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公开(公告)号：WO2021125412A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：PCT/KR2019/018289
申请日：2019-12-23
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 결점이 제어된 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 물질, 이를 포함하는 파장 변환체 및 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 페로브스카이트 결정 내부에 포함된 중형의 1가 유기 양이온(A2)은 엔트로피적 효과로 인해 페로브스카이트 결정을 안정화시키고 결정 내부의 결점의 생성을 억제할 수 있으며, 페로브스카이트 결정 내부에 포함되지 못한 과량의 A2 양이온은 페로브스카이트 나노결정입자를 둘러싸는 형태의 구조를 형성하여 페로브스카이트 나노결정입자의 표면에서 생성되는 결점을 페시베이션함으로써, 광발광 양자효율, 발광 수명 및 안정성을 향상시키므로, 발광 소자의 발광층 또는 파장변환층에 유용하게 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020184825A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/KR2019/018760
申请日：2019-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 상기 발광층은 제1 발광물질층과 제2 발광물질층이 교대로 배치되어 두 층 이상의 적층구조를 갖는 발광층을 포함하는 발광 소자에 관한 것으로, 상기 발광물질층은 페로브스카이트층 또는 유기물층으로, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제2 발광물질층은 서로 다른 밴드갭(band gap)을 갖는 것을 특징으로 한다. 제1 발광물질층과 제2 발광물질층을 교대로 배치하여 적층구조를 가짐으로써, 에너지 준위를 제어함으로써 발광 소자의 전자-정공 재조합 구역을 조절하여 전기발광 효율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다. 또한, 제1 발광물질층과 제2 발광물질층의 에너지 준위를 제어함으로써 백색 발광소자를 제작할수 있다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：WO2021020695A2
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：PCT/KR2020/005608
申请日：2020-04-28
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는, 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 비페로브스카이트계 양자점 또는 비페로브스카이트계 형광체를 동시에 포함하는 하이브리드 파장변환체 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 하이브리드 파장변환체는 분산매질 내에 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 비페로브스카이트계 양자점 또는 비페로브스카이트계 형광체를 동시에 포함함으로써 단일 여기광에 의해서 적색광과 녹색광으로 동시에 파장 변환이 가능하고, 기존의 양자점 파장변환체에 비해 낮은 카드뮴 함량으로도 발광 파장대의 변화 없이 광학적으로 안정하고 색순도 및 발광성능이 향상될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020213814A1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：PCT/KR2019/018761
申请日：2019-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 페로브스카이트 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 페로브스카이트 박막 상에 패시베이션 층을 형성하여 상기 페로브스카이트 박막의 결함을 감소시킨 페로브스카이트 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 페로브스카이트 발광 소자 내의 패시베이션 층은 페로브스카이트 박막의 상부에 형성되어 페로브스카이트 나노결정입자의 결함을 제거해 주고 소자 내에서의 전하 불균형을 해소함으로써, 페로브스카이트 박막을 포함하는 발광 소자의 최대 효율 및 최대 휘도를 향상시킨다.
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