公开(公告)号：WO2021112648A1

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：PCT/KR2020/017767

申请日：2020-12-07

Applicant: 웨이브로드 주식회사

Inventor： 장태진

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/40 ,  H01L33/26 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L33/42 ,  H01L33/38 ,  H01L33/60

Abstract: 본 개시는 제1 반도체 영역, 활성 영역, 제2 반도체 영역이 순차로 형성된 성장 기판을 제공하는 단계; 제2 반도체 영역 측에 제1 투광성 기판을 본딩하는 단계; 성장 기판을 제1 반도체 영역 측으로부터 제거하는 단계; 성장 기판이 제거된 제1 반도체 영역 측에 접착층을 이용하여 제2 투광성 기판을 부착하는 단계; 제1 투광성 기판을 제2 반도체 영역 측으로부터 레이저 어블레이션하는 단계; 제1 반도체 영역의 일부를 노출하는 단계; 그리고, 노출된 제1 반도체 영역과 제2 반도체 영역 각각의 위에 플립칩의 제1 전극과 플립칩의 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법(METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE)에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2021201580A1

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：PCT/KR2021/003961

申请日：2021-03-31

Applicant: 웨이브로드 주식회사

Inventor： 장태진

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L21/02

Abstract: 본 개시는 3족 질화물 반도체 소자를 제조하는 방법(METHOD OF MANUFACTURING A III-NITRIDE SEMICONDUCTER DEVICE)에 있어서, 성장 기판에 채널층과 배리어층을 구비하는 3족 질화물 반도체 구조를 성장시키는 단계; 성장 기판에 대향하는 3족 질화물 반도체 구조 측에 금속 접합층을 통해 임시 기판을 부착하는 단계; 성장 기판을 제거하는 단계; 성장 기판이 제거된 측의 3족 질화물 반도체 구조에 방열 기판을 결합하는 단계; 그리고, 임시 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 3족 질화물 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.