박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:WO2023075451A1

    公开(公告)日:2023-05-04

    申请号:PCT/KR2022/016579

    申请日:2022-10-27

    Abstract: 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판은 기판, 상기 기판 위의 반도체층, 그리고 상기 반도체층 위의 게이트 전극을 포함하고, 상기 반도체층은 채널 영역, 상기 채널 영역 양쪽에 위치하는 도전 영역, 그리고 가장자리부를 포함하고, 상기 가장자리부는 상기 도전 영역의 가장자리에 위치하고, 상기 가장자리부는 상기 채널 영역 및 상기 도전 영역에 비해 높은 농도의 탄소가 도핑되어 있다.

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