公开(公告)号：WO2015016399A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/KR2013/006811

申请日：2013-07-30

申请人： 서울대학교산학협력단

发明人： 홍국선 ,  신성식 ,  석재호 ,  김동회 ,  김주성 ,  박익재 ,  이찬우 ,  성원모 ,  조인선 ,  김동욱

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01G9/2027 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542

摘要： Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO 3 : M (여기서, M은 BaSnO 3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO 3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.

摘要翻译： 公开了一种包括新型Ba-Sn-O基多组分氧化物半导体膜的光电极。 本发明提供了一种染料敏化太阳能电池光电极，包括：导电透明基板; 以及在该基板上形成的多成分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以由BaSnO 3：M表示（这里，M是在BaSnO 3中掺杂的金属，并且包含选自Sr，Ca，Mg，Zn，Pb，Ti，Mn，Sb，K， In，Zr，Te，Fe，Y，Sm，Sc，Co，La和Rh）。 根据本发明，可以提供通过提高BaSnO 3半导体氧化膜的光电能转换效率来制造高效太阳能电池的光电极。

公开(公告)号：WO2022035020A1

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：PCT/KR2021/005845

申请日：2021-05-11

申请人： 서울대학교산학협력단

发明人： 김진영 ,  지수근 ,  박익재 ,  안유진

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0216

摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 와이드 밴드갭을 가지는 페로브스카이트 박막의 제조방법은 ABX3 구조의 페로브스카이트 물질으로 박막을 제조하되, X site는 순수한 요오드가 되도록 하여 할라이드 분리 문제를 원천적으로 방지하면서, 1.6 eV를 초과하는 와이드 밴드갭을 A site의 일부를 세슘을 조성으로 한다. 이때, 이온크기가 큰 양이온을 A site의 다른 일부로 함으로써 세슘의 작은 이온크기로 인해 상온에서 제조된 페로브스카이트 박막을 이용한 소자의 안정성 및 성능이 떨어지는 문제를 해결하였다. 특히, 제조과정에서 페로브스카이트 물질의 전구체 조성물에 첨가제로 1가 양이온과 염소의 화합물(예를 들어, MACl(Methylammonium chloride))을 첨가함으로써 제조 과정 중 안티솔밴트를 처리한 직후 생성되는 세슘-리치한 페로브스카이트의 tolerance factor를 ~0.9 수준으로 증가시킴으로써 이 후 열처리 과정에서 석출되는 세슘-결핍(decifit)한 용질의 tolerance factor(~1.0)와의 차이를 줄여 이차상으로 생성되는 것을 방지할 수 있다.