公开(公告)号：WO2016021860A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/KR2015/007856

申请日：2015-07-28

Applicant: 엘지실트론 주식회사

Inventor： 강종민 ,  노태식

IPC: C30B15/32 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 본 발명은 용융 실리콘에서 잉곳을 성장시키기 위한 종자 결정을 수용하는 시드 척에 있어서, 용융 실리콘의 상측으로 열이 방출되는 것을 차단하는 넥 커버; 및 넥 커버의 바닥면에 배치되고, 종자 결정을 수용하는 고정부를 포함하고, 넥 커버는 승강 케이블이 연결되는 상면과, 바닥면과, 상면과 바닥면을 연결하는 둘레면을 포함하고, 둘레면은 바닥면과 경사각을 가지며 형성되며, 넥 커버에는 용융 실리콘의 측정을 위한 측정부가 개구되어, 멜팅 공정시 넥 커버가 어퍼 단열체의 홀에 위치되는 것에 의해 어퍼 단열체의 홀을 통한 열손실을 최소화할 수 있고, 넥 커버가 용융 실리콘의 온도 측정을 방해하지 않는 것에 의해 용융 실리콘의 온도 측정을 도울 수 있고, 용융 실리콘 온도 감지의 신뢰성을 높일 수 있는 이점이 있다.

Abstract translation: 本发明涉及容纳晶种的种子夹头，以便在熔融硅中生长晶锭，其特征在于，包括：用于阻止熔融硅向上方向发热的颈盖; 以及固定部，其设置在所述颈部盖的底面上并且容纳所述晶种，其中，所述颈部盖包括：连接到提升缆索的顶面; 底面; 以及连接上表面和底面的圆周面，所述圆周面相对于所述底面形成倾斜角，并且在所述颈盖中开口测量所述熔融硅的测量部，使得所述颈盖为 定位在上绝缘体的孔上，以便在熔融步骤期间使通过上绝缘体的孔的热损失最小化，并且不干扰熔融硅的温度测量，从而有助于熔融硅的温度测量并增加 熔融硅温度检测的可靠性。

公开(公告)号：WO2014013305A8

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/IB2013001524

申请日：2013-07-15

Applicant: TOYOTA MOTOR CO LTD ,  YASHIRO NOBUYOSHI ,  KAMEI KAZUHITO ,  KUSUNOKI KAZUHIKO ,  OKADA NOBUHIRO ,  MORIGUCHI KOJI ,  DAIKOKU HIRONORI ,  SAKAMOTO HIDEMITSU ,  KADO MOTOHISA

Inventor： YASHIRO NOBUYOSHI ,  KAMEI KAZUHITO ,  KUSUNOKI KAZUHIKO ,  OKADA NOBUHIRO ,  MORIGUCHI KOJI ,  DAIKOKU HIRONORI ,  SAKAMOTO HIDEMITSU ,  KADO MOTOHISA

IPC: C30B19/04 ,  C30B15/10 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/32 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032

Abstract: An production apparatus (10) is used for a solution growth method. The production apparatus (10) includes a seed shaft (28) and a crucible (14). The seed shaft (28) has a lower end surface to which an SiC seed crystal (32) is attached. The crucible (14) contains an SiC solution (15). The crucible (14) includes a cylindrical portion (34), a bottom portion (36), and an inner lid (38). The bottom portion (36) is disposed at a lower end of the cylindrical portion (34). The inner lid (38) is disposed in the cylindrical portion (34). The inner lid (38) has a through hole (40) and is positioned below a liquid surface of the SiC solution (15) when the SiC solution (15) is contained in the crucible (14).

Abstract translation: 生产装置（10）用于溶液生长方法。 制造装置（10）包括种子轴（28）和坩埚（14）。 种子轴（28）具有附接有SiC籽晶（32）的下端面。 坩埚（14）含有SiC溶液（15）。 坩埚（14）包括圆筒部（34），底部（36）和内盖（38）。 底部（36）设置在圆筒部（34）的下端。 内盖（38）设置在圆筒部（34）内。 当坩埚（14）中包含SiC溶液（15）时，内盖（38）具有通孔（40）并且位于SiC溶液（15）的液面之下。

公开(公告)号：WO2013025024A3

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/KR2012006415

申请日：2012-08-10

Applicant: LG SILTRON INC ,  AHN JIN-WOO ,  KIM BONG-WOO ,  CHOI IL-SOO ,  KIM DO-YEON

Inventor： AHN JIN-WOO ,  KIM BONG-WOO ,  CHOI IL-SOO ,  KIM DO-YEON

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

Abstract: Provided is an ingot growing apparatus, which includes a crucible containing a silicon melt, a pulling device pulling a silicon single crystal ingot grown from the silicon melt, and a dopant supply unit disposed adjacent to the pulling device and for supplying a dopant during growing of the ingot. The neck portion may be doped at a concentration higher than that of the ingot through the dopant supply unit. Therefore, dislocation propagation velocity may be decreased and a propagation length may be shortened.

