公开(公告)号：WO2017070290A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/US2016/057819

申请日：2016-10-20

申请人： AGILESWITCH, LLC

发明人： CHARPENTIER, Albert, J. ,  SMITH, Alan, K. ,  SATHEESH, Nitesh ,  WEBER, Robin

IPC分类号： H03K17/16

CPC分类号： H03K17/166 ,  H03K17/168

摘要： A gate-drive controller for a power semiconductor device includes a master control unit (MCU) and one or more comparators that compare the output signal of the power semiconductor device to a reference value generated by the MCU. The MCU, in response to a turn-off trigger signal, generates a first intermediate drive signal for the power semiconductor device and generates a second intermediate drive signal, different from the first drive signal, when a DSAT signal indicates that the power semiconductor device is experiencing de-saturation. The MCU generates a final drive signal for the power semiconductor when the output signal of the one or more comparators indicates that the output signal of the power semiconductor device has changed relative to the reference value. The controller may also include a timer that causes the drive signals to change in predetermined intervals when the one or more comparators do not indicate a change.

摘要翻译： 用于功率半导体器件的栅极驱动控制器包括主控单元（MCU）和一个或多个比较器，所述比较器将功率半导体器件的输出信号与MCU产生的参考值进行比较。 响应于关断触发信号，MCU在DSAT信号指示功率半导体装置是功率半导体装置的情况下产生用于功率半导体装置的第一中间驱动信号并产生不同于第一驱动信号的第二中间驱动信号 经历去饱和。 当一个或多个比较器的输出信号指示功率半导体器件的输出信号相对于参考值发生了变化时，MCU为功率半导体生成最终驱动信号。 控制器还可以包括计时器，当一个或多个比较器未指示改变时，该计时器使得驱动信号以预定间隔改变。

公开(公告)号：WO2015162046A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/EP2015/058189

申请日：2015-04-15

申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

发明人： HOPPERDIETZEL, René

IPC分类号： H03K17/16 ,  H03K17/082

CPC分类号： H02J4/00 ,  G01R15/18 ,  G01R15/183 ,  G01R19/12 ,  G01R19/14 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H02M1/08 ,  H02M2001/0009 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/165 ,  H03K17/166 ,  H03K17/168 ,  H03K2217/0027 ,  H01L2924/00

摘要： Eine Vorrichtung zum Schalten eines halbleiterbasierten Schalters umfasst einen Anschluss, der ausgebildet ist, um mit einem Steuer-Anschluss des halbleiterbasierten Schalters verbunden zu werden. Eine steuerbare Deaktivierungs-Spannungsquelle, die mit dem Anschluss verschaltet ist, ist ausgebildet, um zumindest zeitweise ein Umschaltpotential an einem Potentialknoten bereitzustellen. Eine Steuervorrichtung, ist ausgebildet, um die steuerbare Deaktivierungs-Spannungsquelle zeitvariant zu steuern, so dass die steuerbare Deaktivierungs-Spannungsquelle das Umschaltpotential während eines Umschaltintervalls an dem Potentialknoten bereitstellt. Das Umschaltpotential ist galvanisch mit einem Versorgungsknoten, an dem ein Versorgungspotential der Steuervorrichtung gekoppelt ist und einen geringeren Potentialwert aufweist als eine Schwellenspannung des halbleiterbasierten Schalters Die Steuervorrichtung ist ausgebildet, um die steuerbare Deaktivierungs-Spannungsquelle so zu steuern, dass basierend auf dem bereitgestellten Umschaltpotentiai Ladungsträger, die in einer Steuer-Kapazität des halbleiterbasierten Schalters gespeichert sind, aus der Steuer-Kapazität abfließen und basierend auf der galvanischen Kopplung zu einem Betrieb der Steuervorrichtung beitragen.

摘要翻译： 用于切换基于半导体的开关的装置包括适于被连接到所述的基于半导体的开关的控制端子的端口。 其连接到端子A可控去激活电压源被配置成在一个电位节点至少暂时提供Umschaltpotential。 控制器被形成为控制可控时变失活电压源，从而使可控电压源的失活在电位节点的切换间隔期间提供Umschaltpotential。 所述Umschaltpotential是电，具有该控制装置的源极电势被连接并且具有比基于半导体的开关的阈值电压低的电势值的供给节点，所述控制器适于控制所述可控去激活电压源，使得基于所提供的Umschaltpotentiai载体上 存储在基于半导体的开关的控制能力，流出控制电容的，有助于基于所述电耦合到所述控制装置的操作。

公开(公告)号：WO2014004158A1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/US2013/046232

申请日：2013-06-18

申请人： EATON CORPORATION

发明人： WOODLEY, Kaijam, M.

