公开(公告)号：WO2010047086A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/JP2009/005478

申请日：2009-10-20

Applicant: シャープ株式会社 ,  牧田直樹 ,  中辻広志

Inventor： 牧田直樹 ,  中辻広志

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14665 ,  G06F3/042 ,  G09G5/10 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/78633

Abstract: 　半導体装置は、薄膜トランジスタ１２５および薄膜ダイオード１２６を備え、薄膜トランジスタ１２５の半導体層１０８および薄膜ダイオード１２６の半導体層１０９は、同一の結晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０９の表面にはリッジが形成されており、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０９の表面粗さは、薄膜トランジスタ１２５の半導体層１０８の表面粗さよりも大きい。

Abstract translation: 一种包括薄膜晶体管（125）和薄膜二极管（126）的半导体器件。 薄膜晶体管（125）的半导体层（108）和薄膜二极管（126）的半导体层（109）是通过使相同的结晶半导体膜结晶而形成的结晶半导体层。 薄膜二极管（126）的半导体层（109）的表面设置有脊。 薄膜二极管（126）的半导体层（109）的表面粗糙度大于薄膜晶体管（125）的半导体层（108）的表面粗糙度。

公开(公告)号：WO2011155127A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/JP2011/002707

申请日：2011-05-16

Applicant: シャープ株式会社 ,  中辻広志 ,  堀田和重 ,  牧田直樹

Inventor： 中辻広志 ,  堀田和重 ,  牧田直樹

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/04 ,  H01L27/1214

Abstract: 　ガラス基板（６）上に、第１半導体膜（２）及び第２半導体膜（４）を形成する工程と、ガラス基板（６）上に、第１半導体膜（２）及び第２半導体膜（４）を覆うように感光性樹脂を設ける工程と、フォトマスクを用いて感光性樹脂に対して照射される露光量を制御して露光処理を行う露光工程と、露光処理が行われた感光性樹脂に対して現像処理を行うことにより、第１半導体膜（２）上に第１レジスト（４０）を形成するとともに、第２半導体膜（４）上に第２レジスト（４１）を形成する工程と、第１レジスト（４０）及び第２レジスト（４１）をマスクとして、第１半導体膜（２）にｎ型不純物を注入する工程と、第１レジスト（４０）を除去し、第２レジスト（４１）をマスクとして、第１半導体膜（２）にｐ型不純物を注入する工程とを備える。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：在玻璃衬底（6）上形成第一半导体膜（2）和第二半导体膜（4）的步骤; 提供感光性树脂以覆盖玻璃基板（6）上的第一半导体膜（2）和第二半导体膜（4）的步骤; 曝光步骤，通过使用光掩模进行曝光处理，以控制照射到感光性树脂上的曝光量; 通过显影经受曝光处理的感光树脂，在第一半导体膜（2）上形成第一抗蚀剂（40）和第二半导体膜（4）上的第二抗蚀剂（41）的步骤; 通过使用第一抗蚀剂（40）和第二抗蚀剂（41）作为掩模，在第一半导体膜（2）中注入n型杂质的步骤; 以及通过使用第二抗蚀剂（41）作为掩模，去除第一抗蚀剂（40）并注入第一半导体膜（2）中的p型杂质的步骤。

公开(公告)号：WO2010084725A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：PCT/JP2010/000226

申请日：2010-01-18

Applicant: シャープ株式会社 ,  中辻広志

Inventor： 中辻広志

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F1/1365 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632

Abstract: 　薄膜トランジスタおよび薄膜ダイオードを同一基板上に備えた半導体装置において、薄膜トランジスタおよび薄膜ダイオードに要求されるそれぞれの特性を実現する。　基板１０１の表面に形成された絶縁層１０４と、絶縁層１０４上に形成された薄膜トランジスタおよび薄膜ダイオードとを備え、絶縁層１０４の表面のうち薄膜ダイオードの半導体層１０９の下に位置する部分には、第１の凹凸パターン１０５が形成されており、薄膜トランジスタの半導体層１０８の下に位置する部分には、第１の凹凸パターン１０５が形成されておらず、薄膜ダイオードの半導体層１０９の表面は、第１の凹凸パターン１０５の形状を反映した第２の凹凸パターンを有している。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其中在同一衬底上提供薄膜晶体管和薄膜二极管，并且实现了薄膜晶体管和薄膜二极管分别需要的特性。 具体公开了一种半导体器件，其包括形成在衬底（101）的表面上的绝缘层（104）和形成在绝缘层（104）上的薄膜晶体管和薄膜二极管。 位于薄膜二极管的半导体层（109）下方的绝缘层（104）的表面的一部分设置有第一凹入和突出图案（105）。 同时，绝缘层（104）的位于薄膜晶体管的半导体层（108）下方的一部分表面没有设置第一凹入和突出图案（105）。 薄膜二极管的半导体层（109）的表面具有反映第一凹凸图案（105）的形状的第二凹凸图案。

公开(公告)号：WO2010050161A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/JP2009/005575

申请日：2009-10-22

Applicant: シャープ株式会社 ,  山中雅貴 ,  中辻広志 ,  牧田直樹

Inventor： 山中雅貴 ,  中辻広志 ,  牧田直樹

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13312 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/14612 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/861

Abstract: 　半導体装置は、薄膜トランジスタおよび薄膜ダイオードを同一基板上に備え、薄膜トランジスタの半導体層１０９および薄膜ダイオードの半導体層１１０は、同一の結晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオードの半導体層１１０の厚さは、薄膜トランジスタの半導体層１０９の厚さよりも大きく、薄膜ダイオードの半導体層１１０の表面粗さは、薄膜トランジスタの半導体層１０９の表面粗さよりも大きい。

Abstract translation: 一种在同一衬底上包括薄膜晶体管和薄膜二极管的半导体器件。 薄膜晶体管的半导体层（109）和薄膜二极管的半导体层（110）是通过使相同的结晶半导体膜结晶而形成的结晶半导体层。 薄膜二极管的半导体层（110）具有比薄膜晶体管的半导体层（109）更大的厚度。 薄膜二极管的半导体层（110）的表面粗糙度大于薄膜晶体管的半导体层（109）的表面粗糙度。