公开(公告)号：WO2018039236A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/US2017/048026

申请日：2017-08-22

申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

发明人： YOUNG, Erin C. ,  SPECK, James S. ,  GRANDJEAN, Nicolas

IPC分类号： C30B25/22 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L29/06 ,  H01L33/28 ,  H01L29/36 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02631 ,  C30B25/10 ,  C30B25/22 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor heterostructure with reduced unintentional Calcium (Ca) impurity concentration of about 1 x 10 14 /cm 3 or less. A Calcium impurity reduction structure may comprise a single low temperature layer or a multilayer superlattice with alternating low temperature and high temperature layers, wherein the Calcium impurity reduction structure is sandwiched between high temperature layers. The semiconductor heterostructure is comprised of a III-nitride alloy.

摘要翻译： 具有降低的非故意钙（Ca）杂质浓度降低约1×10 14 / cm 3或更小的半导体异质结构。 钙杂质还原结构可以包括具有交替的低温和高温层的单个低温层或多层超晶格，其中钙杂质还原结构夹在高温层之间。 半导体异质结构由III族氮化物合金组成。

公开(公告)号：WO2018035993A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/CN2016/106033

申请日：2016-11-16

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 谢应涛

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板包括：在氧化物半导体材料层（14,23,24,25）形成后，在射频照射下、并在压缩空气中进行退火形成钝化层（17）或栅极绝缘层（13,26）。通过上述方式，能够调节多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。

公开(公告)号：WO2018029547A1

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：PCT/IB2017/052785

申请日：2017-05-12

申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： OHNO, Masakatsu ,  YASUMOTO, Seiji ,  IKEZAWA, Naoki ,  IDOJIRI, Satoru ,  YAMAZAKI, Shunpei

IPC分类号： H01L21/02 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC分类号： H01L21/6835 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/481 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2251/5338

摘要： The yield of a manufacturing process of a display device is increased. The productivity of a display device is increased. A hydrogen-containing layer is formed over a substrate. Then, an oxygen-containing layer is formed over the hydrogen-containing layer. After that, a first layer is formed over the oxygen-containing layer with the use of a material containing a resin or a resin precursor. Subsequently, first heat treatment is performed on the first layer, so that a resin layer is formed. Next, a layer to be peeled is formed over the resin layer. The layer to be peeled and the substrate are separated from each other. The first heat treatment is performed in an oxygen-containing atmosphere.

摘要翻译： 显示装置的制造工艺的成品率增加。 显示装置的生产率提高。 在衬底上形成含氢层。 然后，在含氢层上形成含氧层。 之后，使用含有树脂或树脂前体的材料在含氧层上形成第一层。 随后，对第一层进行第一热处理，从而形成树脂层。 接着，在树脂层上形成要剥离的层。 要剥离的层和衬底彼此分离。 第一次热处理是在含氧气氛下进行的。

公开(公告)号：WO2018011645A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：PCT/IB2017/053577

申请日：2017-06-16

申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： YAMAZAKI, Shunpei ,  NAKASHIMA, Motoki ,  BABA, Haruyuki

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B28B1/008 ,  B28B11/24 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/1368 ,  G02F2203/02 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A novel metal oxide or a novel sputtering target is provided. A sputtering target includes a conductive material and an insulating material. The insulating material includes an oxide, a nitride, or an oxynitride including an element M1. The element M1 is one or more kinds of elements selected from Al, Ga, Si, Mg, Zr, Be, and B. The conductive material includes an oxide, a nitride, or an oxynitride including indium and zinc. A metal oxide film is deposited using the sputtering target in which the conductive material and the insulating material are separated from each other.

摘要翻译： 提供了一种新型金属氧化物或新型溅射靶。 溅射靶包括导电材料和绝缘材料。 绝缘材料包括包含元素M1的氧化物，氮化物或氮氧化物。 元素M1是选自Al，Ga，Si，Mg，Zr，Be和B中的一种或多种元素。导电材料包括包含铟和锌的氧化物，氮化物或氮氧化物。 使用其中导电材料和绝缘材料彼此分离的溅射靶沉积金属氧化物膜。

公开(公告)号：WO2017166343A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：PCT/CN2016/080028

申请日：2016-04-22

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 李珊

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/44 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969

摘要： 一种薄膜晶体管阵列面板。薄膜晶体管阵列面板中的薄膜晶体管具有背沟道刻蚀结构，半导体层（104）所对应的半导体材料是锡硅氧化物，在背沟道刻蚀结构中，源极（105）和漏极（106）均设置于半导体层（104）上，并且源极（105）和漏极（106）均与半导体层（104）相接触，能有效提高半导体层（104）的耐刻蚀性，能够有效保护薄膜晶体管中的背沟道。

公开(公告)号：WO2017121232A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：PCT/CN2016/111661