IPC分类号： H02P1/42 ,  H03K17/18 ,  H03K17/72

CPC分类号： G01R31/2633 ,  G01R19/0092 ,  G01R31/263 ,  G01R31/34 ,  H02P1/423 ,  H03K17/166 ,  H03K17/725 ,  H03K2217/0009 ,  Y10T29/49002

摘要： A system for measuring soft starter current includes a current monitoring system including a controller and a current transfer device that includes a first thyristor and a first conductor coupled to the first thyristor and configured to convey a first current flowing through the first thyristor, wherein the first current comprises current flowing through the first thyristor when the first thyristor is in an off state. The system also comprises a first current sensor configured to sense the first current and a first current measurement circuit coupled to the first current sensor and coupleable to the controller and configured to output a first output value to the controller representative of the first current flowing through the first thyristor. The controller is configured to determine an impending inoperability of the first thyristor based on the first current and alert a user if the first current indicates the impending inoperability.

摘要翻译： 一种用于测量软起动器电流的系统包括电流监测系统，其包括控制器和电流传输装置，其包括第一晶闸管和耦合到第一晶闸管的第一导体，并且被配置为传送流过第一晶闸管的第一电流，其中第一 电流包括当第一晶闸管处于断开状态时流过第一晶闸管的电流。 该系统还包括被配置为感测第一电流的第一电流传感器和耦合到第一电流传感器并耦合到控制器的第一电流测量电路，并且被配置为将第一输出值输出到控制器，该控制器表示流过 第一个晶闸管 控制器被配置为基于第一电流来确定第一晶闸管的即将发生的不可操作性，并且如果第一电流指示即将发生的不可操作性则警告用户。

公开(公告)号：WO2013102778A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：PCT/IB2012/000160

申请日：2012-01-05

申请人： AMERICAN POWER CONVERSION CORPORATION ,  MATHIEU, Denis, René, Pierre

发明人： MATHIEU, Denis, René, Pierre

IPC分类号： H03K17/082 ,  H03K17/16

CPC分类号： H03K17/0828 ,  H03K17/166 ,  H03K17/168 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0009

摘要： Disclosed is a control circuit for control of a semiconductor switching device, such as an IGBT. The control circuit comprising a first feedback path between a first electrode and a control electrode of said semiconductor switching device which has a capacitance. The circuit is operable such that the capacitance in the first feedback path is dependent on the voltage level at said first electrode. In another embodiment the control circuit is operable such that a feedback signal begins to flow in the first feedback path immediately as the semiconductor switching device begins switching off, thereby causing a control action on the semiconductor switching device.

摘要翻译： 公开了一种用于控制诸如IGBT的半导体开关器件的控制电路。 所述控制电路包括具有电容的所述半导体开关器件的第一电极和控制电极之间的第一反馈路径。 电路是可操作的，使得第一反馈路径中的电容取决于所述第一电极处的电压电平。 在另一个实施例中，控制电路是可操作的，使得当半导体开关器件开始关断时，反馈信号在第一反馈路径中开始流动，从而对半导体开关器件进行控制。

公开(公告)号：WO2013082705A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/CA2012/001125

申请日：2012-12-05

申请人： TM4 INC.

发明人： CYR, Jean-Marc ,  EL YACOUBI, Maalainine ,  AMAR, Mohammed ,  FLEURY, Pascal

IPC分类号： H02M7/217

CPC分类号： H02M7/537 ,  H01L2224/49111 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32 ,  H02M2001/0029 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/166 ,  H03K17/60

摘要： A turn-off overvoltage limiting for IGBT is described herein. The injection of a sample of the overvoltage across the IGBT in the gate drive to slow down the slope of the gate voltage decrease only during the overvoltage above a predetermined value is described herein. Techniques to increase the parasitic inductance to allow the control to limit an overvoltage at turn off of the second IGBT are also described herein.

