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公开(公告)号:WO2021139043A1
公开(公告)日:2021-07-15
申请号:PCT/CN2020/086743
申请日:2020-04-24
Applicant: TCL华星光电技术有限公司
Inventor: 雍玮娜
IPC: H01L21/77 , H01L21/12 , G03F1/32 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1259 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制作方法,阵列基板的制作方法通过采用多段式掩膜板曝光显影,使对应显示区的沟道区域的剩余光刻胶层的厚度等于对应GOA区的沟道区域的剩余光刻胶层的厚度,使得后续两沟道区域均能刻蚀完全,避免出现短路情况,弥补因显示区和GOA区薄膜晶体管密度差异等原因造成的显影液作用效率不同的缺陷。
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公开(公告)号:WO2021128639A1
公开(公告)日:2021-07-01
申请号:PCT/CN2020/082720
申请日:2020-04-01
Applicant: 武汉华星光电技术有限公司
IPC: G09G3/00 , H01L27/12 , G02F1/13 , G02F1/1309 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09G3/006 , H01L27/1214
Abstract: 一种阵列基板(10)、显示面板(1)、及电性测试方法,阵列基板(10)包括:基板(100),包括显示区(1001)及电性测试区(1002);薄膜晶体管层,设于基板(100)上,薄膜晶体管层包括设于电性测试区(1002)的测试薄膜晶体管(900),其中,测试薄膜晶体管(900)包括有源层(104)、栅极层(106)、及电极层(109,116),有源层(104)的一端与电极层(109,116)的第一电极(109)相连,有源层(104)的另一端悬空设置;平坦化层(110),设于薄膜晶体管的电极层(109,116)上,其中,平坦化层(110)对应电极层(109,116)的第一电极(109)处设有第一过孔(114);公共电极层(111),设在平坦化层(110)远离电极层(109,116)的一侧,公共电极层(111)通过第一过孔(114)与电极层(109,116)的第一电极(109)连接。
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公开(公告)号:WO2021128454A1
公开(公告)日:2021-07-01
申请号:PCT/CN2020/070418
申请日:2020-01-06
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor: 欧甜
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1244 , H01L27/1259
Abstract: 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置,所述方法通过在蚀刻之后使用等离子清洗技术去除光阻层(103),避免了所述阵列基板中的栅极(102)与剥离液的接触,防止了栅极(102)中的金属层被剥离液腐蚀。
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公开(公告)号:WO2021120276A1
公开(公告)日:2021-06-24
申请号:PCT/CN2019/128726
申请日:2019-12-26
Applicant: TCL华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , G02F1/136222 , G02F1/136227 , H01L27/1214
Abstract: 一种阵列基板和液晶显示面板,阵列基板包括层叠设置的衬底(100)、驱动电路层(200)、色阻层(400)和像素电极层,色阻层(400)中包括导流部(900)和孔径大于阈值的第一过孔(701),导流部(900)与至少部分第一过孔(701)相连,且位于第一过孔(701)内侧和外侧中的至少一侧,导流部(900)的导流面(91)与第一过孔(701)孔口(71)的部分边缘连接。使得孔口(71)形状改变,配向液(800)流经时不会堆积。
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公开(公告)号:WO2022000699A1
公开(公告)日:2022-01-06
申请号:PCT/CN2020/107032
申请日:2020-08-05
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor: 周星宇
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/3276 , H01L51/5203
Abstract: 一种OLED显示面板及其制备方法,OLED显示面板包括层叠设置的衬底(101)、透明导电层、缓冲层(103)、金属氧化物半导体层、栅极绝缘层(105)、栅极层、层间绝缘层(107)、源漏极层和OLED器件层,OLED器件层的发光方向朝向衬底(101)。导电电极(1021)和透明电容的第一极板(1022)均为透明导电层图案化形成,仅需一道工序,因此节省了一道光罩,降低了成本。
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公开(公告)号:WO2022000639A1
公开(公告)日:2022-01-06
申请号:PCT/CN2020/104022
申请日:2020-07-24
