发明授权
CN100367584C 光电器件及其集成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 光电器件及其集成方法
- 专利标题(英): Opto-electronic device integration
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申请号: CN02813089.8申请日: 2002-06-28
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公开(公告)号: CN100367584C公开(公告)日: 2008-02-06
- 发明人: 格雷格·杜德夫 , 约翰·特雷泽
- 申请人: 美莎诺普有限公司
- 申请人地址: 美国新罕布什尔州
- 专利权人: 美莎诺普有限公司
- 当前专利权人: 丘费尔资产股份有限公司,
- 当前专利权人地址: 美国新罕布什尔州
- 代理机构: 上海市华诚律师事务所
- 代理商 傅强国
- 优先权: 09/896,189 2001.06.29 US; 09/896,983 2001.06.29 US; 09/897,158 2001.06.29 US; 09/897,160 2001.06.29 US; 60/365,996 2002.03.19 US; 60/365,998 2002.03.19 US; 60/366,032 2002.03.19 US
- 国际申请: PCT/US2002/022291 2002.06.28
- 国际公布: WO2003/003426 EN 2003.01.09
- 进入国家日期: 2003-12-29
- 主分类号: H01S5/02
- IPC分类号: H01S5/02 ; G02B6/42 ; H01L21/00 ; H01L27/15
摘要:
描述了一种将芯片和顶面光学芯片集成在一起的方法。顶面光学芯片至少有一个光学器件,该器件有一个包括一个光学活性区域的活性面,一个有一定高度的激光器腔,一个光学非活性区域,一个和活性面相对的键合面和一个器件厚度。该方法包括,将光学芯片键合到电子芯片上;施加一个衬底到活性面上,该衬底有一个在活性区域上面的在一个第一数量和一个第二数量之间的衬底厚度,和施加一个抗反射涂层,在施加抗反射涂层时不需形成特殊的图形或在至少一个的光学激光器器件和其他器件之间进行区别。
公开/授权文献
- CN1522459A 光电子器件集成 公开/授权日:2004-08-18