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公开(公告)号:WO2006098150A1
公开(公告)日:2006-09-21
申请号:PCT/JP2006/303835
申请日:2006-03-01
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本発明は、キャリア3と、ガイドリング4と、ドレスリング5を保持するとともに回転可能であり、内側に空間部8が形成された逆椀状のヘッド本体2とを有し、ヘッド本体の下縁部に、ドレスリングと、ガイドリング及びキャリアの少なくとも一方をダイヤフラム6を介して連結して保持するとともにヘッド本体の空間部が密閉されており、研磨の際、密閉された空間部の圧力を、該空間部に連結された圧力調整機構9で調整することにより、ダイヤフラムを弾性変形させて、キャリアに保持されたウエーハWとドレスリングを定盤12上の研磨布11に対して回転しながら所定の押圧力で押し付けて研磨することができる研磨ヘッド1である。これにより、半導体ウエーハの外周部における過研磨を防ぐとともに、エッジ部の圧痕やキズを効果的に防ぐことができる研磨ヘッド等が提供される。
Abstract translation: 抛光头(1)设置有倒碗形头主体(2)。 头主体保持托架(3),导向环(4)和礼服环(5),其可旋转并具有形成在内部的空间部分(8)。 在头主体的下端部,通过与隔膜连接,连接环,引导环和承载环中的至少一个通过隔膜(6)保持,并且头主体的空间部 密封。 在研磨时,通过与空间部连接的压力调整机构(9)来调节密闭空间部内的压力,使得隔膜弹性变形,并且通过按压晶片(W)进行研磨, 在转动晶片和连衣裙的同时,通过承载件将礼服环和规定的按压力连接到压板(12)上的抛光布(11)上。 因此,提供了防止半导体晶片的外周部被过度抛光并且有效地防止边缘部分上的压痕和划痕的抛光头等。
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公开(公告)号:WO2007026556A1
公开(公告)日:2007-03-08
申请号:PCT/JP2006/316301
申请日:2006-08-21
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/345
Abstract: 本発明は、半導体ウエーハの表面に対して複数段の研磨を施して鏡面化するための研磨システムであって、少なくとも、前記ウエーハの表面を粗研磨するための粗研磨用の研磨装置10と、該粗研磨用の研磨装置とは別に、前記粗研磨をした後のウエーハの表面を鏡面化するための仕上げ研磨用の研磨装置20を備えることを特徴とする半導体ウエーハの鏡面研磨システム1である。これにより、ヘイズやパーティクルが低減された高品質の鏡面ウエーハを、低コストで、かつ、高い生産性で製造することができる半導体ウエーハの鏡面研磨方法及び鏡面研磨システムが提供される。
Abstract translation: 一种通过对半导体晶片的表面施加多级抛光来对半导体晶片进行镜面抛光的方法和系统。 用于对半导体晶片进行镜面抛光的系统(1)的特征在于至少包括用于粗抛光晶片表面的粗抛光装置(10)和用于对所述晶片的表面进行镜面抛光的抛光装置(20) 粗糙抛光后的晶片与粗抛光装置分开形成。 结果,可以以低成本和高生产率制造雾度和颗粒减少的高品质镜面抛光晶片。
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