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公开(公告)号：CN100555638C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200410074831.X
申请日：2004-08-30
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/55 , H01L27/10852 , H01L28/65 , H01L28/82
摘要： 一种半导体装置，电容元件(15)具有：表面形成凹部(11a)的基底绝缘层(11)，在基底绝缘层(11)上沿着凹部(11a)的内壁形成的下部电极(12)，在该下部电极(12)上形成的、由高电介体或铁电体构成的电容绝缘膜(13)，在该电容绝缘膜(13)上形成的上部电极(14)。将基底绝缘层(11)的凹部(11a)中的壁面的上端部及该凹部(11a)中的底面的拐角部弄成圆形。能够防止起因于对具有立体形状的电容元件进行热处理时的电极的断线。
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公开(公告)号：CN100365816C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510006303.5
申请日：2005-01-26
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/10 , H01L29/00 , H01L21/02 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L28/65 , H01L27/10852 , H01L28/57 , H01L28/75
摘要： 在由氢阻挡膜覆盖的电容元件的结构中，防止高段差的产生。在由下部电极(21)、与所述下部电极(21)相面对形成的上部电极(24)以及电容绝缘膜(22)构成的电容元件中，所述电容绝缘膜(22)由在所述下部电极(21)和所述上部电极(24)之间形成的强电介质或者高电介质构成，所述下部电极(21)、所述电容绝缘膜(22)和所述上部电极(24)被形成至少在从其上面配置了第一氢阻挡膜(17)的层间绝缘膜(16)上所设置的孔(18)的内部的孔上方，配置与第一氢阻挡膜(17)相接的第二氢阻挡膜(26)使得覆盖上部电极(24)的上面以及在该上部电极(24)当中在孔(18)的上方所形成的部分侧面。
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公开(公告)号：CN1180465C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN01117608.3
申请日：1995-11-30
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
摘要： 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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公开(公告)号：CN1126175C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN99127744.9
申请日：1999-12-03
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L21/76895 , H01L27/11507 , H01L28/40
摘要： 一种半导体存储器件包括：一个含晶体管的半导体衬底；第一保护性绝缘薄膜；至少一个数据存储电容器元件；第二保护性绝缘薄膜；一个氢阻挡层；和一个互连层，用于电连接晶体管和电容器元件，其中，电容器元件包括：一个下电极，它形成在第一保护性绝缘薄膜上；一层电容器薄膜，它形成在下电极上；一个上电极，它形成在电容器薄膜上，电容器薄膜包括一种绝缘金属氧化物，第二保护性绝缘薄膜具有到达上电极的第一接触孔和到达下电极的第二接触孔，氢阻挡层设置在第一和第二接触孔中，以不暴露上电极和下电极。
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公开(公告)号：CN1076517C
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN95103180.5
申请日：1995-03-30
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/40
摘要： 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其工序包括，在硅基片上形成氧化硅膜、第1白金膜、介质以及第2白金膜，在1～5Pa低压范围，用溴化氢和氧的混合气体作为蚀刻气体，通过抗蚀保护层膜干刻白金膜及介质。露出第1白金膜时，在5～50Pa高压范围，刻除第1白金膜上未蚀介质后，再在低压范围内干刻第1白金膜，从而在半导体集成电路芯片上形成由上电极、电容绝缘膜和下电极构成的电容元件。此方法解决了掩膜图案清晰度差和电路元件工作欠佳等问题。
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公开(公告)号：CN1315191C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410068220.4
申请日：2004-08-25
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L28/55 , H01L27/10852 , H01L28/65 , H01L28/90
摘要： 本发明涉及电容元件及半导体存储装置，电容元件(22)，具有立体形状的下部电极(19)，和该下部电极(19)相对形成的上部电极(21)，和在下部电极(19)和上部电极(21)之间形成的由结晶化的铁电体构成的电容绝缘膜(20)。电容绝缘膜(20)的膜厚设定在12.5nm以上而且在100nm以下，进一步，铁电体具有多结晶结构时，其结晶粒径设定在12.5nm以上而且在200nm以下。从而在具有立体形状的下部电极和由铁电体构成的电容绝缘膜的电容元件及使用它的半导体存储装置中，通过简易的方法，防止铁电体中的极化特性劣化，不给电容元件的数据保持特性带来不良影响。
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公开(公告)号：CN1290194C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN02124394.8
申请日：2002-06-21
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
摘要： 本发明的目的，在于：维持好电容元件中的下方电极对氧的阻挡性，并防止电容元件中由金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。下方电极(31)的侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氧及氢扩散的第1绝缘性阻挡层(15)覆盖起来。上方电极(33)的上面、该上方电极(33)、电容绝缘膜(32)及掩埋绝缘膜(16)的各个侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氢扩散的第2绝缘性阻挡层(17)覆盖起来。第2绝缘性阻挡层(17)在下方电极(31)两侧的区域和第1绝缘性阻挡层(15)相接触。
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公开(公告)号：CN1649157A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006303.5
申请日：2005-01-26
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/10 , H01L29/00 , H01L21/02 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L28/65 , H01L27/10852 , H01L28/57 , H01L28/75
摘要： 在由氢阻挡膜覆盖的电容元件的结构中，防止高段差的产生。在由下部电极(21)、与所述下部电极(21)相面对形成的上部电极(24)以及电容绝缘膜(22)构成的电容元件中，所述电容绝缘膜(22)由在所述下部电极(21)和所述上部电极(24)之间形成的强电介质或者高电介质构成，所述下部电极(21)、所述电容绝缘膜(22)和所述上部电极(24)被形成至少在从其上面配置了第一氢阻挡膜(17)的层间绝缘膜(16)上所设置的孔(18)的内部的孔上方，配置与第一氢阻挡膜(17)相接的第二氢阻挡膜(26)使得覆盖上部电极(24)的上面以及在该上部电极(24)当中在孔(18)的上方所形成的部分侧面。
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公开(公告)号：CN1591876A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074831.X
申请日：2004-08-30
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/55 , H01L27/10852 , H01L28/65 , H01L28/82
摘要： 一种半导体装置，电容元件(15)具有：表面形成凹部(11a)的基底绝缘层(11)，在基底绝缘层(11)上沿着凹部(11a)的内壁形成的下部电极(12)，在该下部电极(12)上形成的、由高电介体或铁电体构成的电容绝缘膜(13)，在该电容绝缘膜(13)上形成的上部电极(14)。将基底绝缘层(11)的凹部(11a)中的壁面的上端部及该凹部(11a)中的底面的拐角部弄成圆形。能够防止起因于对具有立体形状的电容元件进行热处理时的电极的断线。
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公开(公告)号：CN1187829C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN98124908.6
申请日：1998-11-13
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L21/76895 , H01L27/11507
摘要： 半导体器件含有：一硅基底；其上的一MOS半导体器件，该器件最外层表面上有一硅化物区；一覆盖该器件的第一绝缘膜；一在第一绝缘膜上的电容器元件，该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜，该膜包含铁电材料；一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜；一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔；一第二绝缘膜上的互连层，该层使MOS器件与电容器元件电连接，互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。
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