公开(公告)号：WO2008064151A2

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：PCT/US2007085090

申请日：2007-11-19

Applicant: D2S INC ,  HARA DAISUKE ,  MITSUHASHI TAKASHI ,  WU ZHIGANG

Inventor： HARA DAISUKE ,  MITSUHASHI TAKASHI ,  WU ZHIGANG

IPC: G06G7/48

CPC classification number: G03F7/2061 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68

Abstract: A method and system for lithography simulation is disclosed. The method and system specify a subject region of a lithography image with a CD marker, specify a threshold intensity over the lithography image, specify a gradient to a threshold value of the threshold intensity, and calculate a sensitivity or ratio of change of an image boundary of the lithography image to lithography process variation.

Abstract translation: 公开了一种用于光刻仿真的方法和系统。 该方法和系统使用CD标记指定光刻图像的主题区域，在光刻图像上指定阈值强度，指定到阈值强度的阈值的梯度，并计算图像边界的灵敏度或变化率 的光刻图像到光刻工艺的变化。

公开(公告)号：WO2008064178A3

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/US2007085137

申请日：2007-11-19

Applicant: D2S INC ,  HARA DAISUKE ,  KOMURO KATSUO ,  MITSUHASHI TAKASHI

Inventor： HARA DAISUKE ,  KOMURO KATSUO ,  MITSUHASHI TAKASHI

IPC: A61N5/00

CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0278 ,  Y10S430/143

Abstract: A method of particle beam lithography includes selecting at least two cell patterns from a stencil, correcting proximity effect by dose control and by pattern modification for the at least two cell patterns, and writing the at least cell two patterns by one shot of the particle beam after proximity effect correction (PEC).

Abstract translation: 粒子束光刻的方法包括从模板选择至少两个单元图案，通过剂量控制校正邻近效应和通过对至少两个单元图案进行图案修改，并且通过粒子束的一次拍摄将至少两个图案写入至少两个图案 经过邻近效应校正（PEC）后。