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公开(公告)号：WO2022051809A1
公开(公告)日：2022-03-17
申请号：PCT/AU2021/051044
申请日：2021-09-09
Applicant: PHOSENERGY LTD
Inventor： JONES, Bryn , KELLY, Julian, Frederick
Abstract: The present disclosure relates to devices for generating electrical energy, methods for generating electrical energy, and methods for producing devices for generating electrical energy. In certain embodiments, the present disclosure provides an electrical energy generating device, the device comprising at least one electrical cell comprising an asymmetric pair of metal-semiconductor junctions to produce an electric potential difference to capture thermally excited charge carriers within the semiconductor.
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公开(公告)号：WO2021132255A8
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：PCT/JP2020/047992
申请日：2020-12-22
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Inventor： 中田 嘉信
Abstract: この熱電変換材料は、Ｍｇ２ＳｉＸＳｎ１－Ｘ（ただし０．３≦Ｘ≦１）と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムから選択される一種又は二種以上の金属を含むホウ化物とを含有する。更に、前記ホウ化物が、ＴｉＢ２，ＺｒＢ２，ＨｆＢ２から選択される一種又は二種以上であることが好ましい。
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公开(公告)号：WO2021079644A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：PCT/JP2020/034386
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社ミツバ , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Abstract: 本発明の熱電変換素子（１００）は、ｎ側接合層（１０２）を介してｎ型半導体の第一面（１０１ａ）に片側が接合され、ｐ側接合層（１０４）を介してｐ型半導体の第一面（１０３ａ）に他の片側が接合された第一電極（１０５）と、ｎ型半導体の第二面（１０１ｂ）、ｐ型半導体の第二面（１０３ｂ）に、それぞれｎ側接合層（１０２）、ｐ側接合層（１０４）を介して接合された第二電極（１０６）と、を備え、ｎ型半導体（１０１）、ｐ型半導体（１０３）が、それぞれ下記（１）、（２）式で表される組成を有し、ｎ側接合層（１０２）およびｐ側接合層（１０４）が、Ａｌを含んでいる。 Ｍｇ２ＳｉａＳｎ１－ａ＋Ａ （１） ＭｇｍＳｉｘＳｎｙＧｅｚ＋Ｂ （２）
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公开(公告)号：WO2019231018A1
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：PCT/KR2018/006218
申请日：2018-05-31
Applicant: 공주대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 (a) (i) Bi-Sb-Te계 열전 분말 및 (ii) 탄소나노튜브(carbon nanotue, CNT) 또는 금속 코팅층을 가지는 탄소나노튜브를 고에너지 밀링을 통해 복합화하는 단계 및 (b) 상기 단계 (b)에서 얻어진 복합 분말로 소결체를 제조하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 함유 Bi-Sb-Te계 열전재료의 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전재료에 관한 것으로서, 본 발명에 의하면 열전재료의 제조를 위해 분말야금공정 기술을 적용해 대량생산이 가능하며, 특히, 기계적 합금화를 통해 금속 코팅층 포함 탄소나노튜브(CNT)를 Bi-Sb-Te계 열전재료에 복합화킴으로써 전기전도도는 증가되는 반면 열전도도 증가는 억제되어 기존 열전재료에 비해 우수한 성능지수(ZT)는 물론 향상된 기계적 물성까지 가지는 열전재료를 제조할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2019151644A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：PCT/KR2018/016085
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 층상형 ZnSb, ZnSb 나노시트 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기존 3차원 ZnSb와는 다른 구조의 다형체 층상물질인 ZnSb를 효율적으로 박리하여 ZnSb 나노시트를 형성할 수 있다. 상기 공정에 의해 만들어지는 고품질 층상 ZnSb 나노시트는 대량 생산이 가능하여 열전 물질 등의 응용이 가능하다. 본 발명에 의하면, ZnSb 3차원 구조에 K 삽입 및 제거를 통해 층상형 ZnSb 구조를 만들 수 있으며, 새롭게 제작된 층상형 구조는 쉽게 박리가 가능하다.
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公开(公告)号：WO2019151643A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：PCT/KR2018/016084
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 층상형 AZnBi(여기서, A는 K, Na, Li 중 어느 하나임), 층상형 ZnBi, ZnBi 나노시트 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기존 2차원 소재 연구의 한계인 모상의 구조를 극복하기 위한 것으로, 이온 삽입을 이용하여 결정구조 전이를 통해 층상형 KZnBi, NaZnBi, LiZnBi를 제조하고, 이를 이용하여 자연계에서 존재하지 않는 ZnBi 층상구조 및 ZnBi 나노시트를 제조할 수 있다. 본 발명의 층상형 화합물 및 나노시트는 우수한 열전 특성을 가져 Bi 2 Te 3 계 재료와 PbTe계 재료를 대신하여 열전 소재로 활용될 수 있으며, 아울러 강자성 특성으로 인해 자성반도체로서 응용될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019035253A1
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：PCT/JP2018/018373
申请日：2018-05-11
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Inventor： 中田 嘉信
Abstract: マグネシウム系化合物の焼結体からなるマグネシウム系熱電変換材料（１１）であって、前記焼結体の断面において、マグネシウム系化合物粒子の結晶粒界に、前記マグネシウム系化合物粒子の粒内よりもＳｉ濃度が高いＳｉリッチ金属相（１５）が偏在しており、Ｓｉリッチ金属相（１５）の占める面積率が２．５％以上１０％以下の範囲内とされ、面積が１μｍ ２ 以上のＳｉリッチ金属相（１５）の個数密度が１８００個／ｍｍ ２ 以上１４０００個／ｍｍ ２ 以下の範囲内とされていることを特徴とする。
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公开(公告)号：WO2018043478A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/JP2017/030903
申请日：2017-08-29
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 学校法人トヨタ学園
CPC classification number: H01L35/14 , C01B19/007 , C01B33/06 , C01P2002/54 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/16
Abstract: 熱電変換材料は、半導体であるベース材料と、ベース材料を構成する元素とは異なる元素である添加元素と、を含む。ベース材料の禁制帯内に、添加元素により形成される付加バンドが存在する。付加バンドの状態密度は、ベース材料の禁制帯に隣接する価電子帯の状態密度の最大値に対して０．１以上の比率を有する。
Abstract translation: <热电转换材料>热电转换材料含有作为半导体的基材和作为与构成基材的元素不同的元素的添加元素。 在基材的禁带中，存在由添加元素形成的附加带。 附加带的状态密度与基材的禁带附近的价带的状态密度的最大值之比为0.1以上。
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