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公开(公告)号:WO2009028287A1
公开(公告)日:2009-03-05
申请号:PCT/JP2008/063421
申请日:2008-07-25
Inventor: 常深 安紀子
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 安価な配線部材を用いて隣接する光電変換素子間の接続が可能な光電変換素子を提供する。 本発明の光電変換素子は、第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層の裏面側に配置され且つ第1半導体層に電気的に接続された第1電極と、第1半導体層に接触し且つ少なくとも一部が第1半導体層の受光面側に配置された第2導電型の第2半導体層と、第2半導体層の受光面側に第2半導体層に電気的に接続されるように設けられた受光面電極と、第1半導体層の裏面側に配置され第1半導体層と電気的に分離され且つ第2半導体層に電気的に接続された第2電極と、第1半導体層を貫通し第1半導体層と電気的に分離され且つ前記受光面電極と第2電極とを電気的に接続する貫通接続部とを備える光電変換素子であって、第1電極と第2電極は、前記光電変換素子の中心を通る中心軸から等距離の位置に配置されることを特徴とする。
Abstract translation: 提供一种光电转换元件,其可以通过使用低成本布线构件与相邻的光电转换元件连接。 光电转换元件设置有第一导电型第一半导体层; 第一电极,其布置在第一半导体层的背面侧并与第一半导体层电连接; 第二导电类型的第二半导体层,其与第一半导体层接触并且具有布置在第一半导体层的光接收表面侧上的至少一部分; 光接收表面电极,设置成与第二半导体层的光接收表面侧上的第二半导体层电连接; 布置在第一半导体层的后表面侧的第二电极与第一半导体层电分离并与第二半导体层电连接; 并且穿透所述第一半导体层的穿透连接部分与所述第一半导体层电分离并将所述光接收表面电极与所述第二电极电连接。 第一电极和第二电极配置在与通过光电转换元件的中心的中心轴等距离的位置。
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公开(公告)号:WO2009081684A1
公开(公告)日:2009-07-02
申请号:PCT/JP2008/071521
申请日:2008-11-27
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022433 , H01L31/02245 , Y02E10/50
Abstract: 第1導電型半導体(1)の第1主面(1a)には凹部(26、27)が形成されており、第1導電型半導体(1)の第1主面(1a)、貫通孔(19)の内壁面および第1導電型半導体(1)の第2主面(1c)に形成された第2導電型半導体(3)と、第1導電型半導体(1)の第1主面(1a)の凹部(26、27)を埋めるようにして形成された受光面電極(5a、5c)と、第1導電型半導体(1)の第2主面(1c)上に形成された第1電極(2)と、貫通孔(19)の内壁面の第2導電型半導体(3)に接して貫通孔(19)の内部に形成された貫通孔電極部(9)と、第1導電型半導体(1)の第2主面(1c)の第2導電型半導体(3)上に貫通孔電極部(9)と接して形成された第2電極(7)とを備え、受光面電極(5a、5c)と第2電極(7)とが貫通孔電極部(9)によって電気的に接続されている光電変換装置(10)とその光電変換装置(10)の製造方法である。
Abstract translation: 在第一导电型半导体(1)的第一主表面(1a)上形成有凹入部分(26,27)。 光电转换装置(10)具有形成在第一导电型半导体(1)的第一主表面(1a)上的第二导电型半导体(3),通孔(19)的内壁表面, 和第一导电型半导体(1)的第二主表面(1c); 形成为嵌入第一导电型半导体(1)的第一主表面(1a)的凹部(26,27)的光接收表面电极(5a 5c) 形成在第一导电型半导体(1)的第二主表面(1c)上的第一电极(2); 在所述通孔(19)的内壁面与所述第二导电型半导体(3)接触而形成在所述通孔(19)中的通孔电极部(9)。 以及通过与所述通孔电极部(9)接触而形成在所述第一导电型半导体(1)的所述第二主面(1c)上的所述第二导电型半导体(3)上的第二电极(7)。 光接收表面电极(5a,5c)和第二电极(7)通过通孔电极部分(9)电连接。 还提供了一种制造光电转换装置(10)的方法。
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