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公开(公告)号：WO2012146011A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/CN2011/081423
申请日：2011-10-27
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 何钢 , 陈化璋 , 崔晓俊
IPC: H03F3/21
CPC classification number: H03F3/24 , H03F1/0288 , H03F3/195 , H03F2200/432
Abstract: 本发明公开了一种功率放大管以及功率放大方法，本功率放大管高电子迁移率晶体管（HEMT）功放管芯和横向扩散金属氧化物半导体场效应管（LDMOS）功放管芯，所述HEMT功放管芯和所述LDMOS功放管芯集成在同一封装中。本发明应设置为Doherty放大器，采用突破性的全新功放管芯组合方式设计功率管，与现有的全部采用LDMOS的功放管芯的Doherty放大器相比，可在保证功率放大管的小体积基础上实现高效率的功率放大。
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公开(公告)号：WO2012146010A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/CN2011/081418
申请日：2011-10-27
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 段斌 , 崔晓俊 , 陈化璋 , 刘建利
IPC: H03F1/07
CPC classification number: H03F3/68 , H03F1/0288 , H03F3/602 , H03F3/604 , H03F2200/405
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公开(公告)号：WO2012146007A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/CN2011/081398
申请日：2011-10-27
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 陈化璋 , 刘建利 , 崔晓俊
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F1/0277 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/405 , H03F2203/7215 , H03F2203/7231
Abstract: 本发明公开了一种多合体功率放大器及其实现方法，多合体功率放大器包括载波功放电路和峰值功放电路，峰值功放电路中设置有用于控制峰值功放电路中峰值功放导通的射频开关；载波功放电路中的部分或全部载波功放是采用GaN器件，峰值放大电路的部分或全部峰值功放是采用LDMOS器件。本发明避免了Doherty功放中峰值支路提前导通的缺点，降低了峰值功放的功耗；同时由于Doherty功放中载波功放的功耗占绝大部分，本发明中载波功放使用GaN器件，效率远高于LDMOS器件，因此整个功放的效率得到大幅度的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2012146017A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/CN2011/081494
申请日：2011-10-28
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 崔晓俊 , 陈化璋 , 刘建利 , 安晋元
IPC: H03F1/07
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0288 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/602 , H03F2200/405 , H03F2200/408
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公开(公告)号：WO2012146015A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/CN2011/081480
申请日：2011-10-28
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 崔晓俊 , 陈化璋 , 刘建利
IPC: H03F1/07
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0288 , H03F3/245 , H03F3/602 , H03F2200/405 , H03F2200/408
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公开(公告)号：WO2012146013A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/CN2011/081428
申请日：2011-10-27
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 陈化璋 , 刘建利 , 崔晓俊 , 段斌
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0277 , H03F1/0288 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/405 , H03F2200/507 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H03F2203/21196 , H03F2203/7206 , H03F2203/7236
Abstract: 本发明公开了一种多合体功率放大器及其实现方法，Doherty功率放大器的峰值放大电路中包括射频开关电路，射频开关电路用于控制峰值放大电路的导通；其中，功率放大器的载波放大电路的末级载波放大器是采用HVHBT器件，功率放大器的峰值放大电路的末级峰值放大器是采用GaN器件。本发明避免了Doherty功放中峰值支路提前导通的缺点，降低了峰值放大器的功耗，提高了整个Doherty功放的批量效率。
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公开(公告)号：WO2012146009A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/CN2011/081412
申请日：2011-10-27
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 崔晓俊 , 陈化璋 , 段斌 , 刘建利
CPC classification number: H03F3/68 , H03F1/0288 , H03F3/195 , H03F3/245
Abstract: 本发明公开了一种多赫蒂功放装置及功率放大方法，本装置包括辅助功放装置和主功放装置，所述辅助功放装置用于采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件进行信号功率放大；所述主功放装置用于采用高电子迁移率晶体管（HEMT）器件进行信号功率放大。本发明采用HEMT器件作为主功放。采用本发明，与现有的主功放和辅助功放均采用LDMOS的Doherty功放相比，可提升Doherty功放中主功放的功放效率从而使整个Doherty功放的功放效率得到大幅提升。
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公开(公告)号：WO2012146014A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/CN2011/081438
申请日：2011-10-27
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 陈化璋 , 崔晓俊 , 刘建利 , 安晋元
IPC: H03F1/07
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0288 , H03F3/245 , H03F3/602 , H03F2200/405 , H03F2200/408
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