Abstract translation: 提供一种锭生长装置，其包括含有硅熔体的坩埚，拉拔从硅熔融物生长的硅单晶锭的牵引装置和与拉动装置相邻设置的掺杂剂供给部，并且在生长期间供给掺杂剂 锭。 可以通过掺杂剂供给单元将颈部的掺杂浓度高于锭的浓度。 因此，可以降低位错传播速度，并且可以缩短传播长度。

公开(公告)号：WO2012090951A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：PCT/JP2011/080107

申请日：2011-12-26

Applicant: 住友金属工業株式会社 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  亀井 一人 ,  楠 一彦 ,  矢代 将斉 ,  岡田 信宏 ,  加渡 幹尚 ,  坂元 秀光 ,  大黒 寛典

Inventor： 亀井　一人 ,  楠　一彦 ,  矢代　将斉 ,  岡田　信宏 ,  加渡　幹尚 ,  坂元　秀光 ,  大黒　寛典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 　多結晶の生成を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。チャンバ（１）内には、治具（４１）と、坩堝（６）とが格納される。坩堝（６）には、ＳｉＣ溶液（８）が収納される。治具（４１）は、シードシャフト（４１１）と蓋部材（４１２）とを備える。シードシャフト（４１１）は、昇降可能であり、下面にＳｉＣ種結晶（９）が取り付けられる。蓋部材（４１２）は、シードシャフト（４１１）の下端部に配置される。蓋部材（４１２）は、下端が開口する筐体であって、シードシャフト（４１１）の下端部が内部に配置される。ＳｉＣ単結晶を製造するとき、ＳｉＣ種結晶（９）は、ＳｉＣ溶液（８）に浸漬する。さらに、蓋部材（４１２）の下端は、ＳｉＣ溶液（８）に浸漬する。そのため、蓋部材（４１２）は、ＳｉＣ溶液（８）のうち、ＳｉＣ単結晶周辺の部分を覆い、保温する。

Abstract translation: 公开了用于制造SiC单晶并且能够抑制多晶体的产生的装置。 夹具（41）和坩埚（6）容纳在腔室（1）中。 SiC熔体（8）容纳在坩埚（6）中。 夹具（41）设置有种子轴（411）和盖构件（412）。 种子轴（411）可以升高和降低，并且SiC籽晶（9）附着到其底表面。 盖构件（412）布置在种子轴（411）的底端。 盖构件（412）是具有开口下端的框架，种子轴（411）的底端布置在所述盖构件（412）的内部。 当制造SiC单晶时，将SiC晶种（9）浸入SiC熔体（8）中。 此外，盖构件（412）的底部浸没在SiC熔体（8）中。 因此，盖构件（412）覆盖并保持SiC熔体（8）的部分周围的SiC单晶的热量。

公开(公告)号：WO2002092885A1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：PCT/US2001/015622

申请日：2001-05-15

Applicant: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.

Inventor： CHERKO, Carl, F.

IPC: C30B15/32

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B15/20

Abstract: A chuck assembly which is electrically conductive for detecting initial contact between a semiconductor seed crystal and a molten semiconductor source material for growing an ingot according to the Czochralski process. The chuck assembly holds the seed crystal and suspends the seed crystal from an elongate member. The chuck assembly includes an upper chuck body in electrical continuity with the elongate member and a lower chuck body in electrical continuity with the seed crystal. An electrically conductive element extends between conductive portions of the upper and lower chuck bodies for providing electrical continuity between the seed crystal and the elongate member to enable flow of electrical current when the seed crystal touches the melt. The conductive element is preferably a coil spring which resiliently adjusts to variations in spacing between the upper and lower chuck bodies.

