公开(公告)号：WO2009020073A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：PCT/JP2008/063889

申请日：2008-08-01

Applicant: シャープ株式会社 ,  立花 伸介 ,  中野 孝紀

Inventor： 立花 伸介 ,  中野 孝紀

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 　絶縁基板の表面上に第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が互いに電気的に直列接続されたストリングを、前記第１電極層と前記第２電極層を電気的に絶縁分離する直列接続方向に延びる分割溝によって複数に分割して、複数の分割ストリングを形成する工程（Ａ）と、前記分割ストリングにおける各薄膜光電変換素子に逆バイアス電圧を印加して逆バイアス処理する工程（Ｂ）とを備えたことを特徴とする薄膜光電変換モジュールの製造方法。

Abstract translation: 通过在绝缘基板的表面上依次层叠第一电极层，光电转换层和第二电极层，提供薄膜光电转换元件。 其中薄膜光电转换元件串联电连接的串通过分隔槽分成多个串，其将第一电极层和第二电极层彼此电绝缘并分离并且以串联方式延伸 连接方向。 制造薄膜光电转换模块的方法具有形成分割线的步骤（A）和通过对分割的线的每个薄膜光电转换元件施加反向偏置电压来执行反向偏置的步骤（B）。

公开(公告)号：WO2007148569A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：PCT/JP2007/061855

申请日：2007-06-13

Applicant: シャープ株式会社 ,  中野 孝紀 ,  三宮 仁

Inventor： 中野 孝紀 ,  三宮 仁

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/24 ,  C23C16/503 ,  H01L21/31 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32137 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091 ,  H01L31/076 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 　少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室（１０１）内で行なう場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力が適宜選択される。これにより、装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行なうことができる。またパルス変調された交流電力を用いることにより、均一なプラズマを電極間に発生させ、かつ、電極間に投入される電力量を低減することが可能となる。これにより、プラズマ処理速度を低下させることができるので、その処理量の制御が容易となる。

Abstract translation: 在相同的等离子体反应室（101）中执行至少两个等离子体处理步骤的情况下，根据需要选择CW交流功率或脉冲调制交流功率作为每个步骤中等离子体处理的功率。 因此，即使在等离子体处理条件由于设备构造而受到限制的步骤中，也可以进行更多样化的等离子体处理。 此外，可以在电极之间产生均匀的等离子体，并且可以通过使用脉冲调制的交流电源来减少在电极之间提供的功率。 由于可以降低等离子体处理速度，便于处理量控制。

公开(公告)号：WO2008041454A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：PCT/JP2007/067725

申请日：2007-09-12

Applicant: シャープ株式会社 ,  中野 孝紀

Inventor： 中野 孝紀

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02021 ,  H01L31/186 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 　直列接続された複数の光電変換素子（１０３ａ～１０３ｆ）を逆バイアス処理する際に、３つ以上の光電変換素子の電極（１０４ａ～１０４ｃ）に異なった電位を付与し、２つ以上の光電変換素子（１０３ａ，１０３ｂ）を同時に逆バイアス処理する。これにより、光電変換素子の逆バイアス処理時間を短縮することができる。

Abstract translation: 当串联连接的多个光电转换装置（103a〜103f）进行反向偏置处理时，对三个以上的光电转换元件的电极（104a〜104c）和两个以上的光电转换元件（103a， 103b）同时进行反偏压处理。 因此，可以减少光电转换装置的反偏压处理时间。

公开(公告)号：WO2007040086A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：PCT/JP2006/319008

申请日：2006-09-26

Applicant: シャープ株式会社 ,  田中 正雄 ,  安沢 修 ,  植田 浩介 ,  中野 孝紀

Inventor： 田中 正雄 ,  安沢 修 ,  植田 浩介 ,  中野 孝紀

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H02S20/00 ,  F24S30/452 ,  F24S50/00 ,  F24S50/20 ,  H02S20/32 ,  Y02E10/47 ,  Y02E10/50

Abstract: 　複数の追尾型太陽光発電装置を有する追尾型太陽光発電システムの最大消費エネルギーを低減し、供給エネルギー容量を低減するシステムを制御する方法が提供される。集中制御部（９）は、各追尾型太陽光発電装置（１）の駆動部を所定時間間隔で駆動し、かつ、その駆動部を異なった時刻に起動することにより、各追尾型太陽光発電装置の駆動部の起動時に消費される大きなエネルギーを時間的に分散させることができ、供給エネルギー容量を低減することができる。

Abstract translation: 一种用于降低具有多个跟踪光伏发电机并且降低供电能量的跟踪光伏发电系统的最大消耗能量的系统的控制方法。 中央控制部分（9）以预定的时间间隔驱动每个跟踪光伏发电机（1）的驱动部分，并在不同的时间启动其驱动部分，使得当每个跟踪光伏发电机的驱动部分为 致动可以及时分散，从而降低供应能力。

公开(公告)号：WO2008090666A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/JP2007/072207

申请日：2007-11-15

Applicant: シャープ株式会社 ,  奈須野 善之 ,  小浜 範芳 ,  中野 孝紀

Inventor： 奈須野 善之 ,  小浜 範芳 ,  中野 孝紀

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 　光電変換層の間に中間層を設けて上記入射光量制御効果を得るとともに、中間層と半導体層の界面におけるキャリア再結合を低減し、光電変換効率を向上させた積層型光電変換装置及びその製造方法を提供する。 　本発明の積層型光電変換装置は、ｐｉｎ構造を有する複数のシリコン系光電変換層を重ねて備え、隣接する少なくとも一対の前記光電変換層は、窒化シリコンからなる中間層を挟持し、前記一対の前記光電変換層は、互いに電気的に接続されており、前記光電変換層の一部であり前記中間層と接するｐ型シリコン系半導体層は窒素原子を含有する。

Abstract translation: 通过在光电转换层之间设置中间层，同时减少中间层和半导体层之间的界面上的载流子复合并提高光电转换效率，来实现控制入射光量的效果的叠层型光电转换器， 及其制作方法。 层叠型光电转换器具有多个硅基光电转换层的叠层体，其具有引脚结构，其中至少一对相邻的光电转换层夹持由氮化硅构成的中间层，所述一对光电转换层与 并且作为光电转换层的一部分并与中间层接触的p型硅基半导体层包含氮原子。