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公开(公告)号：WO2021187907A1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：PCT/KR2021/003342
申请日：2021-03-18
申请人： 주식회사 엘지화학
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/052 , H01M4/02
摘要： 본 발명은 평균 입경이 큰 대입경 입자인 제1 양극 활물질 및 평균 입경이 작은 소입경 입자인 제2 양극 활물질을 포함하며, 상기 제1 양극 활물질 및 상기 제2 양극 활물질은 각각 독립적으로 전이금속 중 니켈의 몰 비율이 80몰% 이상인 리튬 전이금속 산화물이고, 하기 식 (1)을 만족하는 양극재에 관한 것이다. 식 (1): 0
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公开(公告)号：WO2016080627A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/KR2015/007200
申请日：2015-07-10
申请人： 주식회사 엘지화학
IPC分类号： G03F7/34
CPC分类号： G03F7/34
摘要： 본 발명은， 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크, 표면에 포토레지스트가 형성된 기판을 이동시키는 기판 이동구， 상기 기판 이동구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 분사하는 스트리퍼 분사구 및 상기 저장 탱크에서 상기 스트리퍼 분사구로 포토레지스트 제거용 스트리퍼를 이송하는 스트리퍼 전달구를 포함하는 박리부; 상기 박리부의 상부에 위치하고， 상기 박리부에서 증발된 물질을 냉각하는 냉각장치; 및 상기 냉각 장치에서 냉각된 물질을 포토레지스트 제거용 스트리퍼 저장 탱크 또는 박리부로 이송하는 반송구；를 포함하는 포토레지스트 박리 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것이다.
摘要翻译： 本发明涉及光致抗蚀剂剥离装置和使用其的光致抗蚀剂剥离方法，光致抗蚀剂剥离装置包括：剥离部分，其包括用于除去光致抗蚀剂的剥离器储存罐;基板移动装置，其用形成在表面上的光刻胶移动基板 一种汽提器注入装置，其向衬底移动装置中注入用于除去光致抗蚀剂的汽提器;以及汽提器传送装置，其将用于将光致抗蚀剂从储罐移除到汽提器喷射装置的汽提器; 冷却装置，其冷却在汽提部分中蒸发的材料; 以及转移装置，其将由冷却装置冷却的材料转移到用于除去光致抗蚀剂或剥离部分的剥离器储存罐。
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公开(公告)号：WO2016027986A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/KR2015/007199
申请日：2015-07-10
申请人： 주식회사 엘지화학
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/42
摘要： 본 발명은， 1종 이상의 아민 화합물 40 중량 % 내지 75 중량 %， 알킬렌글리콜 화합물 20 중량 % 내지 55 중량 % 및 첨가제 1 중량 % 내지 10 중량 %를 포함한 재생 용액을 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 정제액과 접촉시키는 단계;를 포함하는， 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 재생 방법에 관한 것이다.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于剥离光致抗蚀剂废水的再生方法，该方法包括一种用于将用于光致抗蚀剂的汽提废水的净化流体与包含40-75重量％的一种或多种胺化合物的再生溶液接触的步骤 ，20-55重量％的亚烷基二醇化合物和1-10重量％的添加剂。
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公开(公告)号：WO2016027985A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/KR2015/007198
申请日：2015-07-10
申请人： 주식회사 엘지화학
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/42
摘要： 본 발명은, 1종 이상의 아민 화합물; 탄소수 1 내지 5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기가 질소에 1내지 2치환된 아마이드계 화합물; 극성 유기 용매; 특정의 트리아졸계 화합물; 및 벤즈이미다졸계 화합물을 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법에 관한 것이다.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于除去光致抗蚀剂的剥离组合物，以及用于剥离光致抗蚀剂的方法，所述剥离组合物包含：一种或多种胺化合物; 具有1至2个具有1至5个碳原子的直链或支链烷基的氮取代的酰胺基化合物; 极性有机溶剂; 特定的三唑类化合物; 和苯并咪唑类化合物。
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公开(公告)号：WO2022240129A1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：PCT/KR2022/006638
申请日：2022-05-10
申请人： 주식회사 엘지화학
摘要： 본 발명은 초기 충방전 효율, 수명 특성 및 열안정성이 우수한 리튬 이차전지를 구현할 수 있는 양극 활물질 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 양극 활물질은 전체 전이금속 중 Ni의 몰 비율이 80몰% 이상인 리튬 전이금속 산화물을 포함하는 코어부; 및 상기 코어부의 상부에 형성되고, 전체 전이금속 중 Mn의 몰 비율이 30몰% 이상인 리튬 전이금속 산화물을 포함하는 층상 구조의 쉘부;를 포함하며, 본 명세서에 기재된 식 1을 만족한다.