Abstract translation: 一种用于检测半导体晶种和熔融半导体源材料之间的初始接触的卡盘组件，用于根据切克劳斯基工艺生长晶锭。 卡盘组件保持晶种并从细长构件悬挂晶种。 卡盘组件包括与细长构件电连续的上卡盘体和与晶种电连续的下卡盘体。 导电元件在上卡盘体和下卡盘体的导电部分之间延伸，用于在晶种和细长构件之间提供电连续性，以使晶种接触熔体时能够流动电流。 导电元件优选是螺旋弹簧，其弹性地调节上下卡盘体之间的间隔的变化。

公开(公告)号：WO1998009007A1

公开(公告)日：1998-03-05

申请号：PCT/JP1997003015

申请日：1997-08-29

Applicant: SUMITOMO SITIX CORPORATION ,  FUJIWARA, Hideki

Inventor： SUMITOMO SITIX CORPORATION

IPC: C30B15/26

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/26 ,  C30B15/30 ,  C30B15/32

Abstract: In a conventional method of pulling a large-sized single crystal, an expanded portion and a contracted portion are formed on the lower side of a neck, and the contracted portion is engaged with the single crystal, which is then pulled. During the formation of the contracted portion, the diameter thereof is reduced sharply in a usual case. Even when the diameter of this portion is controlled by using an optical measuring means, a fusion ring on the contracted portion which is hidden behind the expanded portion cannot be observed, so that it is difficult to control the diameter of the crystal. A single crystal pulling apparatus used in this method has a complicated structure and is liable to get out of order at high temperature. According to the present invention, a contracted portion is formed under the condition where the diameter thereof can be measured constantly with an optical measuring means. This method uses a single crystal pulling apparatus which is provided with a pressing means which constitutes a single crystal retaining means, and which is adapted to move a locking portion engaged with a contracted portion of the crystal from a standby position to a contracted portion engaging position.

Abstract translation: 在拉伸大尺寸单晶的常规方法中，在颈部的下侧形成扩大部分和收缩部分，并且收缩部分与单晶接合，然后将其拉出。 在形成收缩部分时，其直径在通常情况下急剧减小。 即使通过使用光学测量装置来控制该部分的直径，也不能观察到隐藏在扩展部分之后的收缩部分上的熔合环，因此难以控制晶体的直径。 在该方法中使用的单晶拉制装置具有复杂的结构，并且易于在高温下失序。 根据本发明，在可以用光学测量装置恒定地测量其直径的条件下形成收缩部分。 该方法使用单晶拉制装置，其具有构成单晶保持装置的按压装置，其适于将与晶体的收缩部分接合的锁定部分从待机位置移动到收缩部分接合位置 。

公开(公告)号：WO2016163161A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/JP2016/054653

申请日：2016-02-18

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 川崎　栄一

IPC: C30B15/32 ,  C04B35/83 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C04B35/83 ,  C30B15/007 ,  C30B29/06

Abstract: 【課題】種結晶への応力集中を防止することが可能な単結晶引き上げ用種結晶保持具並びに当該種結晶保持具を用いた安全で信頼性の高いシリコン単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】種結晶保持具１は、炭素繊維強化炭素複合材料からなり、略棒状の種結晶９の外形に合致する形状の中空部１０ｈを有する略円筒状の部材であって、少なくとも種結晶９の外周面と接触する部分の炭素繊維１０ｆの方向は周方向成分を有し、中空部１０ｈの中心軸Ｚから見て等方性を有している。

Abstract translation: [问题]提供一种用于拉出能够防止晶种中的应力集中的单晶的籽晶保持器，以及使用晶种保持器制造单晶硅的安全可靠的方法。 [解决方案]种子晶体保持器1包括碳纤维增强碳复合材料，并且是具有中空部10h的大致圆筒形的构件，其具有与基本上棒状的晶种9的外部形状相匹配的形状。 至少与晶种9的周面接触的部分的碳纤维10f具有圆周方向分量。 籽晶保持器1从中空部10h的中心轴线Z是各向同性的。

公开(公告)号：WO2014013698A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/JP2013/004259

申请日：2013-07-10

Applicant: 新日鐵住金株式会社 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 岡田　信宏 ,  亀井　一人 ,  楠　一彦 ,  矢代　将斉 ,  森口　晃治 ,  大黒　寛典 ,  加渡　幹尚 ,  坂元　秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B9/06 ,  C30B15/30 ,  C30B19/068 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032

Abstract: ＳｉＣ単結晶の製造装置（１０）は、溶液成長法に用いられる。ＳｉＣ単結晶の製造装置（１０）は、シードシャフト（２８）と、坩堝（１４）とを備える。シードシャフト（２８）は、ＳｉＣ種結晶（３２）が取り付けられる下端面（２８Ｓ）を有する。坩堝（１４）は、Ｓｉ－Ｃ溶液（１５）を収容する。シードシャフト（２８）は、筒部（２８Ａ）と、底部（２８Ｂ）と、低熱伝導性部材（２８Ｃ）とを備える。底部（２８Ｂ）は、筒部（２８Ａ）の下端に配置され、下端面（２８Ｓ）を有する。低熱伝導性部材（２８Ｃ）は、底部（２８Ｂ）の上面に配置され、底部（２８Ｂ）の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する。この製造装置により、ＳｉＣ種結晶の結晶成長面内の温度をばらつき難くすることができる。