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor: 孙佳佳
IPC: H01L27/32 , H01L27/12 , H01L51/52 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L51/5237 , H01L51/5262 , H01L51/5281
Abstract: 本申请提供了一种OLED显示面板及显示装置,该OLED显示面板包括:衬底、驱动电路层、发光功能层、第一耦合层和第二耦合层;第二耦合层包括分别对应于红色、绿色、蓝色像素的第一耦合部、第二耦合部、第三耦合部,第一耦合部的厚度大于等于第二耦合部的厚度、且大于第三耦合部的厚度,第二耦合部的厚度大于等于第三耦合部的厚度。
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公开(公告)号:WO2021258828A1
公开(公告)日:2021-12-30
申请号:PCT/CN2021/088315
申请日:2021-04-20
Applicant: 昆山国显光电有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H01L27/32 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1259 , H01L27/127 , H01L27/3244
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列基板(100)、显示面板(1)和显示装置(2)。薄膜晶体管阵列基板(100)包括层叠设置的半导体层(10)、栅极层(20)和源漏极层(30),且半导体层(10)与栅极层(20)之间、以及栅极层(20)和源漏极层(30)之间分别通过绝缘层相间隔,半导体层(10)包括源极区(11)、漏极区(12)和位于源极区(11)和漏极区(12)之间的沟道区(13),沟道区(13)掺杂有分子量≥25的P型杂质,且掺杂深度为1nm~20nm。
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公开(公告)号:WO2021249117A1
公开(公告)日:2021-12-16
申请号:PCT/CN2021/093900
申请日:2021-05-14
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor: 赵梦
IPC: H01L27/32 , H01L27/12 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/1214 , H01L27/323 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L51/5203
Abstract: 一种阵列基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。该阵列基板的制备方法包括:在衬底基板(100)的一侧依次形成驱动电路层(200)、第一电极层(300)、像素定义层(400)、第一图案限定层(810)和有机发光材料层(5010),其中,驱动电路层(200)包括第一驱动电路(210)和第二驱动电路(220),第一电极层(300)包括与第一驱动电路(210)电连接的转接电极(310)、与第二驱动电路(220)电连接的像素电极(320),像素定义层(400)设置有连接过孔(410),连接过孔(410)暴露至少部分转接电极(310),第一图案限定层(810)覆盖连接过孔(410);去除第一图案限定层(810)后依次形成第二图案限定层(820)和第二电极层(600),第二图案限定层(820)环绕连接过孔(410),第二电极层(600)包括隔离的公共电极(620)和指纹识别电极(610)。该阵列基板的制备方法使得自电容式指纹识别传感器内嵌至OLED显示面板。
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公开(公告)号:WO2021139050A1
公开(公告)日:2021-07-15
申请号:PCT/CN2020/087398
申请日:2020-04-28
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: G09F9/30 , H01L27/32 , G01L1/24 , G01L1/22 , G01L1/14 , G01L1/142 , G09F9/301 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/13
Abstract: 一种阵列基板(100)、膜层应力测试方法和显示面板(90),该阵列基板(100)包括:基体(101);位于基体(101)上的第一膜层(102),第一膜层(102)上设有第一安装槽(102a);位于第一安装槽(102a)内的第一应变传感器(103),其中,第一应变传感器(103)用于检测第一膜层(102)的应力。
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公开(公告)号:WO2021258458A1
公开(公告)日:2021-12-30
申请号:PCT/CN2020/103098
申请日:2020-07-20
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 本申请提出了一种阵列基板及其制造方法,所述阵列基板包括基底、第一TFT和第二TFT,所述第一TFT包括第一有源层、设置于所述第一有源层上的第一栅极绝缘层、及设置于该第一栅极绝缘层上的第一栅极;所述第二TFT包括设置于该第一栅极绝缘层上的第二有源层,所述第一栅极的材料与所述第二有源层的材料相同,且为一体成型结构。
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