摘要翻译： 本文描述了IGBT的关断过电压限制。 这里描述了在栅极驱动器中横跨IGBT的过电压的样本的注入，以减慢栅极电压的斜率，仅在超过预定值的过电压期间降低栅极电压的斜率。 本文还描述了增加寄生电感以允许控制限制第二IGBT关断时的过电压的技术。

公开(公告)号：WO2009051235A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：PCT/JP2008/068880

申请日：2008-10-17

申请人： ミツミ電機株式会社 ,  小澤 真 ,  大原 智光

发明人： 小澤 真 ,  大原 智光

IPC分类号： H02P7/29 ,  H02P7/06

CPC分类号： H02P3/08 ,  H03K17/166

摘要： 　モータに駆動電流を供給する駆動トランジスタを有する出力回路を備えたモータ駆動回路であって、 　前記出力回路は、出力電圧が電源電圧を超えたときに、グランド側に接続された前記駆動トランジスタをオンにする制御トランジスタを有することを特徴とする。

摘要翻译： 电动机驱动电路具有输出电路，该输出电路具有向电动机提供驱动电流的驱动晶体管。 输出电路的特征在于具有控制晶体管，当输出电压超过电源电压时，该控制晶体管导通连接到接地侧的驱动晶体管。

公开(公告)号：WO2008099959A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：PCT/JP2008/052791

申请日：2008-02-13

申请人： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  株式会社日本自動車部品総合研究所 ,  久野裕道 ,  広瀬敏 ,  高松直義 ,  辻浩也 ,  榊原啓之 ,  深津一樹

发明人： 久野裕道 ,  広瀬敏 ,  高松直義 ,  辻浩也 ,  榊原啓之 ,  深津一樹

IPC分类号： H02M1/00 ,  H02M1/08

CPC分类号： H02M1/32 ,  H02M1/08 ,  H02M1/44 ,  H03K17/166

摘要： サージ電圧目標設定部（１０３）は、電圧検出部（１０２）により検出された半導体スイッチング素子（１００）の端子間電圧（Ｖｃｅ）に基づき、半導体電力変換装置の主回路電源電圧（ＶＨ）を取得して、取得した主回路電源電圧に応じてサージ電圧の制御目標（Ｖｍ）を設定する。アクティブゲートコントロール部（７１）は、半導体スイッチング素子（１００）のターンオフ時において、端子間電圧（Ｖｃｅ）が制御目標（Ｖｍ）を超えたときには、端子間電圧（Ｖｃｅ）のフィードバックに基づき、ゲート電圧（Ｖｇ）を上昇させる方向、すなわちターンオフ速度を低下させる方向にゲート電圧（Ｖｇ）を修正するように電圧修正量（Ｖ１）を設定する。

摘要翻译： 浪涌电压目标设定单元（103）基于由电压检测出的半导体开关元件（100）的端子间电压（Vce），获取半导体功率转换器件的主电路电源电压（VH） 检测单元（102），并根据获取的主电路电源电压设定浪涌电压的控制目标（Vm）。 当半导体开关元件（100）的截止时间的端子间电压（Vce）超过控制对象（Vm）时，有源栅极控制部（71）将电压校正量（V1）设定在 基于端子间电压（Vce）的反馈，使得栅极电压（Vg）在提高栅极电压（Vg）的方向上被校正，即在减小关断速率的方向上被校正。

公开(公告)号：WO2007113765A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：PCT/IB2007/051162

申请日：2007-03-31

申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  RUTKOWSKI, Joseph ,  ANDERSON, Alma

发明人： RUTKOWSKI, Joseph ,  ANDERSON, Alma

IPC分类号： H03K19/003 ,  H03K17/16

CPC分类号： H03K19/00361 ,  H03K17/166

摘要： Edge-rate control circuits and methods are implemented using a variety of arrangements and methods. Using one such method, an output signal of a bus is controlled by decoupling a feedback capacitor (116) from a gate of a transistor (108) using an isolation switch (106). The transistor (108) is used to control the output signal. A predetermined amount of charge is removed from the feedback capacitor (116) using a charge distribution capacitor (114) that is selectively coupled to the feedback capacitor (116) using a switch (112). The switch (112) is enabled in response to the output signal reaching an output voltage and disabled in response to the charge distribution capacitor (114) reaching a reference voltage.

摘要翻译： 使用各种布置和方法实现边缘速率控制电路和方法。 使用一种这样的方法，通过使用隔离开关（106）使反馈电容器（116）与晶体管（108）的栅极去耦合来控制总线的输出信号。 晶体管（108）用于控制输出信号。 使用使用开关（112）选择性地耦合到反馈电容器（116）的电荷分配电容器（114），从反馈电容器（116）去除预定量的电荷。 响应于输出信号达到输出电压并且响应于电荷分配电容器（114）达到参考电压而禁用开关（112）。

公开(公告)号：WO2005091502A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：PCT/EP2005/050511

申请日：2005-02-07

申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  KUEHNER, Jochen ,  PLIKAT, Robert ,  MUELLER, Stefan ,  REES, Stephan ,  RUF, Armin