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公开(公告)号：WO2022019726A1
公开(公告)日：2022-01-27
申请号：PCT/KR2021/009609
申请日：2021-07-26
申请人： 주식회사 엘지화학
摘要： 본 발명은, 양극 활물질 전구체의 입자의 중심부에 형성되고, 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 조성을 갖는 제1 영역; 및 상기 제1 영역의 상부에 형성되고, 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 조성을 갖는 제2 영역을 포함하는 양극 활물질 전구체 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2021194212A1
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：PCT/KR2021/003563
申请日：2021-03-23
申请人： 주식회사 엘지화학
摘要： 본 발명은 양극 활물질 제조 시 입자의 수축이 발생하여 입자 강도 및 에너지 밀도를 개선할 수 있는 발명으로, (A) 1차 입자들이 랜덤하게 응집된 코어부; 및 상기 코어부를 둘러싸고 입자 중심에서 외부 방향으로 배향된 1차 입자들로 형성되는 쉘부;를 포함하고, 상기 쉘부를 형성하는 1차 입자의 (001)면에서의 결정립 크기에 대한 (100)면에서의 결정립 크기의 비가 3 이상인 양극 활물질용 전구체를 준비하는 단계; 및 (B) 상기 양극 활물질용 전구체를 리튬 함유 원료 물질과 혼합하고 소성하여 리튬 전이 금속 산화물을 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 리튬 전이 금속 산화물의 평균 입경(D50)이 상기 양극 활물질용 전구체의 평균 입경(D50)에 비하여 0.01% 내지 20% 수축된 것인 양극 활물질의 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2014137173A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/KR2014/001850
申请日：2014-03-06
申请人： 주식회사 엘지화학
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 본 발명은 생식 독성을 나타내는 N-메틸포름아미드 또는 N,N'-디메틸카복스아미드 등을 포함하지 않으면서도, 우수한 박리력 및 린스력을 나타낼 수 있고, 경시적 물성 저하를 최소화할 수 있는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법에 관한 것이다. 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물은 1종 이상의 아민 화합물; N, N'-디에틸카복스아미드; 및 알킬렌글리콜 또는 알킬렌글리콜 모노알킬에테르의 양자성 유기 용매를 포함한다.
摘要翻译： 本发明涉及不含N-甲基甲酰胺，N，N'-二甲基甲酰胺等的光致抗蚀剂去除汽提剂组合物，显示出生殖毒性，但能够显示优异的汽提能力和漂洗能力，并能够最小化 物理性质随时间变化; 以及使用该组合物剥离光致抗蚀剂的方法。 光致抗蚀剂去除汽提器组合物包含：一种或多种类型的胺化合物; N，N'-二乙基甲酰胺; 和亚烷基二醇单烷基醚或亚烷基二醇的质子有机溶剂。
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公开(公告)号：WO2022240176A1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：PCT/KR2022/006725
申请日：2022-05-11
申请人： 주식회사 엘지화학
IPC分类号： H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/052 , C01G53/00 , C01G53/50
摘要： 본 발명은 고용량 및 고율 특성을 갖는 양극 활물질 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 양극 활물질은, 하기 화학식 1로 표시되는 조성을 갖는 리튬 전이금속 산화물 입자를 포함하며, 상기 리튬 전이금속 산화물 입자 표면에서의 (003) 디-스페이싱(d-spacing)이 입자 내부에서의 (003) 디-스페이싱(d-spacing)보다 크다. [화학식 1] Lia[NixCoyMnzM1w]O2 상기 화학식 1에서, 0.8≤a≤1.2, 0.6≤x
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