurzschlussstromdetektion umfasst die Umrichterschaltung eine Einrichtung, wobei die Einrichtung eine Erfassungseinheit und eine für jedes Zweigpaar vorgesehene und mit der Erfassungseinheit verbundene Messschleife (7) aufweist. Die Messschleife (7) ist derart angeordnet, dass ein durch einen in der Verschienung (1) und in den Leistungshalbleiterschaltern des zugehörigen Zweigpaares fliessenden Strom (I) erzeug­tes Magnetfeld (H) eine von einer Windung (8) der Messschleife (7) eingeschlossene Fläche (A) zumindest teilweise durchdringt.

    Abstract translation: 它是用于每一相(R,S,T)和(1)至直流电压电路并联连接分支对指示的汇流条设置有一个转换器,每个分支对从至少两个串联连接的功率半导体开关形成。 对于短路电流的检测,该转换器电路包括一个装置,其中所述装置包括检测单元和设置在每个分支对和连接到所述检测单元测量回路(7)。 测量回路(7)被布置成使得一电流流过一个在所述母线(1),并在所产生的磁场(H)的相关联的分支对电流(I)中的功率半导体开关是一个回合(8)的测量回路(7)的封闭区域中的一个 (A)至少部分地渗透。

Patent Agency Ranking