公开(公告)号：WO2023017712A1

公开(公告)日：2023-02-16

申请号：PCT/JP2022/027993

申请日：2022-07-19

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 萩本　和徳 ,  久保埜　一平

IPC分类号： C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L29/201

摘要： 本発明は、複数の層が積層された複合基板、該複合基板上に積層された、中央部の平坦面と、該平坦面の周囲に側面とを有する酸化シリコン層又はＴＥＯＳ層、該酸化シリコン層又はＴＥＯＳ層上に積層された単結晶シリコン層、及び該単結晶シリコン層上に成膜された窒化物半導体薄膜を含むものである窒化物半導体基板であって、前記酸化シリコン層又はＴＥＯＳ層の中央部の平坦面の全体が、前記単結晶シリコン層で覆われたものであることを特徴とする窒化物半導体基板である。これにより、エピタキシャル成長後の鏡面エッジ表面に曇りのない、したがって、発塵や反応痕がなくプロセス中の不良の少ない窒化物半導体基板及びその製造方法が提供される。

公开(公告)号：WO2023286518A1

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：PCT/JP2022/024137

申请日：2022-06-16

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 大西　理

IPC分类号： G01N21/956 ,  H01L21/66

摘要： 本発明は、ウェーハ裏面のＨＬＭ周辺に発生するデブリを外観検査装置による画像から判定する方法であって、画像の輝度データを行列データに置き換え、ＨＬＭの印字領域を抽出し、輝度の最小二乗面を求め、印字領域から最小二乗面を引き規格化行列データを求め、その０未満の行列値に０を代入して凸側行列データを求め、規格化行列データの符号を反転し、ドットとノイズを表す行列値に０を代入して凹側行列データを求め、凸側・凹側行列データから合成行列データを求め、合成行列データを処理してローパス行列データを求め、ローパス行列データから所定の閾値によりデブリを判定し、デブリの面積比率を求めて印字領域におけるデブリの有無を判定することを含むデブリ判定方法である。これにより、形状測定機では検出できないデブリを確実に検出してデブリの有無を判定することができるデブリ判定方法が提供される。

公开(公告)号：WO2022259894A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/JP2022/021848

申请日：2022-05-30

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 萩本　和徳 ,  後藤　正三郎

IPC分类号： H01L21/66 ,  B23K26/00

摘要： 本発明は、単結晶シリコン基板上に少なくともＧａＮ層を含む窒化物半導体層をエピタキシャル成長させた窒化物半導体基板の欠陥部分にレーザーを用いてレーザーマークを施すウェーハのマーキング方法であって、前記欠陥部分にＧａＮのバンドギャップエネルギーに相当する波長である３６５ｎｍの±１０％以内の波長のレーザーを照射することで、前記ＧａＮ層の表面と前記単結晶シリコン基板表面に同時にマーキングを行うウェーハマーキング方法である。これにより、単結晶シリコン基板上に少なくともＧａＮ層を含む窒化物半導体層をエピタキシャル成長させた窒化物半導体基板における欠陥部分に対してレーザーマーキングする際に、ＧａＮ層表面及び単結晶シリコン基板表面に同時にマーキングすることができるレーザーマーキング方法が提供される。

公开(公告)号：WO2022224583A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：PCT/JP2022/007440

申请日：2022-02-24

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 五十嵐　健作

IPC分类号： B08B1/00 ,  B08B1/04 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  B08B5/02 ,  H01L21/304

摘要： 本発明の第１態様は、研磨工程に供されたウェーハの洗浄方法であって、前記研磨工程後、前記ウェーハをオゾン水によって処理するオゾン水処理工程と、前記オゾン水処理工程後、前記ウェーハをフッ素樹脂系ブラシを用いてブラシ洗浄するブラシ洗浄工程と、を含み、前記ブラシ洗浄工程は、ＨＦ及び電解質を含んだ溶液を用いて前記ウェーハをブラシ洗浄する第１ブラシ洗浄処理と、前記第１ブラシ洗浄処理後、オゾン水を用いて前記ウェーハをブラシ洗浄する第２ブラシ洗浄処理とを含むことを特徴とするウェーハの洗浄方法である。これにより、洗浄後のウェーハ上の欠陥数を低減できるウェーハの洗浄方法を提供できる。

