位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法並びに半導体素子の製造方法
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    发明申请
    位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法並びに半導体素子の製造方法 审中-公开
    相移屏蔽,相移屏蔽制造方法和半导体元件制造方法

    公开(公告)号:WO2006064679A1

    公开(公告)日:2006-06-22

    申请号:PCT/JP2005/022201

    申请日:2005-12-02

    CPC classification number: G03F1/30 G03F1/28

    Abstract: 透明基板と、この透明基板上に形成された遮光膜とを具備し、前記遮光膜には、第1の開口部と第2の開口部とが交互に形成され、前記第2の開口部から前記透明基板が所定の深さに掘り込まれて凹部が形成されており、前記第1及び第2の開口部を通過する透過光の位相が交互に反転する位相シフトマスクであって、前記遮光膜の前記第1の開口部における開口端部と第2の開口部における開口端部との間のピッチに応じて、前記透過光の位相差が設定されていることを特徴とする位相シフトマスク。

    Abstract translation: 相移掩模包括透明基板和形成在透明基板上的遮光膜。 在遮光膜上交替地形成第一开口和第二开口。 透明基板具有从第二开口预定深度的压痕。 通过第一和第二开口透射的透射光的相位交替地反转。 相移掩模的特征在于,根据第一开口的开口端和遮光膜中的第二开口的开口端之间的间距来设定透射光的相位差。

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