申请日：2016-12-23

申请人： 厦门市三安光电科技有限公司

发明人： 陈圣昌 ,  林文禹 ,  张洁 ,  邓和清 ,  徐宸科

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

摘要： 一种氮化物底层的制作方法，采用PVD溅射AlN层时同时掺少量非Al物质以形成分解温度低于AlN的氮化物，然后进行高温下退火，经过退火后的AlN层不再是平整表面，而是在微观上呈现高低起伏，在这种表面上继续采用MOCVD生长AlGaN能通过三维到二维之间的模式转换释放应力，从而改善AlN裂纹。

公开(公告)号：WO2017114296A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：PCT/CN2016/111609

申请日：2016-12-23

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 任春江 ,  陈堂胜

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/246 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/454 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66863

摘要： 提供一种具有铝镓氮化合物插入层应变平衡的氮化物高迁移率晶体管。包括：衬底（21）和位于衬底（21）上的GaN缓冲层（22）；AlyGa1-yN插入层（23）位于GaN缓冲层（22）上；与GaN缓冲层（22）相对的位于AlyGa1-yN插入层（23）上的AlxGa1-xN势垒层（24）；位于AlxGa1-xN势垒层（24）上的GaN帽层（25）；GaN帽层（25）和部分厚度的AlxGa1-xN势垒层（24）被去除形成凹槽，凹槽中提供"Г"型源电极（26）和漏电极（27）；栅电极（28）位于源电极（26）和漏电极（27）之间。另外还提供了一种氮化物高迁移率晶体管，在AlxGa1-xN势垒层（24）和GaN帽层（25）之间还包含了一AlzGa1-zN插入层（35）。上述氮化物高迁移率晶体管采用高Al组分AlGaN插入层实现AlN插入层的性能，使工艺可控性更强；引入"Г"型源电极和漏电极便于形成欧姆接触，同时结合GaN帽层可更好的对外延层整体应力进行控制，保证器件可靠性同时使性能最优化。

公开(公告)号：WO2017040547A3

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/US2016049529

申请日：2016-08-30

申请人： STC UNM

发明人： KRISHNA SANJAY ,  KLEIN BRIANNA ,  CAVALLO FRANCESCA ,  ZAMIRI SEYEDEH MARZIYEH

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02631 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368

摘要： A method for forming a semiconductor structure, includes: providing a host substrate; forming at least one sacrificial layer having two or more group-V species over the host substrate; forming at least one semiconductor layer over the at least one sacrificial layer; and transferring at least a portion of the at least one semiconductor layer from the host substrate onto an alternate substrate.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法，包括：提供主基板; 在主衬底上形成具有两种或更多种V族物质的至少一个牺牲层; 在至少一个牺牲层上形成至少一个半导体层; 以及将所述至少一个半导体层的至少一部分从所述主衬底转移到替代衬底上。

公开(公告)号：WO2017047152A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/JP2016/063646

申请日：2016-05-06

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 宮永　美紀 ,  綿谷　研一 ,  粟田　英章

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693

摘要： 　インジウム、タングステンおよび亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、酸化物焼結体の主成分であり、ビックスバイト型結晶相を含む第１結晶相と、第１結晶相よりも亜鉛の含有率が高い第２結晶相とを含み、第２結晶相を構成する粒子は、平均長軸径が３μｍ以上５０μｍ以下であり、平均アスペクト比が４以上５０以下である酸化物焼結体が提供される。

摘要翻译： 提供了含有铟，钨和锌的氧化物烧结体，其包含作为氧化物烧结体的主要成分的第一结晶相，并且含有比第一晶体更高的锌含量的二氧化硅结晶相和第二结晶相 相，并且其中构成第二结晶相的粒子的平均长轴长度为3μm〜50μm（含），平均纵横比为4〜50（含）以上。

公开(公告)号：WO2016205562A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/US2016/037930

申请日：2016-06-16

申请人： GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION

发明人： DOOLITTLE, William Alan ,  CLINTON, Evan A. ,  FABIEN, Chole A.M. ,  GUNNING, Brendan Patrick ,  MEROLA, Joseph J.

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  C30B29/38 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B23/025 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/221 ,  C23C16/303 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  C30B23/02 ,  C30B29/406 ,  C30B31/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02631

摘要： Systems and methods are disclosed for rapid growth of Group III metal nitrides using plasma assisted molecular beam epitaxy. The disclosure includes higher pressure and flow rates of nitrogen in the plasma, and the application of mixtures of nitrogen and an inert gas. Growth rates exceeding 8 µm/hour can be achieved.

摘要翻译： 公开了使用等离子体辅助分子束外延快速生长III族金属氮化物的系统和方法。 本公开内容包括等离子体中氮的更高压力和流速，以及氮气和惰性气体的混合物的应用。 可以实现超过8μm/小时的生长速率。