公开(公告)号：WO2009118824A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/JP2008/055526

申请日：2008-03-25

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  山内 和久 ,  能登 一二三 ,  井上 晃 ,  濱田 倫一 ,  中山 正敏 ,  堀口 健一

Inventor： 山内 和久 ,  能登 一二三 ,  井上 晃 ,  濱田 倫一 ,  中山 正敏 ,  堀口 健一

IPC: H03F1/32 ,  H03F1/07 ,  H03F3/21 ,  H03F3/60

CPC classification number: H03F3/195 ,  H03F1/0288 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/565 ,  H03F3/601 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451

Abstract: 　トランジスタ近傍の設置スペースの確保と低インピーダンス化とを両立することのできる低歪み増幅器を得る。先端が高周波短絡用要素および低周波短絡用要素で短絡されたショートスタブを備えた低歪み増幅器であって、ショートスタブは、トランジスタのゲート端子またはドレイン端子の少なくとも一方の近傍に接続されるとともに、複数に分岐された線路で構成され、分岐されたそれぞれの線路の先端が高周波短絡用要素および低周波短絡用要素で短絡されている。

Abstract translation: 可以获得能够满足晶体管附近的设定空间的固定和低阻抗的低失真放大器。 这是一种低失真放大器，其包括其前端用高频分流元件和低频分流元件分流的短截线。 短截线连接到晶体管的栅极端子和漏极端子中的至少一个的附近，并且由多条分支线构成。 分支线的前端用高频分流元件和低频分流元件分流。

公开(公告)号：WO2006046294A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：PCT/JP2004/016033

申请日：2004-10-28

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  能登 一二三 ,  山内 和久 ,  濱松 美博 ,  濱田 倫一 ,  中山 正敏

Inventor： 能登 一二三 ,  山内 和久 ,  濱松 美博 ,  濱田 倫一 ,  中山 正敏

IPC: H03F1/32

CPC classification number: H03F1/3276 ,  H03F1/3223 ,  H03F2200/468

Abstract: 　リニアライザの利得性を、利得が減少した後に増加する谷特性にする。 　ＲＦ信号の入力端子１、入力側バイアス阻止用キャパシタ４、互いに逆極性のダイオード対８，１２、出力側バイアス阻止用キャパシタ５、およびＲＦ信号の出力端子２が順次直列接続された信号路と、入力側バイアス阻止用キャパシタ４とダイオード対８，１２との間の信号路とバイアス端子３との間に抵抗７が設けられたバイアス回路と、バイアス端子３と抵抗７との間のバイアス回路に一端が接続され他端が接地されたＲＦ短絡用キャパシタ６と、ダイオード対８，１２と出力側バイアス阻止用キャパシタ５との間の信号路に一端が接続され他端が接地されたＤＣフィード用インダクタ１１とを備えた。

Abstract translation: 具有V形增益特性的线性化器，其中增益减小然后增加。 线性化装置包括：信号路径，包括RF信号输入端（1），输入侧偏置阻塞电容（4），反向极性的一对二极管（8,12），输出侧偏置阻塞电容（5） 和串联连接的RF信号输出端子（2）; 偏置电路，其在偏置端子（3）和输入侧偏置阻塞电容器（4）与所述一对二极管（8,12）之间的信号路径之间设置有电阻器（7）。 RF短路电容器（6），其一端连接到偏置端子（3）和电阻器（7）之间的偏置电路，另一端接地; 和一个直流馈电电感（11），其一端连接在一对二极管（8,12）和输出侧偏压电容器（5）之间的信号通路，另一端接地。