公开(公告)号：WO2022196127A1

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：PCT/JP2022/003324

申请日：2022-01-28

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 高野　清隆 ,  鎌田　洋之

IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

摘要： 本発明は、中心軸を有する引上げ炉と、コイルを有する磁場発生装置を備え、溶融半導体原料に水平磁場を印加する単結晶引上げ装置であって、コイルは鞍型で、対向配置された鞍型コイルの対が２組設けられ、２組のコイルの対における２本のコイル軸は同じ水平面内に含まれ、水平面内において、引上げ炉の中心軸の磁力線方向をＸ軸、Ｘ軸と垂直な方向をＹ軸としたときに、２本のコイル軸間のＸ軸を挟む中心角度αが９０度以下、隣り合うコイル同士間のＹ軸を挟むコイル間角度βが２０度以下である単結晶引上げ装置である。これにより、磁場発生効率を高めることでコイル高さを減らすことが可能であり、半導体原料の融液面近くまで磁場中心を上げることができ、従来よりもさらに酸素濃度の低い単結晶を得ることができるとともに、より高速で無欠陥結晶を引上げることも可能な単結晶引上げ装置、及び単結晶引上げ方法が提供される。

公开(公告)号：WO2022181163A1

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：PCT/JP2022/002747

申请日：2022-01-26

申请人： 信越半導体株式会社 ,  信越化学工業株式会社

发明人： 土屋　慶太郎 ,  曲　偉峰 ,  久保田　芳宏 ,  永田　和寿

IPC分类号： C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/06 ,  C23C16/34

摘要： 本発明は、窒化物セラミックスからなるコアが封止層で封入されている耐熱性支持基板と、該耐熱性支持基板の上に設けられた平坦化層と、該平坦化層上に設けられた、炭素濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のシリコン単結晶層と、該シリコン単結晶層上に設けられた、厚みが４～２０００ｎｍの炭化ケイ素を主成分とする炭化層と、該炭化層上に設けられた窒化物半導体層を備えたものである窒化物半導体基板である。これにより、高品質の窒化物半導体基板（特に高周波スイッチ、パワーアンプ、パワースイッチングデバイス用のＧａＮ系高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）に適した窒化物半導体基板）とその製造方法が提供される。

公开(公告)号：WO2022181019A1

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：PCT/JP2021/047480

申请日：2021-12-22

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 佐々木　拓也

IPC分类号： B24B37/08 ,  B24B53/017 ,  H01L21/304

摘要： 本発明は、研磨布及び研磨スラリーを用いて半導体ウェーハを両面研磨する装置であって、高圧洗浄水を供給するアームに、前記研磨布をドレッシングする為の上側及び下側コンディショニングヘッドが取り付けられたドレッシング装置が付随しており、前記ドレッシング装置は、前記上側及び下側コンディショニングヘッドをそれぞれ独立した圧力で加圧することができる圧力調整機構を有するものであることを特徴とする両面研磨装置である。これにより、コンディショニングヘッドを用いたドレッシングで研磨布全体を均一な荷重でドレッシングできる両面研磨装置を提供することができる。

公开(公告)号：WO2022168573A1

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：PCT/JP2022/001274

申请日：2022-01-17

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 久保埜　一平 ,  土屋　慶太郎 ,  萩本　和徳 ,  篠宮　勝

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

摘要： 本発明は、支持基板上に絶縁層を介して単結晶シリコン層が形成された成膜用基板上に、Ｇａを含む窒化物半導体薄膜が成膜されている窒化物半導体基板であって、前記窒化物半導体薄膜の成長面である前記単結晶シリコン層の端部から内方に向けてＧａを含む前記窒化物半導体薄膜が成膜されていない領域を有するものであることを特徴とする窒化物半導体基板である。これにより、反応痕の発生が抑制された窒化物半導体基板及びその製造方法が提供される。

公开(公告)号：WO2022168572A1

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：PCT/JP2022/001273

申请日：2022-01-17

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 久保埜　一平 ,  萩本　和徳 ,  篠宮　勝

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

摘要： 本発明は、複数の層が結合された複合基板上に単結晶シリコン層が形成された成膜用基板上に、Ｇａを含む窒化物半導体薄膜が成膜されている窒化物半導体基板であって、前記窒化物半導体薄膜の成長面である前記単結晶シリコン層の端部から内方に向けてＧａを含む前記窒化物半導体薄膜が成膜されていない領域を有するものであることを特徴とする窒化物半導体基板である。これにより、反応痕の発生が抑制された窒化物半導体基板及びその製造方法が提供される。

公开(公告)号：WO2022107470A1

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：PCT/JP2021/036895

申请日：2021-10-06

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 唐木　陽一 ,  市川　進之介

IPC分类号： H01L21/673 ,  G01N21/88

摘要： 本発明は、光透過性の透明部を含み且つウェーハを収容するように構成された収容容器を検査する検査装置であって、前記収容容器の前記透明部の少なくとも一部を含む被検査部に光を照射するように配置されたフラット型照明と、前記収容容器の前記被検査部を間に挟んで前記フラット型照明と対向するように配置され、前記被検査部を撮像して前記収容容器の前記被検査部の異物及び／又は欠陥を検出するように構成されたカメラとを備えたものであることを特徴とする検査装置である。これにより、ウェーハの収容容器内部に異物や欠陥が存在しているか否かを、人による目視検査よりも確実に検査できる検査装置及び検査方法を提供することができる。