发明授权
- 专利标题： 用于减少衬底处理室中的杂散光的设备和方法
- 专利标题（英）： Apparatus and method for reducing stray light in substrate processing chambers
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申请号： CN03824898.0申请日： 2003-07-22
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公开(公告)号： CN100364038C公开(公告)日： 2008-01-23
- 发明人: 保罗·J·蒂曼斯
- 申请人： 马特森技术公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 马特森技术公司
- 当前专利权人： 玛特森技术公司,北京屹唐半导体科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波; 侯宇
- 优先权： 10/288,271 2002.11.05 US
- 国际申请： PCT/US2003/023026 2003.07.22
- 国际公布： WO2004/044961 EN 2004.05.27
- 进入国家日期： 2005-04-30
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
公开了一种用于在热处理室中加热半导体晶片的方法和设备。该设备包括非接触测温系统，该非接触测温系统利用诸如高温计的辐射探测装置在处理期间判决晶片的温度。该辐射探测装置通过监视晶片在特定波长处发射的辐射量判决晶片的温度。根据本发明，该设备中包括光谱过滤器，用于过滤灯在辐射探测装置的工作波长处发射的光，该灯用于加热晶片。该光谱过滤器包括光吸收剂，例如稀土元素、稀土元素的氧化物、光吸收染料、金属或半导体材料。
公开/授权文献
- CN1695229A 用于减少衬底处理室中的杂散光的设备和方法 公开/授权日：2005-11-09