公开(公告)号：WO2009113585A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：PCT/JP2009/054683

申请日：2009-03-11

Applicant: 学校法人 早稲田大学 ,  西出 宏之 ,  小柳津 研一 ,  崔 源成 ,  八手又 彰彦

Inventor： 西出 宏之 ,  小柳津 研一 ,  崔 源成 ,  八手又 彰彦

IPC: H01M4/60 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/62 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/602 ,  H01M2/0222 ,  H01M2/0275 ,  H01M4/04 ,  H01M4/60 ,  H01M2004/021

Abstract: 電気化学的に可逆な酸化還元反応を示す新規のポリイミド膜を用いた電気化学素子用膜を提供する。表面粗さがＲＭＳ値で１０μｍ以上のポリアミドからなる。ポリイミドは、ポリアミド酸を脱水環化させてなるものである。ポリイミドは、ポリアミド酸に導電付与剤を分散させた後にポリアミド酸を脱水環化させてなるもの、又は、ポリイミドは、ポリアミド酸に導電付与剤を分散させて膜を形成した後にポリアミド酸を脱水環化させてなるものであってもよい。

Abstract translation: 提供一种用于电化学元件的膜，其中使用经历电化学可逆氧化/还原反应的新型聚酰亚胺膜。 该膜包含作为RMS值的表面粗糙度为至少10μm的聚酰胺。 通过使聚酰胺酸进行环化脱水获得聚酰亚胺。 在赋予导电性的试剂分散在其中之后，或通过在赋予导电性的试剂分散在其中和成膜后，通过聚酰胺酸的环化脱水，可以通过聚酰胺酸的环化脱水得到聚酰亚胺。