Abstract translation: 用于制造SiC单晶的装置（10）用于溶液生长法。 用于制造SiC单晶的该装置（10）设置有种子轴（28）和坩埚（14）。 种子轴（28）具有附接有SiC籽晶（32）的下端面（28S）。 坩埚（14）保持Si-C溶液（15）。 种子轴（28）设置有圆筒部（28A），底部（28B）和低导热构件（28C）。 底部（28B）位于气缸部分（28A）的下端，并具有下端面（28S）。 低导热构件（28C）布置在底部（28B）的上表面上，并且具有低于底部（28B）的导热率的导热率。 该制造装置能够降低SiC晶种的晶体生长面内的温度变动。

公开(公告)号：WO2013025024A4

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/KR2012006415

申请日：2012-08-10

Applicant: LG SILTRON INC ,  AHN JIN-WOO ,  KIM BONG-WOO ,  CHOI IL-SOO ,  KIM DO-YEON

Inventor： AHN JIN-WOO ,  KIM BONG-WOO ,  CHOI IL-SOO ,  KIM DO-YEON

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

Abstract: Provided is an ingot growing apparatus, which includes a crucible containing a silicon melt, a pulling device pulling a silicon single crystal ingot grown from the silicon melt, and a dopant supply unit disposed adjacent to the pulling device and for supplying a dopant during growing of the ingot. The neck portion may be doped at a concentration higher than that of the ingot through the dopant supply unit. Therefore, dislocation propagation velocity may be decreased and a propagation length may be shortened.

Abstract translation: 本发明提供一种铸锭生长装置，其包括：含有硅熔液的坩埚;拉拽从硅熔液生长的单晶硅锭的牵引装置;以及与该牵拉装置相邻配置的掺杂物供给部， 铸锭。 通过掺杂剂供应单元可以以比晶锭更高的浓度掺杂颈部。 因此，位错传播速度可能降低并且传播长度可能缩短。

公开(公告)号：WO2012173251A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/JP2012/065420

申请日：2012-06-15

Applicant: 住友金属工業株式会社 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  楠 一彦 ,  亀井 一人 ,  矢代 将斉 ,  岡田 信宏 ,  大黒 寛典 ,  加渡 幹尚 ,  坂元 秀光

Inventor： 楠　一彦 ,  亀井　一人 ,  矢代　将斉 ,  岡田　信宏 ,  大黒　寛典 ,  加渡　幹尚 ,  坂元　秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B35/00 ,  C30B9/10 ,  C30B11/003 ,  C30B15/32 ,  C30B17/00 ,  C30B19/068 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1092

Abstract: 　シードシャフトに取り付けられた種結晶を効率良く冷却することができる、ＳｉＣ単結晶の製造装置を提供することを、目的とする。Ｓｉ－Ｃ溶液（１６）を収容する坩堝（１４）と、ＳｉＣ種結晶（３６）が取り付けられる下端面（３４）を有するシードシャフト（３０）とを備える。シードシャフトは、坩堝の高さ方向に延び、内側に第１流路（６０）を形成する内管（４８）と、内管を収容し、内管との間に第２流路（ＳＰ１）を形成する外管（５０）と、外管の下端開口を覆い、下端面を有する底部とを備える。第１流路及び第２流路のうち、一方の流路は冷却ガスが下方に流れる導入流路であり、他方の流路は冷却ガスが上方に流れる排出流路である。シードシャフトの軸方向から見て、ＳｉＣ種結晶の６０％以上の領域が、導入流路を形成する管の内側の領域に重なる。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于制造SiC单晶的装置，所述装置能够有效地冷却附着于种子轴的晶种。 该SiC单晶的制造装置具备：含有Si-C溶液（16）的坩埚（14） 以及种子轴（30），其具有附接有SiC籽晶（36）的下端面（34）。 种子轴包括：在坩埚的高度方向上延伸并构成内部的第一通道（60）的内管（48） 外管（50），其包含所述内管并且在其自身和所述内管之间构成第二通道（SP1）; 以及具有下端面并覆盖外管的下端开口的底部。 第一通道和第二通道中的一个用作冷却气体向下流动的供给通道，另一个通道用作冷却气体向上流动的排出通道。 当从种子轴的轴向观察时，SiC晶种的区域的不少于60％与构成进料通道的管内的区域重叠。