发明人： KUEHNER, Jochen ,  PLIKAT, Robert ,  MUELLER, Stefan ,  REES, Stephan ,  RUF, Armin

IPC分类号： H03K17/082

CPC分类号： H03K4/02 ,  H03K17/04123 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/166

摘要： Die Erfindung betrifft eine Ansteuerschaltung zum Ansteuern einer leistungselektronischen Schaltung, die einen Strompfad durch einen Halbleiterschalter und eine Leitung aufweist, wo­bei die Induktivität der Leitung und/oder eines Bauteils im Strompfad beim Schalten des Halbleiterschalters zu einer Ü­berspannung zwischen einem ersten und einem zweiten stromfüh­renden Anschluss des Halbleiterschalters führt, wobei die An­steuerschaltung eine steuerbare Stromquelle, um einen la­dungsgesteuerten Steueranschluss des Halbleiterschalters mit einem Steuerstrom zu laden bzw. zu entladen, und eine Steuer­einheit aufweist, wobei die Steuereinheit die Stromquelle so ansteuert, dass bei einem Schaltvorgang die Anschlussspannung über den stromführenden Anschlüssen des Halbleiterschalters eine vorgegebene Soll-Anschlussspannung nicht übersteigt.

摘要翻译： 本发明涉及一种驱动电路，用于驱动具有通过一个半导体开关和一个线，的电流路径的功率电子电路，其中在所述电流通路中的线和/或组件的半导体开关的第一和的第二载流端子之间的过电压的切换过程中的电感 半导体开关引出，其中，所述驱动电路包括一个可控电流源向所述半导体开关的充电控制的控制终端充电用的控制电流或放电，以及控制单元，其中，所述控制单元控制所述功率源，使得在切换操作期间，对上载流端子的端子电压 半导体开关不超过预定的期望端电压。

公开(公告)号：WO2005079513A2

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：PCT/US2005/005349

申请日：2005-02-22

申请人： INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION ,  RUSU, Iulia ,  WILHELM, Dana ,  GREEN, Peter

发明人： RUSU, Iulia ,  WILHELM, Dana ,  GREEN, Peter

IPC分类号： G05F1/40 ,  H02M1/38

CPC分类号： H02M1/38 ,  H03K17/166 ,  H03K17/284 ,  H03K17/6871 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H03K2217/0081

摘要： A high voltage offset detection circuit registers the voltage at the midpoint of a switching half-bridge and may determine when the midpoint voltage reaches a given value to avoid hard-switching in the half-bridge switches. The midpoint voltage of the switching half-bridge is applied through a buffer to a MOSFET that is current limited to produce a voltage that reflects the voltage of the midpoint of the switching half-bridge. The voltage produced by the MOSFET may be supplied to a comparator with a threshold input to obtain a signal that indicates when the switches of the switching half-bridge may be turned on to avoid hard-switching. An adaptive dead-time circuit and method may comprise the above sensing circuit, a first circuit for generating a first signal indicative of a high to low transition of the midpoint voltage; and an output circuit for generating an adaptive dead-time output signal based thereon. A second circuit may generate a second signal indicative of a low to high transition of the voltage; wherein the output circuit generates the adaptive dead-time output signal based on both the first and second signals. The second circuit preferably generates the second signal by reproducing the first signal. The first circuit may generate the first signal by charging a capacitor in response to pulses, and the second circuit may generate the second signal by charging a second capacitor corresponding to said first capacitor, and the adaptive dead-time output signal may be responsive to the charges on the first and second capacitors.

摘要翻译： 高电压失调检测电路在开关半桥的中点登记电压，并且可以确定中点电压何时达到给定值以避免半桥开关中的硬切换。 开关半桥的中点电压通过缓冲器施加到电流限制的MOSFET，以产生反映开关半桥中点电压的电压。 由MOSFET产生的电压可以提供给具有阈值输入的比较器，以获得指示开关半桥的开关何时导通以避免硬切换的信号。 自适应死区时间电路和方法可以包括上述感测电路，用于产生指示中点电压的高到低转换的第一信号的第一电路; 以及用于基于此产生自适应死区时间输出信号的输出电路。 第二电路可以产生指示电压的低到高转换的第二信号; 其中所述输出电路基于所述第一和第二信号两者产生所述自适应死区时间输出信号。 第二电路优选地通过再现第一信号来产生第二信号。 第一电路可以通过响应于脉冲对电容器充电来产生第一信号，并且第二电路可以通过对与所述第一电容器相对应的第二电容器进行充电来产生第二信号，并且自适应死区时间输出信号可以响应于 在第一和第二电容器上充电。