公开(公告)号：WO2017171232A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：PCT/KR2017/001622

申请日：2017-02-15

Applicant: 주식회사 엘지실트론

Inventor： 이재형 ,  박상수 ,  홍세준

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C30B15/20

Abstract: 실시 예의 단결정 실리콘 웨이퍼 분석 방법은 분석 대상이 되는 단결정 실리콘 웨이퍼를 열처리하는 단계와, 열처리된 단결정 실리콘 웨이퍼에 포함된 산소 석출핵 밀도의 온도별 누적 분포를 구하는 단계와, 누적 분포를 이용하여, 산소 석출핵의 생성 속도가 최대가 되는 특성 온도를 구하는 단계 및 특성 온도를 이용하여 단결정 실리콘 웨이퍼에 포함된 점결함의 종류를 식별하는 단계를 포함한다.

Abstract translation:

实施例的单晶硅晶片的分析方法，包括以下步骤热处理的单晶硅晶片在其上的分析物，并且由包含在经热处理的单晶硅晶片阶段中的核密度的累积分布获得的氧析出温度和 利用该累积分布求出氧析出核的生成速度成为最大的特征温度，使用该特征温度来确定单晶硅晶片中包含的点缺陷的种类。