-
公开(公告)号:WO2015060643A1
公开(公告)日:2015-04-30
申请号:PCT/KR2014/009956
申请日:2014-10-22
Applicant: 삼성전자 주식회사
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H04N5/378
Abstract: 포토 다이오드를 앰플리파이어(amplifier)를 구현하는 MOS 회로와 함께 동일한 기판 위에 집적시키는 경우에 발생할 수 있는 문턱 전압 변화에 따른 MOS의 특성 열화를 보상하는 이미지 센서 및 이미지 센서를 구동하는 방법을 개시한다.
Abstract translation: 公开了一种用于驱动图像传感器的方法,该图像传感器根据当将光电二极管与实现放大器的MOS电路集成在同一基板中时产生的阈值电压变化来补偿MOS特性的劣化。
-
公开(公告)号:WO2015030518A1
公开(公告)日:2015-03-05
申请号:PCT/KR2014/008062
申请日:2014-08-29
Applicant: 삼성전자 주식회사
CPC classification number: G02F1/0102 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , G02B6/12007 , G02B2006/12142 , G02F1/0018 , G02F1/0045 , G02F1/011 , H01Q5/22 , H01Q13/103 , H01Q13/18 , H01Q13/28
Abstract: 가변 물질층을 포함하는 광학 나노 안테나와 그 제조 및 동작방법이 개시되어 있다. 개시된 광학 나노 안테나는 기판 상에 순차적으로 적층된 복수의 물질층들을 포함하고, 상기 복수의 물질층들은 적어도 하나의 가변 물질층과 적어도 하나의 슬롯을 포함한다. 상기 기판 상에 제1 가변 물질층과 금속층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 금속층에 제1 슬롯이 형성될 수 있다. 상기 기판 상에 금속층과 제1 가변 물질층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 금속층에 제1 슬롯이 형성될 수도 있다. 상기 기판 상에 제1 가변 물질층, 금속층 및 제2 가변 물질층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 금속층에 제1 슬롯이 형성될 수 있다. 상기 금속층에 상기 제1 슬롯에 경사진 제2 슬롯이 존재할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种包括可变材料层的光学纳米天线及其制造和操作方法。 所公开的光学纳米天线包括顺序地堆叠在基板上的多个材料层,所述多个材料层包括至少一个可变材料层和至少一个槽。 第一可变材料层和金属层依次层叠在基板上,并且可以在金属层中形成第一槽。 金属层和第一可变材料层依次层叠在基板上,并且可以在金属层中形成第一槽。 第一可变材料层,金属层和第二可变材料层依次层叠在基板上,并且可以在金属层中形成第一槽。 在金属层中可能存在向第一槽倾斜的第二槽。
-