发明授权
CN100365816C 电容元件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 电容元件及其制造方法
- 专利标题（英）： Capacitor element and method for fabricating the same
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申请号： CN200510006303.5申请日： 2005-01-26
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公开(公告)号： CN100365816C公开(公告)日： 2008-01-30
- 发明人: 长野能久 , 三河巧
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汪惠民
- 优先权： 2004-022043 2004.01.29 JP
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L29/00 ; H01L21/02 ; H01L21/8239
摘要：
在由氢阻挡膜覆盖的电容元件的结构中，防止高段差的产生。在由下部电极(21)、与所述下部电极(21)相面对形成的上部电极(24)以及电容绝缘膜(22)构成的电容元件中，所述电容绝缘膜(22)由在所述下部电极(21)和所述上部电极(24)之间形成的强电介质或者高电介质构成，所述下部电极(21)、所述电容绝缘膜(22)和所述上部电极(24)被形成至少在从其上面配置了第一氢阻挡膜(17)的层间绝缘膜(16)上所设置的孔(18)的内部的孔上方，配置与第一氢阻挡膜(17)相接的第二氢阻挡膜(26)使得覆盖上部电极(24)的上面以及在该上部电极(24)当中在孔(18)的上方所形成的部分侧面。
公开/授权文献
- CN1649157A 电容元件及其制造方法 公开/授权日：2005-08-03
IPC分类:
