公开(公告)号：WO2009119012A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/JP2009/000991

申请日：2009-03-05

申请人： 日本電気株式会社 ,  芝和宏 ,  藤方潤一

发明人： 芝和宏 ,  藤方潤一

IPC分类号： H01L31/10

CPC分类号： H01L31/105 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/125 ,  H01L31/107

摘要： 　Ｓｉ導波路３０５を第１導電型Ｓｉ層３０１と真性型Ｓｉ層３０２で構成する、その一部領域に、第２導電型の光吸収層３０３を形成する。動作時には、第１導電型Ｓｉ層３０１と光吸収層３０３の間に逆バイアスを印加する。光吸収層３０３は導電型になっており、電圧を印加した場合でも空乏化せず、Ｓｉ導波路３０５を形成している真性型Ｓｉ層３０２が空乏化する。このため、CR時定数が低減できる。さらに、真性型Ｓｉ層３０２は第１導電型Ｓｉ層３０１上に連続して形成できるため、結晶欠陥を少なくできる。この結果、受光素子に生じる暗電流が抑制できる。

摘要翻译： Si波导（305）包括第一导电类型（301）的Si层和本征Si层（302），其部分区域形成有第二导电类型（303）的光吸收层。 在操作期间，在第一导电类型（301）的Si层和第二导电类型（303）的光吸收层之间施加反向偏压。 当施加电压时，上述导电类型的光吸收层（303）不被耗尽，而形成Si波导（305）的本征Si层（302）耗尽。 因此，可以减少CR时间常数。 此外，由于本征Si层（302）可以在第一导电类型（301）的Si层的顶部上连续地形成，因此可以使晶体缺陷最小化。 结果，可以抑制在光接收元件中产生的暗电流。

公开(公告)号：WO2010021073A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：PCT/JP2009/002859

申请日：2009-06-23

申请人： 日本電気株式会社 ,  岡本大典 ,  藤方潤一

发明人： 岡本大典 ,  藤方潤一

IPC分类号： H01L31/108

CPC分类号： H01L31/1085 ,  H01L31/02325

摘要： 　高速・高効率かつ入射光偏光方向に対する依存性が小さい半導体受光素子を提供する。本発明の一態様に係る半導体受光素子は、光吸収層４を含む半導体層と、半導体層上に設けられ、当該半導体層とショットキー接合を形成する、スリット状開口を有するＭＳＭ電極１と、半導体層とＭＳＭ電極１上に形成された反射防止膜２と、半導体層の下部に設けられたブラッグ反射多層膜６とを備え、ＭＳＭ電極１は、ＴＭ偏光の入射光に対して表面プラズモンを誘起することが可能な周期と、ＴＥ偏光の入射光に対して十分な透過率が得られる厚さを有する。

摘要翻译： 提供一种具有高速度，高效率且对入射光的偏振方向几乎不依赖的半导体感光体。 半导体感光体由包含光吸收层（4）的半导体层构成。 位于半导体层上的金属 - 半导体 - 金属（MSM）电极（1）与半导体层形成肖特基结，具有狭缝开口; 形成在半导体层和MSM电极（1）上的防反射膜（2）; 以及设置在半导体层的下部的布拉格反射体多层膜（6）。 MSM电极（1）具有可以诱导横向（TM）偏振入射光的表面等离子体的时间和可以获得横向电（TE）偏振入射光的令人满意的透射率的厚度。