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    半導体用膜形成材料、半導体用部材形成材料、半導体用工程部材形成材料、下層膜形成材料、下層膜及び半導体デバイス
    2.
    发明申请
    半導体用膜形成材料、半導体用部材形成材料、半導体用工程部材形成材料、下層膜形成材料、下層膜及び半導体デバイス 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023002928A1

    公开(公告)日：2023-01-26

    申请号：PCT/JP2022/027788

    申请日：2022-07-15

    申请人： 株式会社ＡＤＥＫＡ

    发明人： 齋藤　広真 ,  村松　洋亮 ,  鈴木　観月 ,  入沢　正福

    IPC分类号： G03F7/11 ,  C07D487/04 ,  C08G61/12

    摘要： 本発明の目的は、耐熱性及び耐溶剤性に優れた膜を与える半導体用膜形成材料を提供することにある。　本発明は、下記一般式（Ｉ）で表され、分子内に反応性基を１つ以上有する化合物又は下記一般式（Ｉ）で表され、分子内に反応性基を１つ以上有する化合物をモノマーとする重合体と、溶剤とを含有する半導体用膜形成材料である。 式中、Ａは、炭素原子数６の炭化水素環を表し、Ｘ１及びＸ２は、反応性基又は反応性基を有する基が置換していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基等を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、水素原子、反応性基又は反応性基が置換していてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基等を表し、Ｒ５及びＲ１０は、水素原子又は反応性基が置換していてもよい炭素原子数１～２０の炭化水素基等を表す。

    一种n型共轭聚合物及其制备方法与应用
    3.
    发明申请
    一种n型共轭聚合物及其制备方法与应用 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022262159A1

    公开(公告)日：2022-12-22

    申请号：PCT/CN2021/124880

    申请日：2021-10-20

    申请人： 华南理工大学

    发明人： 黄飞 ,  唐浩然

    IPC分类号： C08G61/12 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54

    摘要： 本发明属于n型半导体材料的技术领域，公开了一种n型共轭聚合物及其制备方法与应用。方法：以溶剂为反应介质，反应单体在具有氧化性的物质的作用下发生反应，获得n型共轭聚合物。n型共轭聚合物包括一种或多种聚合单元，聚合单元为式(I)结构和/或式(II)结构，和/或其相应的烯醇式转变形式。本发明的原料为具有活泼亚甲基的芳香式二酮类物质，经具有氧化性的物质作用直接聚合反应。所述反应无需贵金属催化，且对反应气氛不敏感工艺简单，成本低廉，适用于商业化应用。本发明n型共轭聚合物具有优异的电子传输能力，较高的电导率以及较好的电磁波屏蔽效果。本发明的n型共轭聚合物应用于有机光电器件中，可以实现优异的光电效果。

    ポリマー及びその製造方法、分離膜、電解質膜、燃料電池、水電解、並びに電解技術
    8.
    发明申请
    ポリマー及びその製造方法、分離膜、電解質膜、燃料電池、水電解、並びに電解技術 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022186261A1

    公开(公告)日：2022-09-09

    申请号：PCT/JP2022/008810

    申请日：2022-03-02

    申请人： 国立大学法人東京工業大学

    发明人： 山口　猛央 ,  宮西　将史

    IPC分类号： C08G61/12 ,  C08J5/18 ,  H01M8/10 ,  H01M8/1039 ,  C25B13/08

    摘要： 機械強度及び引張強度に優れたポリマー、当該ポリマーの簡便な製造方法、当該ポリマーを用いた化学的耐久性及び機械強度に優れた、分離膜、電解質膜、当該電解質膜を用いた燃料電池、水電解並びに電解技術を提供すること。　下記式（１）で表される繰り返し単位と、下記式（２）で表される繰り返し単位とを有する、ポリマーである。式（１）及び式（２）中、　Ａｒ１は芳香環を含む基であり、　Ａｒ２は各々独立に上記式（３）で表される構造を両末端に有する基であり、　Ｌ１は当該Ｌ１が有する２つの結合手のなす角が４５～９０度の有機基であり、　Ａｒ１、Ａｒ２及びＬ１が複数ある場合、当該複数あるＡｒ１、Ａｒ２及びＬ１は各々互いに同一であっても異なっていてもよい。