公开(公告)号：WO2005107074A2

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：PCT/US2005012758

申请日：2005-04-14

Applicant: CALIFORNIA INST OF TECHN ,  MANDEGARAN SAM ,  HAJIMIRI SEYED ALI

Inventor： MANDEGARAN SAM ,  HAJIMIRI SEYED ALI

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/0175

CPC classification number: H03K19/00315 ,  H03K19/00307

Abstract: An apparatus and method for driving an output signal in a high speed integrated circuit. The apparatus and methods enable the output voltage swing from the driver to exceed the breakdown voltage of any individual element in the output driver. A high speed driver can utilize one or more transistors in a stacked configuration, such that the breakdown voltage of the entire stacked configuration is based on the number of transistors in the stack. The driver is configured to distribute the output voltage substantially equally among each of the stacked transistors, such that the driver is able to source an output voltage swing that is greater than the breakdown voltage of any individual transistor in the driver.

Abstract translation: 一种用于驱动高速集成电路中的输出信号的装置和方法。 该装置和方法使得来自驱动器的输出电压摆幅超过输出驱动器中任何单独元件的击穿电压。 高速驱动器可以利用堆叠配置中的一个或多个晶体管，使得整个堆叠配置的击穿电压基于堆叠中的晶体管的数量。 驱动器被配置为在每个堆叠的晶体管中基本上均等地分配输出电压，使得驱动器能够输出大于驱动器中的任何单独晶体管​​的击穿电压的输出电压摆幅。

公开(公告)号：WO2005074126A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：PCT/IB2005/050219

申请日：2005-01-19

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  KROSSCHELL, Rob, E. ,  SIMANJUNTAK, Dobson, P., P.

Inventor： KROSSCHELL, Rob, E. ,  SIMANJUNTAK, Dobson, P., P.

IPC: H03F3/45

CPC classification number: H03K17/04113 ,  H03F3/45089 ,  H03K19/00307

Abstract: The present invention relates to a driver apparatus and method of controlling a bias voltage supplied to a cascode stage connected to an input transistor means (Ti) arranged to receive a binary input signal, wherein a control signal (Vcasc) is supplied to a cascode transistor (Tc) of the cascode stage, and the control signals is selected to have a logical value opposite to the binary input signal, and an absolute value different from the binary input signal. Thereby, the maximum allowable output signal of said driver apparatus can be increased.

Abstract translation: 本发明涉及一种驱动器装置和方法，用于控制提供给与被配置为接收二进制输入信号的输入晶体管装置（Ti）连接的共源共栅级的偏置电压，其中控制信号（Vcasc）被提供给共源共栅晶体管 （Tc），并且控制信号被选择为具有与二进制输入信号相反的逻辑值，以及与二进制输入信号不同的绝对值。 由此，可以提高所述驱动装置的最大允许输出信号。

公开(公告)号：WO2004032324A1

公开(公告)日：2004-04-15

申请号：PCT/EP2003/010677

申请日：2003-09-25

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG ,  SUNDERMEYER, Jan ,  SAUERER, Josef

Inventor： SUNDERMEYER, Jan ,  SAUERER, Josef

IPC: H03K19/018

CPC classification number: H03K19/00315 ,  H03F3/50 ,  H03K19/00307 ,  H03K19/01806 ,  H03K19/018507

Abstract: Eine Transistorschaltung umfaßt einen ersten Emitterfolgertransistor (EF 1 ) dessen Emitter mit dem Kollektor eines ersten Stromquellentransistors (SQ 1 ) verbunden ist, wobei die Basis des ersten Emitterfolger-transistors (EF 1 ) einen Eingang (IN) der Schaltung darstellt und die Basis des ersten Stromquellentransistors (SQ 1 ) einen Referenzspannungseingang (REF) darstellt. Die Transistorschaltung umfaßt ferner einen zweiten Emitterfolgertransistor (EF 2 ), dessen Emitter mit dem Kollektor eines zweiten Stromquellentransistors (SQ 2 ) verbunden ist, wobei der Emitter des ersten Stromquellentransistors (SQ 2 ) und die Basis des zweiten Stromquellentransistors derart verschaltet sind, daß die Spannung (REF 1 ) an der Basis des zweiten Stromquellentransistors (SQ 2 ) von der Spannung am Emitter des ersten Stromquellentransistors (SQ 1 ) abhängt. Alternativ zu den genannten Bipolartransistoren kann die erfindungsgemäße Transistorschaltung ferner entsprechend verschaltete Feldeffekttransistoren aufweisen.

Abstract translation: 一种晶体管电路包括第一射极跟随器晶体管（EF <1>）的发射极连接到第一电流源晶体管的集电极（SQ <1>）被连接到的基极，所述第一射极跟随器晶体管（EF <1>）具有电路的输入（IN） 表示和所述第一电流源晶体管的基极（SQ <1>）的基准电压输入（REF）表示。 晶体管电路还包括第二发射极跟随器晶体管（EF <2>），其中的发射极被连接到第二电流源晶体管（SQ <2>），的收集器，其中所述第一电流源晶体管的发射极（SQ <2>）和第二电流源晶体管这样的基 被连接，使得在电压的第二电流源晶体管（SQ <2>）中的所述第一电流源晶体管的发射极上的基极的电压（REF <1>）（SQ <1>）取决于。 可替代地，以所述根据本发明的双极晶体管电路还可以包括相互连接的场效应晶体管。