发明授权
CN100354453C 层形成方法，和具有通过该方法形成的层的基材
失效 - 权利终止
- 专利标题： 层形成方法，和具有通过该方法形成的层的基材
- 专利标题（英）： Layer formation method, and substrate with a layer formed by the method
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申请号： CN03107624.6申请日： 2003-03-21
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公开(公告)号： CN100354453C公开(公告)日： 2007-12-12
- 发明人: 福田和浩 , 诸星保雄 , 西脇彰 , 近藤庆和 , 戶田义朗 , 大石清
- 申请人： 柯尼卡株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 柯尼卡株式会社
- 当前专利权人： 柯尼卡株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 刘明海
- 优先权： 168392/2002 2002.06.10 JP
- 主分类号： C23C16/50
- IPC分类号： C23C16/50 ; C23C8/36 ; H05H1/46 ; H01L21/31 ; H01L21/205
摘要：
本发明公开了一种层形成方法，包括将气体供给至放电空间，通过施加高频电场穿过放电空间而在大气压或在约大气压下激发供给的气体，和将基材暴露于激发气体，其中高频电场是其中第一高频电场和第二高频电场重叠的电场，第二高频电场的频率ω2高于第一高频电场的频率ω1，第一高频电场的强度V1，第二高频电场的强度V2和放电开始电场的强度IV满足关系V1≥IV＞V2或V1＞IV≥V2，和第二高频电场的功率密度不低于1W/cm2。
公开/授权文献
- CN1467302A 层形成方法，和具有通过该方法形成的层的基材 公开/授权日：2004-01-14
IPC分类:
