公开(公告)号：WO2009096270A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：PCT/JP2009/050799

申请日：2009-01-21

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社 ,  醍醐 佳明 ,  石橋 啓次

Inventor： 醍醐 佳明 ,  石橋 啓次

IPC: C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C30B25/06 ,  H01L21/203 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/25 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/022 ,  C23C14/0641 ,  C30B23/02 ,  C30B29/20 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H03H3/02

Abstract: 　スパッタリングにより結晶性の高い高品質のＡｌＮヘテロエピタキシャル結晶体の製造方法を提供する。 　サファイア基板の表面を窒素ガスまたは窒素ガスと希ガスの混合ガスを用いたプラズマに晒した後、真空を保持したまま、窒素ガスまたは窒素ガスと希ガスの混合ガスを用いた反応性スパッタリングを行い、サファイア基板表面にＡｌＮをヘテロエピタキシャル成長させる。

Abstract translation: 公开了一种通过溅射制造高结晶高品质AlN异质外延晶体的方法。 具体地说，在使用氮气或氮气和稀有气体的混合气将蓝宝石衬底的表面暴露于等离子体之后，使用氮气或氮气和稀有气体的混合气体进行反应性溅射 气体，同时保持真空，使得AlN在蓝宝石衬底的表面上异质外延生长。