公开(公告)号：WO2005073439A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：PCT/JP2005/000839

申请日：2005-01-24

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  飯田 誠 ,  今井 利彦 ,  佐藤 勝一 ,  岩淵 美保 ,  加藤 正弘

Inventor： 飯田 誠 ,  今井 利彦 ,  佐藤 勝一 ,  岩淵 美保 ,  加藤 正弘

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/10

Abstract: 　本発明は、ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶であって、シリコン単結晶内部にＣｕ析出物が存在しないシリコン単結晶、及び前記シリコン単結晶から製造されたシリコンウェーハであって、ウェーハの表面及び内部にＣｕ析出物が存在しないシリコンウェーハ、並びにＣＺ法によるシリコン単結晶の製造装置であって、単結晶育成炉内温度が１０００°C以上の部分で使用する石英製部品のＣｕ濃度が１ｐｐｂ以下であり、且つ単結晶育成炉内温度が１０００°C未満の部分で使用する石英製部品のＣｕ濃度が１０ｐｐｂ以下であるシリコン単結晶の製造装置、及び前記製造装置を用いてシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法である。これにより、結晶欠陥が極めて少なく、高品質で高歩留まりなシリコン単結晶、シリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法が提供される。

Abstract translation: 通过CZ法生长的不存在Cu沉淀的硅单晶。 还提供了由硅单晶制造的硅晶片，其表面上和其内部的硅晶片不含Cu沉淀物。 此外，提供了一种根据CZ方法生产硅单晶的装置，其中在单晶生长炉内设置在1000℃或更高的位置处的石英部分的Cu浓度为1ppb或 在单晶生长炉内设置在1000℃以下的石英部的Cu浓度为10ppb以下。 此外，提供了通过上述制造装置生长硅单晶的硅单晶的制造方法。 因此，提供了具有晶体缺陷最小化的高品质高成本硅单晶和硅晶片，并且提供了一种生产设备及其工艺。

公开(公告)号：WO2004101867A1

公开(公告)日：2004-11-25

申请号：PCT/JP2004/004872

申请日：2004-04-02

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  吉田 知佐 ,  角田 均 ,  加藤 正弘

Inventor： 吉田 知佐 ,  角田 均 ,  加藤 正弘

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02

Abstract: 　主表面（１１）にＣＯＰ（１００）を有するシリコン単結晶基板（１）と、該シリコン単結晶基板（１）の主表面（１１）に気相成長されたシリコンエピタキシャル層（２）とを備え、前記主表面（１１）は、［１００］軸に対して（１００）面から［０１１］方向または［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜するとともに、［０１−１］方向または［０−１１］方向に角度φだけ傾斜し、かつ、前記角度θ及び前記角度φの少なくとも一方が０゜以上１５′以下であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ（Ｗ）。

Abstract translation: 一种硅外延晶片（W），其特征在于包括在主表面（11）上具有COP（100）的硅单晶衬底（1）和在主表面（11）上生长的硅外延层（2）气相， 所述硅单晶衬底（1），其中所述主表面（11）在从（100）面到[011] - 的方向上相对于所述[100]轴倾斜角度θ，或者[0- 1-1]，并且在[01-1]或[0-11]的方向上还具有角度（Phi），并且角度θ和/或角度（Phi）为0°至15'。