公开(公告)号：WO2022144419A1

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：PCT/EP2021/087850

申请日：2021-12-30

Applicant: LYNRED

Inventor： PERE-LAPERNE, Nicolas ,  KERLAIN, Alexandre ,  DESTEFANIS, Vincent ,  FOUGERES, Paul

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/0296

Abstract: Pour fabriquer une structure photodiode, on fournit un substrat (1) possédant une couche supérieure (2) en matériau semiconducteur dopé en cadmium. Une première couche (3) en à base de HgCdTe est formée par épitaxie en phase liquide à partir de la couche supérieure (2) avec un bain contenant un dopant électriquement actif de type n pour doper électriquement la première couche (3). Le cadmium diffuse depuis la couche supérieure (2) vers la première couche (3) pour former un gradient de concentration en cadmium décroissant depuis l'interface avec la couche supérieure (2) en s'éloignant de l'interface. Le gradient de concentration en cadmium cause un gradient de largeur de bande interdite décroissante dans la première couche (3) depuis l'interface et cause un gradient de concentration en dopant de type n dans la première couche (2) à partir de l'interface.