Abstract:
본 발명은 우수한 수분산성 및 안정성을 갖는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐은 표면 개질되어 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 표면 개질된 고분자 캡슐; 및 표면 개질된 고분자 캡슐의 표면에 로딩된 전이금속 입자;를 포함한다. 또한,본 발명에 따른 제조방법은 a) 고분자 캡슐을 제조하는 단계; b)고분자 캡슐을 표면 개질하여, 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 고분자 캡슐을 제조하는 단계;및 c) b)단계에서 수득되는 표면 개질된 고분자 캡슐의 수분산액에 수용성 전이금속 전구체 및 환원제를 순차적으로 투입하는 단계;를 포함한다.